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LaSrAlO4中Cu2+的自旋哈密顿参量的理论分析 - 资源详细说明
根据晶体场理论，利用3d9离子在四角对称(伸长八面体)中自旋哈密顿参量g因子的四阶微扰公式以及超精细结构常数A因子的三阶微扰公式，对掺Cu2+的LaSrAlO4晶体的自旋哈密顿参量作出了理论分析
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