这是一篇哈尔滨工业大学2012年 物理电子学工学博士的毕业论文。相干多普勒激光雷达是测量遥感风场和运动目标速度的有力工具。相干多普勒激光雷达的发射源普遍使用单纵模激光器，而锁模激光所具有的宽频谱、窄脉宽、高峰值功率等特性使其在作为相干激光雷达发射源方面具有潜在的应用价值。本文从理论上和实验上对基于锁模激光的相干多普勒激光雷达进行了研究。 理论上，在单频外差探测原理的基础上，考虑了具有 m+1 个模式、纵模间隔为 ω 的本振光，与发生了 Δω 频移的信号光相干拍频后的理论模型，证明了相位差恒定的锁模激光可以实现相干混频，并可以通过低通滤波或 FFT 频谱分析的方式检测出差频信号。利用这一理论模型进行了数值模拟计算，分析了信号光在不同的频移值时的拍频波形，讨论了实现相干探测本振光与信号光应满足的条件。 基于相干多普勒激光雷达系统对发射光源的要求，进行了锁模激光器的实验研究。通过使用不同的锁模器件得到锁模激光输出，其中主动锁模和调 Q 主动锁模都获得了单脉冲宽度在百皮秒量级、锁模深度 100%、锁模几率 95%以上的稳定的锁模脉冲序列输出。对被动锁模、主动锁模、调 Q 主动锁模的激光输出特性进行了对比研究，主动锁模脉冲序列包络时间较长但峰值功率较低，而调 Q 主动锁模峰值功率高但包络时间较短，不同类型的激光输出为后续的相干测速实验提供了多种选择。 利用声光移频器模拟外差探测中信号光发生的多普勒频移，进行了锁模激光拍频实验研究，并与单纵模激光拍频实验结果进行了比较。使用锁模激光在频移为 30 ~ 80 MHz 的范围内进行了拍频实验研究，拍频波形及信号处理的结果均与理论分析相符， 测量结果的相对误差在 0.5%以下。 分别使用脉宽为 10 ns和 16 ns 的调 Q 单纵模脉冲进行拍频，在信号光频移为 150 MHz 时测量结果的相对误差分别为 3.7%和 1.6%。对比实验结果发现，调 Q 单纵模脉冲由于有限的脉宽限制了拍频后包络的数量，导致误差相对较大，而锁模脉冲序列由于具有较长包络时间，在测量较低频移值时仍具有较高的精度，即测量低速目标时更具有优势。在具有较长包络时间的同时，锁模激光还具有高峰值功率和窄脉宽的特点。使用光纤耦合的方式进行了相干拍频实验，得到了稳定的相干拍频波形，FFT 频谱分析的结果与设定值和理论分析相符。
标签： 激光雷达
上传时间： 2022-02-12
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该问题由某客户提出，发生在STM32F103VDT6 器件上。据其工程师讲述：在其产品中，需要使用STM32 的 ADC 对多路模拟信号进行同步采样。在具体的实现上，采用了 ADC 常规通道的扫描模式来完成这一功能。然而，在调试中过程中发现一个奇怪的现象：当将各路模拟信号的电平设置成相同时，ADC 对各路模拟信号的转换结果相同，用 A 来表示。改变其中一路模拟信号的电平，并保持其各路模拟信号的电平不变，则 ADC 对该路信号的转换结果变为 B。然而，此时与其在扫描次序上相邻的下一路模拟信号的转换结果也发生
标签： adc
上传时间： 2022-02-21
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论文-基于UC3843的反激式开关电源反馈电路的设计 摘要 : 介绍了 UC3843 的工作特点 ,利用 UC3843 设计了反激式开关稳压电源 ,分析了新型反馈电路的工作过程及优 点 ,与传统方法相比 ,此方法使电源的动态响应更快 ,调试更简单。最后提出了反馈电路详细的设计方法 ,仿真结果证明 了设计的可行性。 0 引 言 UC3843 是高性能固定频率电流模式控制器 ,专 为低压应用而设计 ,广泛用于 100 W 以下的反激式开 关电源中。目前大多数开关电源都采用离线式结构 , 一般从辅助供电绕组回路中通过电阻分压取样 ,该反 馈方式的电路简单 ,但由于反馈不能直接从输出电压 取样 ,没有隔离 ,抗干扰能力也差 ,所以输出电压中仍 有 2 %的纹波 ,对于负载变化大和输出电压变化大的 情况下响应慢 ,不适合精度要求较高或负载变化范围 较宽的场合[ 1 ] ,为了解决这些问题 ,可以采用可调式精 密并联稳压器 TL431 配合光耦构成反馈回路。 1 UC3843 简介[ 2]
上传时间： 2022-02-23
上传用户：kingwide
随着光通信的蓬勃发展，光纤通信技术广泛应用于电信、电力、广播等领域，对整个信息产业产生了深远影响，光纤已成为当前最有前景的传输媒介。与此同时，光纤測试技术在光纤生产、现场铺设与后期维护等工程领域中得到广泛应用。光时域反射仪（Optical Time Domain Reflectometer），又称背向散射仪，是一种用于表征光纤链路物理特性的精密光学测试仪器，主要用于测试光纤链路长度，精确定位断点事件，计算光纤损耗，并提供与长度有关的衰减细节。光纤链路中待测光纤的测量长度范围和测量精度，取决于OTDR的激光出纤功率和光脉宽。因此，需要设计合适的激光脉冲驱动电源及配套的控制和探测系统，研究激光出纤功率和脉宽对测量长度和测量精度的影响，从而获得能满足不同光纤链路测量需求的OTDR系统解决方案。