GAL(generic array logic)是美国晶格半导体公 司(gem 0udu or)最新推出的可电擦写、可重复编 程、可加密的一种可编程逻辑器件(PLD)。这是第二 代PAL， 亦是目前最理想的可多次编程的逻辑电路。 它不象PAL是一次性编程，品种乡 也不像EPSOM 需要用紫外线照射擦除。GAL 电路能反复编程 采用 的是电擦除技术 可随时进行修改，其内部有一个特殊 结构控制字，使它芯片类型少，功能全。目前普遍果用 的芯片只有两种：GAL16VS(20 g『脚)和GAL20V8 (24号『脚) 这两种GAL能仿真所有的PAL，并能按 设计者自己的需要构成各种功能的逻辑电瑞在研制 开发新的电路系统时 极为方便。
标签： GAL
上传时间： 2013-10-20
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采用EEPROM 工艺设计通用阵列逻辑器件 ——遇到的问题与解决方案 深圳市国微电子股份有限公司 裴国旭 电可擦除只读存储器（EEPROM）工艺可广泛运用于各种消费产品中，像微控制器、 无线电话、数字信号处理器、无线通讯设备以及诸如专用芯片设计等诸多应用设备中。0.18μmEEPROM 智能模块平台可广泛应用于快速增长的IC 卡市场，如手机SIM 卡、借记卡、信用卡、身份证、智能卡、USB 钥匙以及其他需要安全认证或需时常更新和编写资料的应用设备中。
上传时间： 2013-11-10
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当你认为你已经掌握了PCB 走线的特征阻抗Z0，紧接着一份数据手册告诉你去设计一个特定的差分阻抗。令事情变得更困难的是，它说：“……因为两根走线之间的耦合可以降低有效阻抗，使用50Ω的设计规则来得到一个大约80Ω的差分阻抗！”这的确让人感到困惑！这篇文章向你展示什么是差分阻抗。除此之外，还讨论了为什么是这样，并且向你展示如何正确地计算它。 单线：图1(a)演示了一个典型的单根走线。其特征阻抗是Z0，其上流经的电流为i。沿线任意一点的电压为V=Z0*i（ 根据欧姆定律）。一般情况，线对：图1(b)演示了一对走线。线1 具有特征阻抗Z11，与上文中Z0 一致，电流i1。线2具有类似的定义。当我们将线2 向线1 靠近时，线2 上的电流开始以比例常数k 耦合到线1 上。类似地，线1 的电流i1 开始以同样的比例常数耦合到线2 上。每根走线上任意一点的电压，还是根据欧姆定律，
标签： 差分阻抗
上传时间： 2013-11-10
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磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2013-12-15
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Hyperlynx仿真应用:阻抗匹配.下面以一个电路设计为例，简单介绍一下PCB仿真软件在设计中的使用。下面是一个DSP硬件电路部分元件位置关系(原理图和PCB使用PROTEL99SE设计)，其中DRAM作为DSP的扩展Memory(64位宽度，低8bit还经过3245接到FLASH和其它芯片)，DRAM时钟频率133M。因为频率较高，设计过程中我们需要考虑DRAM的数据、地址和控制线是否需加串阻。下面，我们以数据线D0仿真为例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司网站下载各器件IBIS模型。然后打开Hyperlynx,新建LineSim File(线路仿真—主要用于PCB前仿真验证)新建好的线路仿真文件里可以看到一些虚线勾出的传输线、芯片脚、始端串阻和上下拉终端匹配电阻等。下面，我们开始导入主芯片DSP的数据线D0脚模型。左键点芯片管脚处的标志，出现未知管脚，然后再按下图的红线所示线路选取芯片IBIS模型中的对应管脚。 3http://bbs.elecfans.com/ 电子技术论坛 http://www.elecfans.com 电子发烧友点OK后退到“ASSIGN Models”界面。选管脚为“Output”类型。这样，一样管脚的配置就完成了。同样将DRAM的数据线对应管脚和3245的对应管脚IBIS模型加上(DSP输出，3245高阻，DRAM输入)。下面我们开始建立传输线模型。左键点DSP芯片脚相连的传输线，增添传输线，然后右键编辑属性。因为我们使用四层板，在表层走线，所以要选用“Microstrip”，然后点“Value”进行属性编辑。这里，我们要编辑一些PCB的属性，布线长度、宽度和层间距等，属性编辑界面如下：再将其它传输线也添加上。这就是没有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最远直线间距1.4inch，对线长为1.7inch)。现在模型就建立好了。仿真及分析下面我们就要为各点加示波器探头了，按照下图红线所示路径为各测试点增加探头：为发现更多的信息，我们使用眼图观察。因为时钟是133M，数据单沿采样，数据翻转最高频率为66.7M，对应位宽为7.58ns。所以设置参数如下：之后按照芯片手册制作眼图模板。因为我们最关心的是接收端(DRAM)信号，所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手册的输入需求设计。芯片手册中要求输入高电平VIH高于2.0V，输入低电平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一个NOTE里指出，芯片可以承受最高5.6V，最低-2.0V信号(不长于3ns)：按下边红线路径配置眼图模板：低8位数据线没有串阻可以满足设计要求，而其他的56位都是一对一，经过仿真没有串阻也能通过。于是数据线不加串阻可以满足设计要求，但有一点需注意，就是写数据时因为存在回冲，DRAM接收高电平在位中间会回冲到2V。因此会导致电平判决裕量较小，抗干扰能力差一些，如果调试过程中发现写RAM会出错，还需要改版加串阻。
上传时间： 2013-12-17
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传输线理论与阻抗匹配 傳輸線理論
上传时间： 2013-10-22
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随着现代电子科技的发展, 大规模集成电路迅速普及，芯片逐渐向高速化和集成化方向发展, 其体积越来越小，频率越来越高，电磁辐射随其频率的升高成平方倍增长，使得各种电子设备系统内外的电磁环境愈加复杂,对PCB 设计中的电磁兼容技术要求更高。PCB 电磁兼容设计是否合理直接影响设备的技术指标，影响整个设备的抗干扰性能，直接关系到整个系统的可靠性和稳定性。
上传时间： 2013-10-21
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阻抗特性设计要求
标签： 阻抗特性
上传时间： 2013-10-20
上传用户：秦莞尔w
小型液压机的电液系统设计
上传时间： 2013-10-27
上传用户：chongchong1234
汽车电控空气悬架系统设计
标签： FreescaleHCS 08 汽车电控 空气悬架
上传时间： 2013-10-13
上传用户：hanhanj
