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电容器特性

  • 电梯系统中超级电容储能的研究.rar

    电梯在垂直升降的过程中,由于功率变化范围很大,节能潜力巨大。本文主要工作在于结合电梯系统的特点,对超级电容储能系统中超级电容容量需求及其他相关参数的设置进行详细讨论。也对与之配套的双向DC/DC变换器进行研究。 本文在研究了电梯系统的结构和运行特点的基础上,对其运行过程中能量状态的变化进行了详细分析,得到了储能装置中超级电容器容量的计算方法,并在此基础上,根据超级电容器容量需求与系统前级双向整流器功率的关系,提出了一套简单有效的能量管理方案,减少了储能装置中超级电容器的容量需求。并且对于超级电容容量设置给出了一般的原则。 储能装置与系统直流母线之间需要双向变换器进行能量传递,本文对于各种双向直流变换器拓扑的优缺点进行了比较,结合在超级电容储能装置中的具体应用需要,得出BUCK/BOOST型变换器更适合本文中的应用。 本文为储能装置设计了基于DSP(数字信号处理器)全数字控制的具有多种工作方式的双向DC/DC变换器的小功率样机,在电容器放电时,以恒流模式向直流母线输送能量;在电容器充电时,以分段恒流模式或恒压模式进行充电。文中给出了详细的硬件电路以及数字控制部分的设计过程,并通过实验进行了验证。

    标签: 电梯系统 储能 超级电容

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:冇尾飞铊

  • 射频与微波功率放大器设计.rar

    本书主要阐述设计射频与微波功率放大器所需的理论、方法、设计技巧,以及将分析计算与计算机辅助设计相结合的优化设计方法。这些方法提高了设计效率,缩短了设计周期。本书内容覆盖非线性电路设计方法、非线性主动设备建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗变换器、定向耦合器、高效率的功率放大器设计、宽带功率放大器及通信系统中的功率放大器设计。  本书适合从事射频与微波动功率放大器设计的工程师、研究人员及高校相关专业的师生阅读。 作者简介 Andrei Grebennikov是M/A—COM TYCO电子部门首席理论设计工程师,他曾经任教于澳大利亚Linz大学、新加坡微电子学院、莫斯科通信和信息技术大学。他目前正在讲授研究班课程,在该班上,本书作为国际微波年会论文集。 目录 第1章 双口网络参数  1.1 传统的网络参数  1.2 散射参数  1.3 双口网络参数间转换  1.4 双口网络的互相连接  1.5 实际的双口电路   1.5.1 单元件网络   1.5.2 π形和T形网络  1.6 具有公共端口的三口网络  1.7 传输线  参考文献 第2章 非线性电路设计方法  2.1 频域分析   2.1.1 三角恒等式法   2.1.2 分段线性近似法   2.1.3 贝塞尔函数法  2.2 时域分析  2.3 NewtOn.Raphscm算法  2.4 准线性法  2.5 谐波平衡法  参考文献 第3章 非线性有源器件模型  3.1 功率MOSFET管   3.1.1 小信号等效电路   3.1.2 等效电路元件的确定   3.1.3 非线性I—V模型   3.1.4 非线性C.V模型   3.1.5 电荷守恒   3.1.6 栅一源电阻   3.1.7 温度依赖性  3.2 GaAs MESFET和HEMT管   3.2.1 小信号等效电路   3.2.2 等效电路元件的确定   3.2.3 CIJrtice平方非线性模型   3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非线性模型   3.2.5 Materka—Kacprzak非线性模型   3.2.6 Raytheon(Statz等)非线性模型   3.2.7 rrriQuint非线性模型   3.2.8 Chalmers(Angek)v)非线性模型   3.2.9 IAF(Bemth)非线性模型   3.2.10 模型选择  3.3 BJT和HBT汀管   3.3.1 小信号等效电路   3.3.2 等效电路中元件的确定   3.3.3 本征z形电路与T形电路拓扑之间的等效互换   3.3.4 非线性双极器件模型  参考文献 第4章 阻抗匹配  4.1 主要原理  4.2 Smith圆图  4.3 集中参数的匹配   4.3.1 双极UHF功率放大器   4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器  4.4 使用传输线匹配   4.4.1 窄带功率放大器设计   4.4.2 宽带高功率放大器设计  4.5 传输线类型   4.5.1 同轴线   4.5.2 带状线   4.5.3 微带线   4.5.4 槽线   4.5.5 共面波导  参考文献 第5章 功率合成器、阻抗变换器和定向耦合器  5.1 基本特性  5.2 三口网络  5.3 四口网络  5.4 同轴电缆变换器和合成器  5.5 wilkinson功率分配器  5.6 微波混合桥  5.7 耦合线定向耦合器  参考文献 第6章 功率放大器设计基础  6.1 主要特性  6.2 增益和稳定性  6.3 稳定电路技术   6.3.1 BJT潜在不稳定的频域   6.3.2 MOSFET潜在不稳定的频域   6.3.3 一些稳定电路的例子  6.4 线性度  6.5 基本的工作类别:A、AB、B和C类  6.6 直流偏置  6.7 推挽放大器  6.8 RF和微波功率放大器的实际外形  参考文献 第7章 高效率功率放大器设计  7.1 B类过激励  7.2 F类电路设计  7.3 逆F类  7.4 具有并联电容的E类  7.5 具有并联电路的E类  7.6 具有传输线的E类  7.7 宽带E类电路设计  7.8 实际的高效率RF和微波功率放大器  参考文献 第8章 宽带功率放大器  8.1 Bode—Fan0准则  8.2 具有集中元件的匹配网络  8.3 使用混合集中和分布元件的匹配网络  8.4 具有传输线的匹配网络    8.5 有耗匹配网络  8.6 实际设计一瞥  参考文献 第9章 通信系统中的功率放大器设计  9.1 Kahn包络分离和恢复技术  9.2 包络跟踪  9.3 异相功率放大器  9.4 Doherty功率放大器方案  9.5 开关模式和双途径功率放大器  9.6 前馈线性化技术  9.7 预失真线性化技术  9.8 手持机应用的单片cMOS和HBT功率放大器  参考文献

