理论分析

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根据晶体场理论,利用3d9离子在四角对称(伸长八面体)中自旋哈密顿参量g因子的四阶微扰公式以及超精细结构常数A因子的三阶微扰公式,对掺Cu2+的LaSrAlO4晶体的自旋哈密顿参量作出了理论分析

2024-01-27 7 理论分析

本文提出了一种基于时分复用网络与频率域复用技术相结合的强度调制型传感器系统的新方法; 介绍了其设计原理和工作方法, 并分析和计算出强度受调制的两路光的通光率, 同时就减少系统串扰进行了论证.关

2024-01-25 10 理论分析