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电磁带隙结构

  • 面向微机电系统组装与封装的微操作装备关键技术

    对微机电系统(Micro electro mechanical systems,MEMS)组装与封装工艺的特点进行了总结分析,给出了MEMS组装与封装设备的研究现状。针对MEMS产业发展的特点,分析了面向MEMS组装与封装的微操作设备中的工艺参数优化数据库、快速精密定位、模块化作业工具、快速显微视觉、柔性装夹和自动化物流等关键技术。在此基础上,详细介绍了研制的MEMS传感器阳极化键合设备和引线键合设备的组成结构,工作原理,并给出了组装和封装试验结果。最后,指出了MEMS组装与封装技术及设备研制的发展趋势。

    标签: 微机电系统 封装 关键技术 操作

    上传时间: 2016-07-26

    上传用户:leishenzhichui

  • 实验五--电话本(C)

    使用C语言进行编写电话本,通过哈希表结构存储记录。

    标签: 实验 电话

    上传时间: 2019-04-16

    上传用户:s1007236623

  • 应用ANSOFT-HFSS对曲面结构贴片天线的模拟

    结构体的具体尺寸如下所示:a=1.20h=0.620其中介质锥的介电常数E=2.0。选定工作频率为f=15GHz相对应的真空中的波长为0=20mm,这样结构体的儿何尺寸己经完全确定,下面介绍求解的全过程选定求解方式为(Solution Type)Driven modal1.建立所求结构体的几何模型(单位:mm)。由于此结构体的几何形状较简单,使用工具栏中的Draw命令可直接画出,这里不再赘述述。画出的结构体如图4.1.2所示。2.充结构体的材料选定结构体中的锥体部分,添加其介电常数Er=20的介质材料注:如果HSS中没有提供与所需参数完全相同的材料,用户可以通过新建材料或修改已有材料,使其参数满足用户需求设定结构体的边界条件及其激励源a.选定结构体的贴片部分,设定其为理想导体(PerE)。b.画出尺寸为X×Y×Z=70mm×70mm×40mm的长方体作为辐射边界,并设定其边界条件为辐射边界条件(Radiation Boundary)。c.由于要求出结构体的RCS,因此设定激励源为平面入射波(Incident Wave Source)。如图4.1.3所示。4.设定求解细节,检验并求解a.设定求解过程的工作频率为f=15GHz.其余细节设定如图4.1.4所示。b.设定远区辐射场的求解(Far Field Radiation Sphere栏的设定)。c.使用 Validation check命令进行检验,无错误发生,下一步运行命令 Analyze,对柱锥结构体进行求解。如图4.1.5和4.1.6所示。

    标签: ansoft 天线 hfss

    上传时间: 2022-03-10

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  • 永磁无刷直流电机技术的基础资料

    永磁元;自n交流电机被认为是21 世纪最有发展前途和广泛应用前景的电子控能电貌。本书着重对永磁无踊3支流电机与控制技术的定要问题进行较深入的研究分析和介绍,包指无刷3主流电动机与永磁同步电动机的结构和性能比较;元刷直流电机数学模搜;计及绕组电感的特性与参数计算方法;分数糟集中绕组和多相绕组;不肉相数绕组连接和导通方式的分析与比较:气隙磁通密度的计算:反电动势波形和反电动势计算z 霍尔传感器位置分布~规律分析和确定方法:无剿宽流电机设计要素前选择;±蔡尺寸基本关系式考虑电感影响的修正;应粘性思尼系数确定电机主要尺寸的方法;整数槽和分数槽绕组元崩豆豆流传Z板的电枢反应:转短波动及其抑制方法;齿槽转矩及其削弱方法:宠剿直流电机基本控制技术E 元传感器控制技术;低成本正弦波控鹅技术:总相元麟直流电机与控制等。2秘书同时综合介绍国内外元;到直流电机与控制技术最新进展动态和研究成泉。每章后附有相关参考文献,便于读者跟踪和进一步深入研究。本书遵循理论研究与实用技术相结合的编写原则,可供即将从事或正在从事与元刷直流电机有关的研究开发、设计、生产、控制和应用的科技人员、管理人员,以及大专院校教师、学生和研究生参考。

