110～240 VAC交流数字信号输入接口电路分析与软件实现
上传时间： 2013-11-30
上传用户：asaqq
交流电流的趋肤效应及其对载流导线损耗的影响，设计时可以进行参考，很好很实用的资料！
上传时间： 2013-11-12
上传用户：思琦琦
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：thesk123
一种单相电路无功电流实时检测新方法的研究
上传时间： 2013-10-28
上传用户：穿着衣服的大卫
LT®8610 和 LT8611 是 42V、2.5A 同步降压型稳压器，可满足汽车、工业和通信应用严格的高输入电压及低输出电压要求。为尽量减少外部组件并压缩解决方案尺寸，上管和下管电源开关集成在一种同步稳压器拓扑中，包括了内部补偿功能电路。即使在调节输出的过程中，稳压器从输入电源消耗的静态电流也仅为 2.5μA。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：源码3
在基础电子学课程最初的某堂课上，我们会学习电阻器、电容器、电感器、电压源和电流源的符号。虽然每种符号代表了实际电路中的某种功能元件，但只有部分符号拥有直接的实质对等物。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：feifei0302
N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓冲层浓度及厚度存在最优值，只要合理的选取可以有效地降低通态压降。
上传时间： 2013-11-12
上传用户：thesk123
文中对BUCK型DC_DC变换器进行了系统建模。为了得到包含平均电流调节开关控制方式的双环控制系统的简化模型，提出了一种电流环闭环传递函数的近似函数，并分别对电流控制器，电流补偿网络和功率级进行了建模，采用Mathcad进行仿真，得到系统相位裕度达到54°的结果。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：lunshaomo
驱动电路的设计是LED照明设备中的核心部分，驱动电路的好坏直接影响到了光源是否高效节能工作。而基于不对称式半桥谐振变换器设计的驱动电路在大功率LED中应用较多，本文即针对不对称式半桥谐振变换器进行了分析，横向对比SRC、PRC、LLC谐振变换器后，对性能最好的不对称式半桥LLC谐振变换器做仿真分析，获得了相关计算数据，验证了LLC不对称式半桥谐振器具有优良性能，并提出了优化方法。
上传时间： 2013-11-18
上传用户：swaylong
IGBT开关过程仿真分析中的PSPICE应用研究
上传时间： 2013-12-23
上传用户：shen954166632