文章在具体描述了光时域反射仪的工作机理以及影响其主要性能的关键参数的基础上，提出以设计能提供大功率、窄脉冲电流信号的激光驱动电源作为提高OTDR性能的主要手段。在掌握半导体激光驱动原理的基础上，经过细致地比较与方案论证提出以 MOSFET作为激光脉冲驱动电源的开关器件，以能量储存法作为窄脉冲产生机制的脉冲电源设计方案，设计实现基于FPGA的触发脉冲信号，并通过 Multisim对系统硬件电路仿真优化，实现激光脉冲驱动大功率、窄脉宽输出。以雪崩二极管作为光电探测系统关键响应转换器件验证驱动电源性能，并完成光纤测距。最终成功研制出一套基于纳秒脉冲激光和对应光电探测系统的OTDR系统，并进行了实际测试测试和研究结果显示：所研制的脉冲激光电源能输出的最小脉宽为33n，最小输出峰值电流为1A，且峰值电流及频率大小可调。大电流窄脉宽驱动电源信号输出可极大地增强光时域反射仪的动态范围以及分辨率，探测器分时调控测量技术可以极大地提高系统的测量精度和信噪比。
上传时间： 2022-03-11
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LED 数码管 LCD屏等显示器件Altium Designer AD原理图库元件库CSV text has been written to file : 9.2 - 显示器件.csvLibrary Component Count : 64Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------1588A 共阴单色LED8*8点阵屏1588B 共阳单色LED8*8点阵屏2811A 0.28寸1位共阴数码管2811B 0.28寸1位共阳数码管2821A 0.28寸2位共阴数码管2821B 0.28寸2位共阳数码管2831A 0.28寸3位共阴数码管2831B 0.28寸3位共阳数码管4041A 0.4寸4位共阴数码管4041B 0.4寸4位共阳数码管5011A 0.5寸1位共阴数码管5011B 0.5寸1位共阳数码管5021A 0.5寸2位共阴数码管5021B 0.5寸2位共阳数码管5421A-M 0.54寸米字2位共阴数码管5421B-M 0.54寸米字2位共阳数码管5611A 0.56寸1位共阴数码管5611B 0.56寸1位共阳数码管5621A 0.56寸2位共阴数码管5621B 0.56寸2位共阳数码管5631A 0.56寸3位共阴数码管5631B 0.56寸3位共阳数码管5641A 0.56寸4位共阴数码管5641B 0.56寸4位共阳数码管8011A 0.8寸1位共阴数码管8011B 0.8寸1位共阳数码管8021A 0.8寸2位共阴数码管8021B 0.8寸2位共阳数码管8031A 0.8寸3位共阴数码管8031B 0.8寸3位共阳数码管8041A 0.8寸4位共阴数码管8041B 0.8寸4位共阳数码管CH12864I 12864 点阵屏JLX12864G-086 12864 点阵屏JLX12864G-1353-PN 12864 点阵屏JLX12864G-200 12864 点阵屏LCD 1602 LCD 1602LCD7X18 LCD7X18数码屏带背光OLED 1.3-12864_7pin 12864 点阵屏TFT1.5_39P 128*128TXD144CF 1.44寸TFTTXD144CF-modules 1.44寸TFLibrary Component Count : 14Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------LED RG-A 共阳双色LEDLED RG-K 共阴双色LEDLED-3MM 插件LEDLED-5MM 5mm插件LEDLED-8MM 8mm插件LEDLED-F234 方形LEDLED-F257 方形LEDLED-RGB 三基色LEDLED-RGB-3528 三基色LEDLED-SH-5MM 5mm草帽LEDLED-SMD 贴片LEDLED-SMD-RG 贴片双色LEDLED-SMD_1W 大功率LEDLED-SMD_3W 大功率LEDSV text has been written to file : 9.3 - 数码管.csvLibrary Component Count : 54Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------2811A 0.28寸1位共阴数码管2811B 0.28寸1位共阳数码管2821A 0.28寸2位共阴数码管2821B 0.28寸2位共阳数码管2831A 0.28寸3位共阴数码管2831B 0.28寸3位共阳数码管2841A 0.28寸4位共阴数码管2841B 0.28寸4位共阳数码管3611A 0.36寸1位共阴数码管3611B 0.36寸1位共阳数码管3621A 0.36寸2位共阴数码管3621B 0.36寸2位共阳数码管3631A 0.36寸3位共阴数码管3631B 0.36寸3位共阳数码管3641A 0.36寸4位共阴数码?
标签： led Altium Designer
上传时间： 2022-03-13
