提出一种增加去耦支路损耗抑制电源分配网络PDN中并联谐振的方法。该方法通过在去耦支路引入一个串联电阻,使PDN的损耗增加,从而抑制PDN并联谐振。给出了理论模型,借助Hyperlynx PI仿真软件在DM642板卡上进行仿真实验。结果表明,在去耦支路引入一个0.45 Ω电阻,可将PDN并联谐振处的品质因数Q从282抑制到13。同时,分析了引入电阻对去耦效果的影响。当引入电阻小于0.45 Ω时,可通过增加去耦电容并联个数来补偿引入电阻对去耦的影响。
上传时间: 2013-11-16
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电路如果存在不稳定性因素,就有可能出现振荡。本文对比分析了传统LDO和无片电容LDO的零极点,运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容LDO,电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺对电路进行了仿真验证。本文无片外电容LDO的片上补偿电容仅为3 pF,减小了制造成本。它的电源电压为3.5~6 V,输出电压为3.5 V。当在输入电源电压6 V时输出电流从100 μA到100 mA变化时,最小相位裕度为830,最小带宽为4.58 MHz
上传时间: 2014-12-24
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DC/DC升压IC ,LDO稳压IC,锂电池充电IC,恒流IC,LED驱动IC ,电压检测IC,降压IC,AC-DC,MOS管等电源管理芯片。
上传时间: 2013-10-22
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为了对电容重复频率且高能量转换效率地充电,开展了全桥串联谐振充电电源的理论设计。通过数值解析的方法获得谐振电感、电容、功率器件耐压与通流、电源功率、脉冲变压器伏秒数等参数,通过数值模拟的方法获得脉冲变压器励磁电感参数,以基于Pspice的全电路仿真验证设计参数的合理性。仿真结果表明为了实现对110 nF电容1 kHz重频充电,在初级电压为1.2 kV和谐振参数为33 kHz时,谐振电感、电容应分别为625 nH,37 μF,脉冲变压器伏秒数、励磁电感至少分别应为45 mVs、1 mH,功率器件峰值电流约300 A。
上传时间: 2013-11-08
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LT®8610 和 LT8611 是 42V、2.5A 同步降压型稳压器,可满足汽车、工业和通信应用严格的高输入电压及低输出电压要求。为尽量减少外部组件并压缩解决方案尺寸,上管和下管电源开关集成在一种同步稳压器拓扑中,包括了内部补偿功能电路。即使在调节输出的过程中,稳压器从输入电源消耗的静态电流也仅为 2.5μA。
上传时间: 2014-12-24
上传用户:源码3
LTC®3569 是一款适用于手持式设备的紧凑型电源解决方案。其纤巧型 3mm x 3mm QFN 封装中内置了三个具有可单独编程输出电压的降压型 (Buck) 稳压器。一个稳压器可支持高达 1200mA 的负载电流,而其他两个稳压器则可支持至 600mA 的负载电流。
上传时间: 2013-10-19
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各级Blumlein型脉冲形成网络充电电压的不一致是影响级联脉冲形成网络电压传输效率的因素之一,为了使级联网络的充电电压一致,设计了一种多路充电电源。每路电源由脉冲变压器,IGBT,初级储能电容组成,IGBT的同步触发使得每路电源同时对负载充电。实验结果表明各级网络的充电电压不一致性<0.1%。
上传时间: 2013-10-28
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电脑电源的通病及维修方法 在我修过的ATX电源中的故障一般都是接电后没反映,80%的故障都是无+5V待机电压,只要将待机电源的开关管的基极到+310V之间的启动电阻换掉就可修复,此电阻的阻值一般在500K-600K左右,也可以换的较大点。 待机电压有了不开机的原因多是+12V、+5V、+3。3V的整流管击穿,造成电源保护,也有是电容短路坏掉的。 在一些低档的电源中也存在主电源滤波电容鼓起、漏电的故障。 ATX电源输入电路的维修! ATX电源的输入电路主要由保险丝、交流抗干扰电路、限流电阻、过压保护电路等组成。长城电源号称具备双重过压保护,其输入电路比较有特色。
标签: 电脑电源
上传时间: 2013-11-05
