由于Boost变换器的电感位于电路的输入端，通过控制电感电流就可方便地对输入电流实施控制，因此在开关电源中，常被用作功率因数校正(H1C)的前级[1。4】。Boost变换器在低电压、便携式的电子产品领域也应用广泛【5。6J。此外，由于其功率开关管一端与电源共地，其驱动电路设计更容易，因此众多的研究人员一直在不懈地探索Boost变换器拓扑结构的改善措施[7-10]和提高其性能的控制方法[11-12
上传时间： 2013-11-08
上传用户：hustfanenze
针对人们使用手机数量日益增长，设计了专门修复手机电池的修复仪，可使手机电池的使用寿命增长。该修复仪既节省成本，又环保，对当今的浪费型社会可提供了很大的作用。也对各大学电类专业学生的学习有很大的帮助，既提高了学生的动手能力，又巩固了理论课的学习。电路主要分为放电和充电部分，均采用电压比较器来控制充放电时间。在充电过程中采用脉冲信号对电路进行充电
上传时间： 2013-10-31
上传用户：cooran
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
目前的有源电力滤波器通常是采用基于瞬时无功功率理论的谐波电流检测方法。其中的ip-iq算法需要用到与电网电压同步的正余弦信号，即与电网电压同频同相的标准正余弦信号。该信号的获取可以采用锁相环加正余弦函数发生器的方法，也可采用软件查表的方法。本设计采用全硬件电路完成，即通过锁相环加正弦函数发生器的方法，可自动实时跟踪电网电压的频率和相位，不占用微处理器的软、硬件资源，大大降低了谐波检测算法编程的复杂度。
上传时间： 2013-10-22
上传用户：wxnumen
电源测试分为输出指标测试及保护特性测试两大部分.输出指标特性测试是根据设计指标,测试在输入不同的输入电压的状况下,改变输出电源的负载状况,同时测试输出端口电压,进行计算,判断电压调整率,负载调整率,稳压精度是否在合格范围内.
上传时间： 2014-12-24
上传用户：浅言微笑
1.1 特征1.2 稳定度1.3 反电动势1.4 电容C的充放电电流与电感L的充放电电压1.5 无变压器的最简单开关稳压电源1.5.1 降压型开关稳压电源1.5.2 升压型开关稳压电源1.5.3 极性反转型开关稳压电源1.6 iE激式电路与回扫式电路1.7 输入电压与输出功率决定的电路方式1.7.1 输入电压低的场合1.7.2 输入电压高的场合1.7.3 小功率的场合
标签： 开关稳压电源
上传时间： 2013-11-19
上传用户：laozhanshi111
载波相移SPWM 调制法目前是级联型逆变器的主流调制方法，其等效载波频率高，谐波特性好，功率单元之间输出功率平衡。而移相空间矢量调制法基于传统的两电平空间矢量调制法，并采用载波移相的思想，因此兼有空间矢量法和载波相移SPWM 法的优势，谐波特性好，电压利用率高，且控制方法简单便于数字实现，可与矢量控制和直接转矩控制等各种现代方法相结合应用于电机的变频调速系统中。本文以三级级联型逆变器为例对载波相移SPWM 调制法和移相空间矢量调制法分别进行了研究，通过仿真对比，总结出移相空间矢量调制法与载波相移SPWM 调制法的异同和所具有的优势。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：元宵汉堡包
通用变频器能量回馈PWM控制系统是一种采用有源逆变方式把电动机减速制动时产生的再生能量回馈电网的装置。它可以克服通用变频器传统制动电阻方式低效、难以满足快速制动和频繁正反转的不足,使通用变频器可在四象限运行。本文首先回顾了变频调速能量回馈控制技术的发展历史及现状,并介绍了常见的两个方案。
上传时间： 2013-11-12
上传用户：paladin
基于模糊控制技术的变电站电压无功控制方法已经得到广泛的应用，选择合适的控制方法对控制目标的实现至关重要。本文提出了两种变电站电压无功模糊控制系统，选取了实例用Matlab进行仿真，比较仿真结果选取了适合实际的控制系统。
上传时间： 2013-11-20
上传用户：hanhanhan
摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV，是一种有效的基准电压实现方法.关键词：带隙基准电压源；电源抑制比；温度系数
上传时间： 2013-11-19
上传用户：王成林。