    标签: 射频 微波功率 放大器设计

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:W51631

  • 单级功率因数校正ACDC变换器的研究.rar

    在低功率应用领域中,为了降低成本,单级功率因数校正(PFC)技术越来越受到人们的关注。单级PFC技术是把PFC变换器和DC/DC变换器结合在一起,共用一个开关管和一套控制电路,同时提高功率因数和对输出电压进行快速调节。本文针对单级PFC技术进行了较详细的分析。首先研究了基本Boost型单级PFC变换器,详细分析了其工作原理和特性,指出在现有的单级PFC变换器中,必须解决两个问题,即如何提高变换器的效率和控制中间储能电容电压在450V以下。同时分析了Boost型单级PFC变换器的三端和两端拓扑结构,并讨论了两者之间的联系。接着引用了直接功率传递原理(DPT),研究了一种新型的可实现直接功率传递的单级PFC变换器。详细分析了该变换器的工作原理和特性。该变换器在引入直接功率传递原理的基础上,相对于一般单级PFC变换器来说,具有更高的效率和良好的功率因数校正效果。同时可以将单级PFC变换器中间储能电容电压的值限制在450V以下。最后,本文用仿真分析验证了理论的正确性,证明了这种新型的单级PFC变换器比一般的单级PFC变换器性能更优越。

