设计了水声信号发生系统中的功率放大电路，可将前级电路产生的方波信号转换为正弦信号，同时进行滤波、功率放大，使其满足换能器对输入信号的要求。该电路以单片机AT89C52，集成6阶巴特沃思低通滤波芯片MF6以及大功率运算放大器LM12为核心，通过标准RS232接口与PC进行通信，实现信号增益的程控调节，对干扰信号具有良好的抑制作用。经调试该电路工作稳定正常，输出波形无失真，在输出功率以及放大增益、波纹系数等方面均满足设计要求。 This paper presented a design and implementation of underwater acoustic power amplifer. This circuit converted the rectangle signal generated by frontend circuit into the sine signal， then filtered and power amplification， it meets the requirements of the transducer.Included AT89C52， 6th order Butterworth filter MF6， hipower amplififier LM12.Communication with PC through the RS232 port. The signal gain is adjustable and could be remote controlled. It has a good inhibitory effect on the interference signal. After debugged， this circuit works stable， the output waveform has no distortion， it meets the design requirement in outprt power， amplifier gain and ripple factor.
上传时间： 2013-11-20
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利用MOS场效应管(MOSFET)，采取AB类推挽式功率放大方式，采用传输线变压器宽带匹配技术，设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块，其输出脉冲功率达1200W，工作频段0.6M~10MHz。调试及实用结果表明，该放大器工作稳定，性能可靠
上传时间： 2013-11-17
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本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：lijinchuan
本文的目的在于，介绍如何计算具有狭窄气隙的圆形转子电机中的绕组感应。我们仅处理理想化的气隙磁场，不考虑槽、外部周边或倾斜电抗。但我们将考察绕组磁动势（MMF）的空间谐频。 在图1中，给出了12槽定子的轴截面示意图。实际上，所显示的是薄钢片的形状，或用于构成磁路的层片。铁芯由薄片构成，以控制涡流电流损耗。厚度将根据工作频率而变，在60Hz的电机中（大体积电机，工业用）层片的厚度典型为.014”（.355毫米）。它们堆叠在一起，以构成具有恰当长度的磁路。绕组位于该结构的槽内。 在图1中，给出了带有齿结构的梯形槽，在大部分长度方向上具有近乎均匀的截面，靠近气隙处较宽。齿端与相对狭窄的槽凹陷区域结合在一起，通过改善气隙场的均匀性、增加气隙磁导、将绕组保持在槽中，有助于控制很多电机转子中的寄生损耗。请注意，对于具有名为“形式缠绕”线圈的大型电机，它具有直边矩形槽，以及非均匀截面齿。下面的介绍针对两类电机。
上传时间： 2013-10-13
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本系统是基于LM3S8971实现了通过Ethernet或者CAN总线来控制无刷直流电机，可以实现无刷直流电机有方波传感器和方波无传感器运行，同时支持有传感器正弦波运行。
上传时间： 2014-01-13
上传用户：三人用菜
利用四分之三波长折叠微带线与四分之一波长微带线级联，并在输入端口引入四分之一波长短路线，设计出一种新型的超宽带功率分配器。采用奇偶模的方法进行理论分析，导出设计参数方程，并通过HFSS进行仿真优化。仿真和测量结果表明， 输入回波损耗从3 GHz~10.9 GHz均大于10 dB。插入损耗从2.6 GHz~9.5 GHz均小于1 dB，从9.5 GHz~10.8 GHz均小于1.3 dB。输出端口的回波损耗和隔离度从3 GHz~12.7 GHz均大于10 dB。高频的带外抑制在14.2 GHz时达到20 dB。
上传时间： 2013-11-08
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低功率LED设计的挑战在于实现由监管标准设定的电源调节、 由监管标准指导的能量变换以及通常由市场接受度设定的有效负载控制（其中包括调光保真度）这三者的平衡。 FL7730和FL7732能较好地取得这种平衡，用一个电路即可执行全部三项功能。
上传时间： 2013-11-13
上传用户：cherrytree6
为研究功率型锂离子电池性能，对某35 Ah功率型锂离子电池单体进行了充放电特性试验和分析，由此获得功率型电池在不同温度和不同倍率下的充放电特性、内阻特性和温升特性。研究结果表明，低温下电池的充放电内阻较大，充放电性能衰减显著；常温下电池的内阻较小，充放电温升较小，大电流充放电的容量稳定性好，质量比能量高，作为电传动车辆主要或辅助动力源具有良好的应用前景。
上传时间： 2013-11-13
上传用户：清风冷雨
结合功率MOSFET管不同的失效形态，论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式，并说明了产生这样的损坏形态的原因，也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别，从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态。最后，结合实际应用，论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程。
上传时间： 2013-11-14
上传用户：dongqiangqiang
功率MOSFET的驱动电路和保护技术
上传时间： 2013-10-22
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