TE 用于高速信号防静电保护硅ESD器件
硅ESD(SESD)保护器件可以防止电路因静电放电(ESD)事件而受 损。0201规格SESD器件的尺寸极小(0.6mm x 0.3mm x 0.3mm), 比上一代器件的面积小了近70%,在空间受到限制的应用中为设计人 员提供了极大...
探索硅基片的无限可能,这里是电子工程师的专业宝库。硅基片作为现代半导体技术的核心材料,广泛应用于集成电路、传感器及光伏产业等领域,是推动信息技术革命的关键。本页面汇集了184份精选资源,涵盖从基础理论到前沿应用的全面知识体系,助力您深入了解硅基片制备工艺、性能优化及最新研究进展。无论是初学者还是资深...
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SiC电力电子器件中,SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品,美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。在日本,罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业...
利用硅烷法将ssDNA 固化T方向切割、3. 58MHz 和10MHz 石英晶体金电极上,构建了压电DNA传感器,建立了快速检测葡萄球菌肠毒素B(SEB) 基因的方法。优化了固定SEB 基因的条件,并
根据单晶硅各向异性腐蚀的特点,以晶格内部原子键密度为主要因素,温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子,建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型。在+,--开发环境下利用./0123 技术,
研究了利用硅薄片为敏感元件的电容式加速度计,加速度计的悬臂梁与惯性质量块是一个整体结构,可以消除元件弹性连接的不完善性,而且极板间隙中空气相对介电常数εr 的高稳定性是这种电容式传感器的优点之
本文介绍了利用PIC16F877单片机实现对可控硅触发的数字式控制电路.给出了实现控制电路的硬件设计和单片机的软件编程思路,该控制电路和控制方法在快速调节消弧线圈的调节控制中得到验证,已经运用于配电网的快速调节消弧线圈接地系统中.
拉硅单晶与切磨抛工艺生产车间现场视频 全世界以集成电路为核心的电子元器件,95%以上是用硅材料制成的,而其中直拉硅单晶的用量超过85%