    标签: ACDC 单级功率 因数校正

    上传时间: 2013-05-19

    上传用户:shenglei_353

  • 功率电源中IGBT失效机理及其检测方法的研究.rar

    由于绝缘栅双极晶体管IGBT具有工作频率高、处理功率大和驱动简单等诸多优点,在电力电子设备、尤其是中大型功率的电力电子设备中的应用越来越广泛。但是,IGBT失效引发的设备故障往往会对生产带来巨大影响和损失,因此,对IGBT的失效研究具有十分重要的应用意义。 本文在深入分析IGBT器件工作原理和工作特性的基础上,采用双极传输理论联立求解电子和空穴的传输方程,得到了稳态时电子和空穴电流的表达式,对造成IGBT失效的各种因素进行了详细分析。应用MATLAB软件,对硅参数的热导率、载流子浓度、载流子寿命、电子迁移率、空穴迁移率和双极扩散系数等进行了仿真,深入研究了IGBT的失效因素,得到了IGBT失效的主要原因是发生擎住效应以及泄漏电流导致IGBT延缓失效的有用结论。并且,进行了IGBT动态模型的设计和仿真,对IGBT在短路情况下的失效机理进行了深入研究。 考虑到实际设备中的IGBT在使用中经常会发生反复过流这一问题,通过搭建试验电路,着重对反复过流对IGBT可能带来的影响进行了试验研究,探讨了IGBT因反复过流导致的累积失效的变化规律。本文研究结果对于正确判断IGBT失效以及失效程度、进而正确判断和预测设备的可能故障,具有一定的应用参考价值。

    标签: IGBT 功率电源 失效机理

    上传时间: 2013-08-04

    上传用户:lrx1992

  • 开关电源电流检测技术研究.rar

    在功率电路中,电压的检测相对于电流的检测要简单和容易得多。电压的检测可以很方便地进行而不会对电路性能产生明显影响;而对电流的检测却要复杂得多,电流的检测必须引入测量电流的检测器,检测器的引入将影响电路的性能。根据具体的电路,选择合适的电流检测方案,并进行正确的电路设计,是功率电路设计成败的关键之一。 在开关电源设计中,电流检测技术起着至关重要的作用,是开关电源设计成功与否的关键因素。本文首先详细分析和比较了目前开关电源中常用的电阻检测、磁检测、MOSFET检测等几种电流检测方法。并根据各自的特点,将各种技术加以区别,为各种开关电源选择合适的检测技术指明了方向。在此基础上,本文提出了两种适用于电流型控制开关电源的新型电流检测电路。该电路结合了场效应晶体管导通电阻特性和电流镜像原理,能即时、快速地检测流过功率开关管的电流,以有效地进行开关控制和过流保护。论文最后还介绍了一种无检测电路的控制,并提出了一种分析无电流传感器控制斜坡补偿的分析方法,从理论上证实了电流型控制斜坡补偿的意义。

    标签: 开关电源 电流检测 技术研究

    上传时间: 2013-06-07

    上传用户:jjq719719

  • 智能低压TSC动态无功补偿装置的研究.rar

    在电力系统中,无功功率是影响电网稳定的一个重要因素,它关系到整个电力系统能否安全稳定的运行,无功补偿是保证电力系统高效可靠运行的有效措施之一。基于国内电力市场的需求现状,考虑到无功补偿的实现条件和经济适应性,研制出了一种基于DSP TMS320LF2407A控制的TSC型低压动态无功补偿装置。该装置以实时的电网监测数据为依据,以低压网的最佳无功补偿为对象。 本文主要研究了TSC无功补偿的基本原理,无功补偿的控制方式和原理,以及控制器的软、硬件的设计。在硬件设计方面,由DSP TMS320LF2407A作为主控制器,能够实现自动采样计算、无功自动调节、故障保护、数据存储等功能,具有比传统的单片机控制运算速度高,实时性好的特点。采用晶闸管控制投切电容器,完全实现了电容器的快速,无弧,无冲击投切,具有优良的性能。在软件上,采用C语言和汇编语言混合编程,遵循模块化设计原则,提高了系统的通用性和维护的简易程度。在投切原则上,与常见的功率因数控制方案相比较,采用电压无功复合控制,避免了轻载投切振荡,使无功调节更为合理。为了实现装置应具有的功能,本文设计并制作了较为完整的控制电路及其外围设备的硬件电路。它们包括触发电路、采样电路及通讯电路等。文中设计编写了整个控制系统的控制程序,给出了控制软件的结构框图。在本文中,还设计了电容器保护电路,以及装置在电网谐波含量超标时采取的保护措施。实验结果表明,本装置软硬件设计合理,控制方法可行,系统运行可靠,达到了预期的目的。