    标签: 永磁无刷直流电机

    上传时间: 2022-04-10

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  • 永嘉微电推出低功耗4通道/4按键触摸触控芯片:VKD104BC/CC 广泛应用于电池供电类触摸产品

    产品型号:VKD104CC 产品品牌:VINKA/永嘉微/永嘉微电 封装形式:SOP16 产品年份:新年份 联 系 人:许硕  深圳永嘉原厂直销,原装现货具有优势!工程服务,技术支持,让您的生产高枕无忧!QT420 概述 VKD104CC具有4个触摸按键,可用来检测外部触摸按键上人手的触摸动作。该芯片具有 较高的集成度,仅需极少的外部组件便可实现触摸按键的检测。 提供了4路输出功能,可通过IO脚选择输出电平,输出模式,输出脚结构,单键/多键和最 长输出时间。芯片内部采用特殊的集成电路,具有高电源电压抑制比,可减少按键检测错误的 发生,此特性保证在不利环境条件的应用中芯片仍具有很高的可靠性。 此触摸芯片具有自动校准功能,低待机电流,抗电压波动等特性,为各种触摸按键+IO输 出的应用提供了一种简单而又有效的实现方法。 特点 • 上电后8S内自校准周期为1S,上电后8S内有触摸或8s后仍未触摸自校准周期切换为4S • 工作电压 2.4-5.5V • 待机电流2.5uA/3V,5.5uA/5V • 触摸输出响应时间:工作模式 60mS ,待机模式160mS • 通过AHLB脚选择输出电平:高电平有效或者低电平有效 • 通过TOG脚选择输出模式:直接输出或者锁存输出 • 通过LPMB脚选择工作模式:正常模式或者待机模式 • 通过MOT0脚有效键最长输出时间:无穷大或者16S • 通过OD脚选择开漏输出:开漏输出或者CMOS输出 • 通过SM脚选择输出:多键有效或者单键有效 • 各触摸通道单独接对地小电容微调灵敏度(0-50pF) • 上电0.5S内为稳定时间,禁止触摸 • 封装 SOP16(150mil)(9.9mm x 3.9mm PP=1.27mm) 此资料为产品概述,可能会有错漏。如需完整产品PDF资料可以联系许硕索取QQ:191 888 5898   产品型号:VKD104BC 产品品牌:VINKA/永嘉微/永嘉微电 封装形式:SOP16 产品年份:新年份 联 系 人:许硕 深圳永嘉原厂直销,原装现货具有优势!工程服务,技术支持,让您的生产高枕无忧!QT420 概述 VKD104BC具有4个触摸按键,可用来检测外部触摸按键上人手的触摸动作。该芯片具有较 高的集成度,仅需极少的外部组件便可实现触摸按键的检测。 提供了4路输出功能,可通过IO脚选择输出电平,输出模式,输出脚结构,单键/多键和最 长输出时间。芯片内部采用特殊的集成电路,具有高电源电压抑制比,可减少按键检测错误的 发生,此特性保证在不利环境条件的应用中芯片仍具有很高的可靠性。 此触摸芯片具有自动校准功能,低待机电流,抗电压波动等特性,为各种触摸按键+IO输 出的应用提供了一种简单而又有效的实现方法。 特点 • 上电后8S内自校准周期为1S,上电后8S内有触摸或8s后仍未触摸自校准周期切换为4S • 工作电压 2.4-5.5V • 待机电流2.5uA/3V,5.5uA/5V • 触摸输出响应时间:工作模式 60mS ,待机模式160mS • 通过AHLB脚选择输出电平:高电平有效或者低电平有效 • 通过TOG脚选择输出模式:直接输出或者锁存输出 • 通过LPMB脚选择工作模式:正常模式或者待机模式 • 通过MOT0脚有效键最长输出时间:无穷大或者16S • 通过OD脚选择开漏输出:开漏输出或者CMOS输出 • 通过SM脚选择输出:多键有效或者单键有效 • 各触摸通道单独接对地小电容微调灵敏度(0-50pF) • 上电0.5S内为稳定时间,禁止触摸 • 封装 SOP16(150mil)(9.9mm x 3.9mm PP=1.27mm) 此资料为产品概述,可能会有错漏。如需完整产品PDF资料可以联系许硕索取QQ:191 888 5898  

