反激式开关电源设计的思考三(磁芯的选取)
在DCM状态下选择：Uin－电源输入直流电压Uinmin－电源输入直流电压最小值D－占空比Np－初级绕组匝数Lp－初级绕组电感量Ae－磁芯有效面积Ip－初级峰值电流f－开关频率Ton－开关管导通时间I－初级绕组电流有效值η－开关电源效率J－电流密度...
电流密度技术资料
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电流密度矢量是描述电路中某点电流强弱和流动方向的物理量。其大小等于单位时间内通过某一单位面积的电量，方向向量为单位面积相应截面的法向量，指向由正电荷通过此截面的指向确定。因为导线中不同点上与电流方向垂直的单位面积上流过的电流不同，为了描写每点的电流情况，有必要引入一个矢量场——电流密度J，即面电流密度。每点的J的方向定义为该点的正电荷运动方向，J的大小则定义为过点并与J垂直的单位面积上的电流·。
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查看全部24个资源 »期刊论文：高温超导储能实验装置研究
·论文摘要：所研制的高温超导储能实验装置由Bi系高温超导线圈、IGBT功率变换器和TMX320F2812DSP控制器组成。BSCCO超导线在液氮温度下临界电流密度低，超导线圈端部漏磁场基本上垂直于超导带表面，使临界密度进一步下降，影响了高温超导的实用化进程。文中讨论了解决这些问题的关键技术。...
倒装芯片技术中无铅凸点电迁移研究
论文简述了半导体芯片互连凸点的电迁移现象及其基本理论，综述了国内外的研究现状，设计了倒装芯片封装技术中无铅凸点电迁移的研究内容和试验方案。进行了电迁移的试验研究和数值计算，并且深入探讨和分析了影响电迁移的因素。研究发现，当电流密度超过电迁移门槛值时，电流密度的增加显著的减短了中值失效时间。这主要是由...
N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究
N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓...
SIP封装设计与仿真
IC封装前仿和后仿的PI/SI/EMC分析直流压降-仿真直流压降，电流密度分布，功率密度分布，电阻网络2.电源完整性-分析电源分配系统的性能，评估不同的叠层，电容容值选择和放置方法，最佳性价比优化去耦电容3.信号完整性一分析信号回流路径的不连续性，分析串扰和SSN/SS0，分析信号延迟，畸变，抖动和...
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