锂离子电池是一种应用广泛的可充电电池，相对性能比较好，特别是锂离子动力电池已成为工业化环境中的新能源。随着其使用面的扩大，对锂离子动力电池的性能选择、充放电的安全保护显得愈发重要。
上传时间： 2013-11-11
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新能源汽车动力总成系统开发
上传时间： 2013-10-24
上传用户：zhouxuepeng1
BKZ系列硅整流电源装置适用于交流50Hz/60 、电Hz 压500V以下的交流电源改变为直流24V的装置。
上传时间： 2013-12-01
上传用户：erkuizhang
薄膜硅电池生产线的问题 •设备投资过大 •技术升级过快 •生产工艺不成熟 •电池效率仍较低 •电池的长期寿命有待验证(电池的稳定性仍不好)
上传时间： 2014-12-24
上传用户：ruan2570406
摘要: 研究用内腔式He- Ne 激光器做光源时, 硅光电池实验中光电检流计读数不稳定的现象。利用硅光电池分别观测在不加偏振片、加上偏振片时内腔式He- Ne 激光器输出的光强度, 得到激光经偏振片后输出光强随时间而变。利用共焦扫描干涉仪扫描出激光束的各个纵模, 实验表明, 内腔式He- Ne 激光器每个纵模的偏振方向随时间缓慢变化, 引起了实验中输出的光强变化。
上传时间： 2013-11-17
上传用户：ArmKing88
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
石英具有非凡的机械和压电特性, 使得从19 世纪40 年代中期以来一直作为基本的时钟器件. 尽管在陶瓷, 硅晶和RLC电路方面有60 多年的研究, 在此之前没有哪种材料或技术能替代石英振荡器, 鉴于其异常的温度稳定性和相位噪声特性. 估计2006 年将有100亿颗石英振荡器被制造出来并放置到汽车, 数码相机, 工业设备, 游戏设备, 宽带设备,蜂窝电话, 以及事实上每一种数字产品当中. 石英振荡器的制造数量比地球上的人口还要多.
上传时间： 2013-10-17
上传用户：xinshou123456
硅基片上光互连技术
上传时间： 2013-12-14
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MSP40-V1.2-CHS[1]微硅压力传感器。
上传时间： 2013-11-13
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为了保证在高温条件下，正确使用高频硅PNP晶体管3CG120，文中对3CG120在不同温度段的失效机理进行了研究。通过对硅PNP型晶体管3CG120进行170~340 ℃温度范围内序进应力加速寿命试验，发现在170~240 ℃，240~290 ℃，以及290~340 ℃分别具有不同的失效机理，并通过分析得到了保证加速寿命试验中与室温相同的失效机理温度应力范围。
上传时间： 2013-10-15
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