    标签: 104 VKD BC CC 微电 低功耗 4通道 应用于 按键 触控芯片

    上传时间: 2022-05-14

    上传用户:2937735731

  • 一种新颖的正弦正交编码器细分方法

    一种新颖的正弦正交编码器细分方法摘要,提出了一种不用查询表的正弦正交编码器细分方法利用控制系统临界稳定原理生成一个高频数字正弦载波与采样得到的正弦编码信号实时比较来获取相位信息,与传统查询表细分方法相比,节省了大量的存储空间而且整个细分过程通过软件实现,不需要添加额外的硬件,同时阐述了影响细分分辨率的因素,推导出了防止电机高速运行时细分混登的条件;最后,以一台7kw的电梯用永磁同步电机配套海德汉的ERN487-2048正弦增量式编码器为平台,验证了该细分方法用于转子初始位置识别及速度控制的可行性.关键词,正弦编码器,细分,永磁同步电机,电梯,转子初始位置随着社会的发展人们对电梯的体积载重量功耗调速精度及调速范围等提出了越来越高的要求永磁同步电机以功率密度大气隙密度高转矩电流比高转矩惯量比大寿命长及结构简单等优点成为无齿轮电引机的首选 对于正弦波永磁同0步电机矢量控制系统坐标变换中的转子位置角是否能准确实时地检测直接影响到整个系统的性能因此高性能要求的系统一般采用分辨率高的光电式编码器检测转子位置.

    标签: 正弦正交编码器

    上传时间: 2022-06-18

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  • 压电陶瓷在超声波电机中的应用研究.

    超声波电机利用压电陶瓷的逆压电效应,将电能转变为机械振动,再通过摩擦作用将机械振动转变为电机的旋转(直线)运动,进而驱动负载。压电陶瓷作为超声波电机的振动发生器件,其性能的优劣直接影响到电机的输出性能。本文采用传统的固相反应法制备P-41和PMnS-PZN-PZT压电陶瓷,研究压电阿瓷在行被型超声波电机中的应用及压电性能对电机性能的影响.研究了P41和PMns-PZN-PZT压电陶瓷材料的结构、性能、频率温度稳定性及极化方式对压电陶瓷性能的影响。结果表明,这两种材料都具有较好的介电温度稳定性,P41具有明显的铁电体相变特点,PMns-PZN-PZT具有她豫-铁电体相变特点。采用同时同向一次极化工艺改善了二次极化工艺所遗留的各极化区域ds不均匀、分区界面应力的存在导致的性能不稳定性,同时缩短了极化时间,提高了超声波电机的输出性能.P-41陶的极化采件为3kV/mm,120 ℃极化15 min,PMnS-PZN-PZT陶瓷的极化条件为3.5 kV/mm.140℃极化15 min.研究了P-41和PMnS-PZN-PZT压电陶瓷的性能与超声波电机性能的相关性,探讨了电机的导纳、负载、启动与关断和温度特性。结果表明,电机具有较好的瞬态特性,启动时间ams,关断时间<l ms.采用P-41压电陶瓷电机的启动与关断速度比PMnS-PZIN-PZT压电陶登电机的快,与P41压电陶瓷具有非弛豫相变特点有关,说明P41压电陶瓷比较适用于需要反复开关的超声电机.同时,P41电机的Qm较小而Aar比较大(TRUM-60 1型电机),具有较好的负载驱动能力。电机的表面温度随运转时间的延长迅速升高,最终在某一温度下稳定运转,采用PMnS-PZN-PZT压电陶瓷电机的表面温度明显低于采用P41压电陶瓷的电机(TRLIM6011电机),与PMnS-PZN-PZT压电陶瓷具有非常低的介电损耗有关,因此这种材料比较适用于需要长时间运转的超声波电机。预压力对电机的性能影响很大,不同尺寸电机具有不同的驱动性能.

    标签: 压电陶瓷 超声波电机

    上传时间: 2022-06-18

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  • 微泵型压电超声波雾化器研究.