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费恩曼（R．P．Feynman）1918年生于布鲁克林区，1942年在普林斯顿获得博士学位。第二次世界大战期间在洛斯阿拉莫斯，尽管当时他还很年轻，但已在曼哈顿计划中发挥了重要作用。以后，他在康奈尔大学和加利福尼亚理工学院任教。1965年，因他在量子电动力学方面的工作和朝永振一郎及施温格（J．Schwinger）同获诺贝尔物理学奖。费因曼博士获得诺贝尔奖是由于成功地解决了量子电动力学理论问题，他也创立了说是液氦中起流动性现象的数学理论。此后，他和盖尔曼（M.Gell-Mann）在B衰变等弱相互作用领域内做出了奠基性的工作。在以后的几年里，他在夸克理论的发展中起了关键性的作用，提出了他的高能质子碰撞过程的部分子模型。除了这些成就之外，费恩曼博士将新的基本计算技术及记号法引时物理学，首先是无处不在的费恩曼图，在近代科学历史中，它比任何其他数学形式描述都更大地改变了对基本物理过程形成概念及进行计算的方法。费恩曼是一位卓越的教育家。在他区得的许多奖项中，他对1972年获得的奥斯特教学奖章特别感到自豪。在1963年第一次出版的《费恩曼物理学讲义》被《科学叛国人》杂志的一位评论员描写为“咬不动但富于营养并且津津有味。25年后它仍是教师和最好的初学学生的指导书”。为了使外行的公众增加对物理学的了解，费恩曼博士写了《物理定律和量子电动力学的性质：光和物质的奇特理论》。他还是许多高级出版物的作者，这些都成为研究人员和学生的经典参考书和教科书。费恩曼是一个活跃的公众人物。他在挑战者号调查委员会里的工作是从所周知的，特别是他的著名的O型环对寒冷的敏感性的演示，这是一个优美的实验，除了一杯冰水以外其他什么也不需要。费恩曼博士1960年在加利福尼亚州课程促进会中的工作却很少人知道，他在会上抨击了教材的平庸。仅仅罗列费恩曼的科学和教育成就并没有恰当抓信这个人的本质。即使是他 最最技术性的出版物的读者都知识道，费恩曼活跃的多面的人格在他所有的工作中都闪闪发光。除了作为物理学家，在各种不同的场合下他变成不同的人物：有进是无线电修理工，有时是锁具收藏家，艺术家、舞蹈家、邦戈（bongo）鼓手，甚至玛雅象形文字的解释者。对他的世界人们永远好奇，他是一个典型的经验主义者。费恩曼于1998年2月15日在洛杉矶逝世。
标签： 物理学
上传时间： 2022-04-24
上传用户：得之我幸78
STM32 F1系列 MCU ATIUM AD集成库 原理图库 PCB 3D封装库文件,STM32F1XXXXX全系列原理图+PCB封装库文件，共209个器件型号，CSV text has been written to file : STM32 F1.csvLibrary Component Count : 209Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------STM32F100C4T6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 16 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100C4T7B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 16 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +105癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100C6T6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100C6T6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 48-Pin LQFP, Tape and ReelSTM32F100C6T7B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +105癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100C8T6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 64 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100C8T6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 64 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 48-Pin LQFP, Tape and ReelSTM32F100CBT6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 128 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100CBT7B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 