CMOS和TTL电路探讨
通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。...
片式电容技术资料
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片式电容具有片式电容，容易片式化等特点，是当今移动通信设备、计算机板卡以及家电遥控器中使用最多的元件之一。
🔥 片式电容热门资料
查看全部1194个资源 »寄生电容在升压变压器中的设计应用
One of the most critical components in a step-up design like Figure 1 is the transformer. Transformers have parasitic components that can cause them...
压控振荡电路的设计
能实现VCO 功能的电路很多，常用的有分立器件构成的振荡器和集成压控振荡器。如串联谐振电容三点式电路、压控晶体振荡器，积分-施密特电路、射级耦合多谐振荡器、变容二极管调谐LC 振荡器和数字门电路等几种。它们之间各有优缺点，下面做简要分析，并选择最合适的方案。 ...
MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型 Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相...
低功耗高速跟随器的设计
提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明，在典型的转角下，打开2个辅助模块时，静态功耗约为35 μA；关掉辅助模块时，主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时，屏幕上的...
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