摘要: 研究用内腔式He- Ne 激光器做光源时, 硅光电池实验中光电检流计读数不稳定的现象。利用硅光电池分别观测在不加偏振片、加上偏振片时内腔式He- Ne 激光器输出的光强度, 得到激光经偏振片后输出光强随时间而变。利用共焦扫描干涉仪扫描出激光束的各个纵模, 实验表明, 内腔式He- Ne 激光器每个纵模的偏振方向随时间缓慢变化, 引起了实验中输出的光强变化。
上传时间: 2013-11-17
上传用户:ArmKing88
摘要:在北京正负电子对撞机二期改造工程(BEPC2),磁铁电源系统大量使用了电流型直流传感器(DCCT)作为电源的反馈和回采器件.
上传时间: 2013-10-19
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间: 2013-11-21
上传用户:wanqunsheng
随着工业应用对信号检测与传输的要求不断提高,新型智能仪表将在市场中占有越来越重要的地位。本文在分析压力变送器基本工作原理的基础上,针对新形势下的生产要求,设计了基于MSC-51单片机的智能压力变送器的数据采集电路、看门狗电路以及接口电路。并设计了相应的数据采集算法、通信协议以及其他软件功能。
上传时间: 2014-01-22
上传用户:lliuhhui
DS18B20温度传感器,有时序图,
上传时间: 2013-11-13
上传用户:a155166
基于MSP430单片机的光纤光栅传感器匹配解调系统
上传时间: 2013-11-10
上传用户:zhliu007
霍尔传感器模块
上传时间: 2013-10-20
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基于单片机的超声波传感器测距系统
上传时间: 2013-10-20
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基于单片机160128液晶显示当前压力,内附有Proteus仿真。
上传时间: 2013-11-23
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无位置传感器无刷直流电机的控制
上传时间: 2014-12-24
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