第1章 集成运放应用电路设计须知 1.1 集成运放简介 1.1.1 集成运放的内部框图、分类和图形符号 1.1.2 集成运放的引脚功能、封装及命名方法 1.1.3 集成运放的参数 1.2 理想运算放大器 1.2.1 运放的理想参数及理想运放的电路模型 1.2.2 简化设计的基本准则 1.3 选择电阻器须知 1.3.1 电阻器系列及温度系数 1.3.2 常用电阻器的结构与特点及参数 1.4 选用电容器须知 1.4.1 电容器容量系列、损耗及绝缘电阻 1.4.2 常用电容器的类型、特点及规格 1.5 集成运放的电源 1.5.1 集成运放电源的选择 1.5.2 各类电源系列 1.5.3 集成运放电源使用注意事项 第2章 集成运放调零、相位补偿与保护电路的设计 2.1 偏置电流补偿电路及调零电路的设计 2.1.1 偏置电流补偿电路的设计 2.1.2 调零电路的设计
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1.3 FPGA的设计流程。
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2.1.3 VIRTEX-Ⅱ系列产品。
标签： VIRTEX
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Altium Designer 的Protel 中多通道功能在原理图及PCB
标签： Designer Altium Protel PCB
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第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲（Unbuffered）内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器（Registered）的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源，参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨，本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR，它们都被称为同步动态内存，其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进，所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate，也就是双倍的数据传输率，但是其时钟频率没有增加，只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
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0RCAD全能混合电路仿真:第一部分 0rCAD环境与Capture第l章 OrCAD PSpice简介1—1 SPICE的起源1—2 OrCAD PSpice的特点1—3 评估版光盘的安装1—4 评估版的限制1—4—1 Capture CIS 9．0评估版的限制1—4—2 PSpiceA/D9．0评估版限制1—5 系统需求1—6 PSpice可执行的仿真分析1—6—1 基本分析1—6—2 高级分析1—7 Capture与PSpice名词解释1—7—1 文件与文件编辑程序1—7—2 对象、电气对象与属性1—7—3 元件、元件库与模型1—7—4 绘图页、标题区与边框1—7—5 绘图页文件夹、设计、设计快取内存1—7—6 项目与项目管理程序
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电信小灵通短信协议smgp 1.3版本
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服务电路模块的动态监测
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克鲁斯卡尔(Kruskal)算法 （1）算法思想（2）算法特点（3）Kruskal算法的抽象描述（4）用Kruskal算法构造最小生成树的过程（5）算法分析
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完成“快速拼写检查程序”的分析、设计和实现过程。 快速拼写检查程序基本功能说明如下： 1．进行拼写检查的文件以文本文件形式存储于外存上； 2．只检查文件中英文单词的拼写错误； 3．单词是用字母（a…z或A…Z）定义，任一非字母字符作为分隔符； 4．判断单词拼写正误的依据是词典，词典以文本文件形式存放于外存上； 5．词典文件第1行为词典的名称，以后每一行存放一个单词； 6．输出结果以文本文件形式存储，其格式为： 第1行：被拼写检查的文件名 + 词典名 第2行后的每一行： 出错单词 位于第x行 7．合理的GUI，注意GUI界面类与功能类的关系应比较松散。
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