    标签: TSC 智能低压 动态

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:zaizaibang

  • 本质安全型单端反激变换器的分析与设计.rar

    应用于煤矿、石化等易燃易爆环境的电子设备必须满足防爆的要求,本质安全型是最佳的防爆形式。本质安全型开关电源具有重量轻、体积小、制造工艺简单、成本低、安全性能高等优点,因而具有广阔的发展前景。单端反激变换器是开关变换器的一种基本的拓扑结构,在实际中应用比较广泛,因此对单端反激变换器进行本质安全特性分析是本质安全开关电源设计的重要基础。本质安全型开关变换器的设计,主要是对变换器中的储能元件进行设计,即变换器中的电感和输出滤波电容进行设计。 本文对变换器的静态特性进行了深入分析,指出反激变换器存在三种工作模式:CISM-CCM、IISM-CCM和DCM:得出了变换器工作在整个动态范围内的最大输出纹波电压、最大电感电流和最大输出短路释放能量。对单端反激变换器的本质安全特性进行了分析,得出输出本质安全型单端反激变换器的非爆炸判断方法,并通过安全火花试验装置对变换器进行爆炸性试验,验证了输出本安判据的正确性。得出输出本质安全型单端反激变换器的设计方法,以同时满足输出纹波电压和输出本安要求作为约束条件,得到了本质安全型单端反激变换器电感、电容参数的设计范围。给出了具体实例,并进行仿真和试验研究,仿真和实验结果验证了理论分析的正确性和设计方法的可行性。

    标签: 本质安全 单端反激

    上传时间: 2013-06-25

    上传用户:水中浮云

  • 有机电致发光显示器件新型封装技术及材料的研究.rar

    有机发光显示器件(OrganicLight-EmittingDiodes,OLEDs)作为下一代显示器倍受关注,它具有轻、薄、高亮度、快速响应、高清晰度、低电压、高效率和低成本等优点,完全可以媲美CRT、LCD、LED等显示器件。作为全固化显示器件,OLED的最大优越性是能够与塑料晶体管技术相结合实现柔性显示,应用前景非常诱人。OLED如此众多的优点和广阔的商业前景,吸引了全球众多研究机构和企业参与其研发和产业化。然而,OLED也存在一些问题,特别是在发光机理、稳定性和寿命等方面还需要进一步的研究。要达到这些目标,除了器件的材料,结构设计外,封装也十分重要。 本论文的主要工作是利用现有的材料,从绿光OLED器件制作工艺、发光机理,结构和封装入手,首先,探讨了作为阳极的ITO玻璃表面处理工艺和ITO玻璃的光刻工艺。ITO表面的清洁程度严重影响着光刻质量和器件的最终性能;ITO表面经过氧等离子处理后其表面功函数增大,明显提高了器件的发光亮度和发光效率。 其次,针对光刻、曝光工艺技术进行了一系列相关实验,在光刻工艺中,光刻胶的厚度是影响光刻质量的一个重要因素,其厚度在1.2μm左右时,光刻效果理想。研究了OLED器件阴极隔离柱成像过程中的曝光工艺,摸索出了最佳工艺参数。 然后采用以C545T作为绿光掺杂材料制作器件结构为ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm):C545T(2.1%掺杂比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的绿光OLED器件。最后基于以上器件采用了两种封装工艺,实验一中,在封装玻璃的四周涂上UV胶,放入手套箱,在氮气保护气氛下用紫外冷光源照射1min进行一次封装,然后取出OLED片,在ITO玻璃和封装玻璃接口处涂上UV胶,真空下用紫外冷光源照射1min,固化进行二次封装。实验二中,在各功能层蒸镀完成后,又在阴极的外面蒸镀了一层薄膜封装层,然后再按实验一的方法进行封装。薄膜封装层的材料分别为硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)。分别对两种封装工艺器件的电流-电压特性、亮度-电压特性、发光光谱及寿命等特性进行了测试与讨论。通过对比,研究发现增加薄膜封装层器件的寿命比未加薄膜封装层器件寿命都有所延长,其中,Se薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.4倍,Te薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了两倍多,Sb薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.3倍,研究还发现薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能。最后,分别对三种薄膜封装层材料硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)进行了研究。