    随着科学水平的提高,生物、化学以及医疗相关器械领域对精度要求也在不断地提升.生物制剂提取、注射,化学药品传输供给以及药物治疗等MEMS的研究不单单是对精密仪器的攻坚克难,更是交叉学科赋予高精密仪器研究发展的难题。技术革新便要理论创新,才能突破现有技术发展的瓶颈。现有的压电超声波雾化器理论发展已颇具成熟,产业化发展也甚是丰富,可是由于产品的不断创新换代,同时也导致理论创新的不同步,致使许多创新产品缺少对应的系统理论支持。本文立足微泵型压电超声波雾化器的研究,提出了系统的雾化理论、结构仿真和雾化效果实验研究。本文主要的研究内容和成果如下:在雾化理论分析方面,通过对雾化片金属基片和锥孔的变形公式推导分析,建立了微泵型压电超声波雾化器雾化理论数学模型,并结合变形分析对其雾化机理进行了完整的阐述在有限元仿真分析计算方面,通过对雾化片简化建模,进行了雾化片的诺响应计算分析,得出雾化片诺响应工作模态及其相应振型。并结合雾化理论分析了各模态相应雾化效果,提出雾化效果改进意见。在雾化效果实验方面,进行多普莉激光测振实验,与诺响应仿真计算相互论证,提高其可行性,并通过雾化效果实验来验证雾化效果理论分析结果,最后结合仿真计算和多普勒激光测振结果综合分析、总结出雾化效果的影响因素。关键词:MEMS,压电泵,超声波,雾化器,压电陶瓷,振型。本文工作在机械结构力学及控制国家重点实验室完成。

    标签: 超声波雾化器

    上传时间: 2022-06-18

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  • LDO线性稳压电源管理芯片设计

    论文首先论述了线性稳压电源的基本原理,以此为基础对系统设计进行整体考虑,构建了系统整体架构,并制定了芯片的设计指标。利用小信号分析的方法对系统稳定性进行了分析讨论,根据系统稳定性原理,采用电容反馈补偿措施以确保系统稳定可靠根据设计指标,论文详细设计了芯片内部电路模块,包括:带隙基准电压源、误差放大器、过热保护、过流保护和使能电路等,通过综合比较晶体管的性能,确定调整管的类型,在基准电生源设计中,采用了电流相加的新型电路结构,使输出基准电压不仅具有良好的温度特性和电源电压抑制特性,而且克服了传统电路结构电压基准源的输出电压不能改变的缺点,提高了模块的可移植性,并充分考虑了低电压低功耗设计;在过热保护电路设计中,采用温度迟滞系统,克服了单温度保护点电路易受温度变化误触动的缺点。借助Cadence Spectre仿真软件完成仿真验证,实验结果表明,该系统在正常工作时,能得到3V稳定的输出电压,压降仪为150mv;在1K时电源抑制比为65.55dB,在10K时电源抑制比为50dB:在温度范围(-30℃-90℃)内系统能保持良好的稳定性,达到了设计要求,并完成了主要电路模块的版图设计与验证。

    标签: ldo 电源管理

    上传时间: 2022-06-23

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  • GaN基LED材料特性研究及芯片结构设计

    本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后,从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分,介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围,然后根据实验分析了TEM图片,包括GaN多量子阱,重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图形,分析了他们对材料属性的影响。然后分析了多种氮化擦样品的光致发光谱和电致发光谱,并解释其光谱蓝移和红移现象。在属性部分最后介绍了基于密度泛函理论和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料属性上的应用。在芯片结构设计部分,本文提出了三种高效率LED芯片的设计结构,分别是基于双光子晶体的LED芯片,基于微球模型的LED芯片,基于激光剥离衬底的大功率LED芯片。涉及到光子晶体理论,蒙特卡罗理论及激光剥离理论,本文分别介绍和分析了各类理论基础,并在此基础上提出新的设计结构,给出仿真分析结果。双光子晶体可以提供较完善的反射层,出射层。微球LED可以利用大尺寸表面结构来大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剥离衬底的大功率LED可以实现较好散热效果和功率。

    标签: led

    上传时间: 2022-06-25

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