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电源设计往往是系统最后一个考虑因素。这时,大部分用户可选择一个有效模块——输入一个DC电压生成另一个电压。这个模块可以有不同规格,以步降方式生成低电压,或以步升方式生成高电压。同时,还有大量专用方案,如步升/步降、反激式和单端初级电感转换器(sepic),这种DC-DC 转换器可生成大于、小于或等于输入电压的输出电压。对于基于AC 电源工作的系统,可能首先需要采用AC-DC 模块生成系统所需的最高DC 电压。因此,步降转换器,也称降压转换器,是使用最为广泛的设备。下面,我们先介绍如何选择基础步降电压转换器,提高轻负载效率,然后讨论选择外周器件的考虑因素。
上传时间: 2013-12-29
上传用户:pei5
N79E8132移动电源方案功能介绍 本方案的特色是采用新唐生产的兼容MCS-51核心的N79E8132单片机,可以在-40度到85度温度范围内安全工作,具备4K FLASH,4K DATAFLASH,512B RAM,高精度10位ADC,内置带隙电压可省去外部参考电压,内置22.1184M、11.0592M振荡器,并具有可分频的时钟供单片机核心使用,可以根据性能需要灵活选择工作时钟,提高工作效率,具备外部中断、按键中断,可以灵活实现单片机进入掉电模式后的唤醒功能,具备停机、掉电模式,在产品不使用的时候进入掉电模式,实现环保节能,支持ICE仿真工具,ICP、串口ISP烧写,开发硬件成本低。软件开发可以使用KEIL C,容易上手。 充电部分采用通用的TP4056,价格便宜,容易采购,可以通过外部元件灵活配置充电电流。 升压部分采用日本精工的S8365,工作频率1.2M,外置MOS,容易实现大电流,高效率,电感小型化节省成本。 技术参数 1. 输入: USB 5V/1A ,充电电流可达500-850mA,可根据需要进行设置 2. 输出: USB 5V/1A,效率最高可达到90%以上,可根据需要提高到2A 3. 电量指示: (可根据需要自行设定) 四灯全亮 75%-100% 三个指示灯亮 50%-75% 两个灯亮 25%-55% 一个指示灯亮 5%-25% 无指示灯亮 5%以下 4.充电指示: 25%以下 一个指示灯闪 25%-50% 一个指示灯亮 第二个闪 50%--75% 二个指示灯亮 第三个闪 75%-99% 三个指示灯亮 第四个闪 100% 四个指示灯长亮。 5.智能保护: 低电保护:电池电压低于3V时自动关闭升压 放电保护:放电电流大于额定电流自动关闭升压输出(1A模式设置为1.5A保护) 温度保护:检测电池温度,高于55度自动关闭升压输出(可选) 低电流关机:当外部设备的电流需求小于100mA时,关闭升压输出以节省电力。 6.按键操作: 短按按键,4个LED显示剩余电量3~5秒自动关闭 按键长按, LED点亮,闪烁3次后开启升压,显示电量,30秒内没有连接外部设备自动关机。 开机状态长按,点亮照明LED,再长按熄灭照明LED,照明LED点亮状态不会进入自动关机 带照明功能。(可选)8.原理图 9.BOM 序号 类型 参数 位号 封装 数量 1 IC N79E8132AS16 U2 SO16 1 2 IC S8365C U4 SOT26 1 3 IC TP4056 U3 SO8M1T 1 4 贴片电阻 0.1R R25 1206 1 5 贴片电阻 1A R28 1812 1 6 贴片电阻 22R R24 0603 1 7 贴片电阻 22R R30 0805 1 8 贴片电阻 100R R3 0805 1 9 贴片电阻 1K R1 R11 R12 R13 R14 0603 5 10 贴片电阻 2.4K R4 0603 1 11 贴片电阻 10K R6 R15 R21 R22 R23 R29 R31 R32 0603 8 12 贴片电阻 43.2KF R46 0603 1 13 贴片电阻 49.9KF R47 R49 0603 2 14 贴片电阻 68KF R27 0603 1 15 贴片电阻 75KF R48 0603 1 16 贴片电阻 100K R2 R16 0603 2 17 贴片电阻 220KF R17 R26 0603 2 18 贴片电阻 1M R5 R7 R18 0603 3 19 贴片电容 47P C1 C7 0603 2 20 贴片电容 103 C4 C8 C9 C13 C14 0603 5 21 贴片电容 104 C2 C5 C11 C16 C17 0603 5 22 贴片电容 226 C3 C6 C10 C12 C15 1206 5 23 贴片电感 3.6UH/3A L1 WBL076 1 24 二极管 1N4148 D1 SOD323 1 25 LED Blue D2 D3 D4 D5 D6 LED 5 26 二极管 SK34 D7 DO214 1 27 MOS 2N7002 Q2 Q5 SOT23 2 28 MOS AO3400 Q3 SOT23 1 29 MOS AO3401 Q4 SOT23 1 30 USB USB J3 USBAFRSMD1 1 31 USB_MINI USB_MINI J4 USBMINIMICRO 1 32 SWPB SWPB S1 SW7X7H 1 10.部件功能说明
上传时间: 2013-11-16
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