    标签: 机电 发光 显示器件

    上传时间: 2013-07-11

    上传用户:liuwei6419

  • 液晶显示器控制系统研究与设计.rar

    现代社会,以计算机技术为核心的信息技术迅速发展,信息容量呈爆炸式的增长,人们获得的信息的途径也越来越多,这其中人类获得的视觉信息很大部分是从各种各样的电子显示器件上获得的,随着微电子技术和材料工业的进步,图像显示技术飞速发展,出现了多种新型显示器,其中一些在显示品质上已经接近或者超过了传统的阴极射线管显示器(CRT),同时这些显示器件满足设备了小型化和低功耗的要求。 经过二十多年的研究、竞争和发展,平板显示器件尤其是液晶显示器件(LCD)已经脱颖而出大规模的进入市场,成为新世纪显示器件的主流。其中TFT-LCD是目前唯一在亮度、对比度、功耗、寿命、体积和重量等综合性能上全面赶上和超过CRT的平板显示显示器件。它的性能优良、大规模生产特性好,自动化程度高,原材料成本低廉,发展空间广阔,迅速成为新世纪的主流产品,是21世纪全球经济增长的一个亮点。 本论文在深入理解了LCD显示机理,尤其是TFT-LCD的显示驱动原理的基础上,利用纬视晶公司提供的TFT液晶模块,以嵌入式目前比较常用的FPGA系列芯片中的EP1C6Q240C6为核心设计制作出了由单片机(MCU)+可编程逻辑器件(FPGA-FieldProgrammableGateArray)+SRAM的液晶显示控制系统。文章阐述了该控制系统从硬件选型,到系统模块硬件电路设计以及系统软件设计的整个过程。该控制系统的功能模块主要包括:电源模块、可编程逻辑器件模块、微处理器模块、静态RAM模块以及触摸屏控制模块。其中微控制器模块采用C语言编程,实现对液晶屏得数据传以及其它控制功能,可编程逻辑器件(FPGA)模块采用VHDL语言编程,实现对屏的时序控制,最终实现对液晶屏图像显示的控制。最后通过对使用该控制板点亮的液晶屏进行光学测试验证了这种设计方案的可靠型和稳定性。 本设计具有较大的实用价值,可为以后液晶屏控制系统的研制提供参考。

    标签: 液晶 显示器控制 系统研究

    上传时间: 2013-07-22

    上传用户:s蓝莓汁

  • LLC谐振DCDC变换器的研究.rar

    随着信息技术的发展,通信和计算机等领域的DC/DC电源变换技术在电源行业占有很重要的市场。为了能满足电源系统良好的性能和可靠性,分布电源系统(DPS)被广泛应用于电信、计算机等领域。DPS具有模块化,可靠性和维护性等优点。 本文讨论了软开关技术的种类和发展趋势,介绍了三种传统的软开关谐振变换器,通过理论分析和仿真,总结了三种传统谐振变换器的优缺点。在此基础上,设计了一种新型的LLC串联谐振变换器。此变换器可实现原边开关管在零电压条件下开通、输出端的整流管零电流条件下关断,因而可实现极高的转换效率。由于电路充分地利用了变压器的励磁电感和开关管的寄生参数,可使变换器在宽输入电压范围和全负载下实现软开关。此外,利用变压器漏感和功率MOS管的寄生电容进行谐振,可有效地降低输出整流管的电压应力,提高抗EMI的性能。因此,在相同的设计规格下,LLC谐振变换器可以选取电压和电流等较低的功率开关管和整流二极管,进而减小开发成本。 结合PSPICE仿真和实验调试,论文详细介绍了LLC串联谐振变换器工作原理,详细讨论了谐振参数、输入电压和负载对变换器性能的影响;根据参数设计步骤和特性分析,设计了LLC串联谐振变换器各组成电路;最后设计了24V/8A-200KHz的DC/DC电源模块,通过实验,其结果验证了该拓扑在全负载下均能实现软开关,效率高等良好特性。

    标签: DCDC LLC 谐振

    上传时间: 2013-05-20

    上传用户:dialouch