128 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +105癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100R4H6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 16 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin TFBGA, TraySTM32F100R4T6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 16 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100R4T6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 16 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, Tape and ReelSTM32F100R6H6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin TFBGA, TraySTM32F100R6T6 STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100R6T6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100R6T6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin TFBGA, Tape and ReelSTM32F100R8H6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 64 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin TFBGA, TraySTM32F100R8T6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 64 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100R8T6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 64 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, Tape and ReelSTM32F100RBH6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 128 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin TFBGA, TraySTM32F100RBH6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 128 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin TFBGA, Tape and ReelSTM32F100RBT6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 128 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100RBT6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 128 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, Tape and ReelSTM32F100RCT6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 256 kB Flash, 24 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100RDT6 STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 384 kB Flash, 32 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100RDT6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 384 kB Flash, 32 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100RET6 STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 512 kB Flash, 32 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100RET6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 512 kB Flash, 32 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-
上传时间： 2022-04-30
上传用户：jiabin
本文件包括了一系列应力测试失效机理、 最低应力测试认证要求的定义及集成电路认证的参考测试条件。 这些测试能够模拟跌落半导体器件和封装失效， 目的是能够相对于一般条件加速跌落失效。 这组测试应该是有区别的使用，每个认证方案应检查以下： a、任何潜在新的和独特的失效机理；b、任何应用中无显现但测试或条件可能会导致失效的情况；c、任何相反地会降低加速失效的极端条件和应用 。使用本文件并不是要解除 IC 供应商对自己内部认证项目的责任性， 其中的使用者被定义为所有按照规格书使用其认证器件的客户， 客户有责任去证实确认所有的认证数据与本文件相一致。 供应商对由其规格书里所陈述的器件温度等级的使用是非常值得提倡的。 此规格的目的是要确定一种器件在应用中能够通过应力测试以及被认为能够提供某种级别的品质和可靠性。 如果成功完成根据本文件各要点需要的测试结果， 那么将允许供应商声称他们的零件通过了 AEC Q100认证。供应商可以与客户协商，可以在样品尺寸和条件的认证上比文件要求的要放宽些， 但是只有完成要求实现的时候才能认为零件通过了 AEC Q100认证。
上传时间： 2022-05-08
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本设计采用EM78P156E单片机作为暖风机整机工作的控制核心，采用sC6121实现红外遥控编码规则实现红外解码，红外信号的接收采用了具有感光原理的红外一体化的红外接收头。本设计用IT1621芯片取代了直接利用单片机1/0口驱动LCD显示，使LCD的驱动更加方便灵活，接线更为简单，达到实时显示温度的目的。本设计采用RC充放电原理实现对加热温度的测量，比起用热敏电阻成本要低得多。六路按键选择实现了暖风机的实时显示时间，电阻丝加热，高温，低温，风速的大小的选择。暖风机的摇头和吹风部分由单片机控制继电器来控制。用遥控控制的暖风机的实用性，灵活性都更强。由于暖风机具有体积小，散热快的优点，是近些年才流行起来的。为大多数家庭认识和接受。带液晶显示屏的可遥控暖风机，越来越受到用户的欢迎，由于它采用红外遥控设备，并配合液晶屏显示，大大方便了产品的使用。关键字：红外编码；红外解码；EM78P156单片机：LCD显示；驱动暖风机分为工业用，家用两大类。随着社会的发展暖风机在汽车上的应用也日益广泛。工业用暖风机主要用来给元器件加热，加热塑料使其软化（例如电热枪）和在工厂里取暖等。家用暖风机采用直热式取暖，广为家庭使用俗称“小太阳”。家用暖风机可直接感受热源且热辐射能力强，也可用在室外做小面积的取暖，弥补了空调必须在封闭环境下使用的缺点。汽车用暖风机也主要用在取暖方面。1.1 暖风机的概述暖风机以空气对流式加热和电热元件加热两种加热方式为主，采用风机强空气对流加热的液晶遥控暖风机，是近些年才流行起来的。为大多数家庭认识和接受。暖风机特点：1、体积小，热功效高，节能，安全性能高。2、高抗振性好，坚固耐用，无光、无明火、不易燃。3、防水，防病溅暖风机的功率，款式及功能：功e，暖风机功率大致在800-2000w之向使用面积也比较大。暖风机升温比较快。B.款式：有台式、落地式、壁挂式和台挂两用式四种。暖风机的款式以台式，壁挂式和台挂式为主。C.功能：有手动旋钮、接钮型、程控型、遥控型和语音提示型。在保护功能方面：有防跌倒断电、防过电流、过热保护、防水、防滴溅保护。
上传时间： 2022-06-18
上传用户：xsr1983
摘要本文以音响放大系统为研究对象，以电子技术基本理论为基础，结合当前模拟电子应用技术，对音响放大系统进行了分析和研究，针对现代人群对功放效率的要求和特征，设计出该音响放大系统。音响的音质是音响最重要的环节，由于我国在高级音响的设计上起步较晚，对新技术的开发与应用远远落后于国外的发大国家，从放大电路的设计，扬声器的设计，对音像的还原，降低信噪比，低音的厚重感等等都远远超出我国自主产品，但是我国的音响企业已认识到技术的不足，正在加大研发的投入，培养技术人才，努力学习和赶超国外的先进技术。本文对现代高级音响设计的工艺有初步的了解，研究高级音响设计的电路组成，能够理解电路图的原理，对新技术、新知识进行研究学习，并将所学用于实践在现代音有普及中，人们因生活层次、文化习俗、音乐修养、欣赏口味的不同，令对相通电气指标的音响设备得出不同的评价。所以，就高保真度功放而言，应该达到电气指标与实际听音指标的平衡与统一。随者技术的发展，人民生活水平的提高，人们对音频技术的功放的效率要求随之提高。模拟的功率放大器经过了几十年的发展，在这方面的技术已经相当成熟。正因为这样，数字功放应运而生。近年来，利用脉宽调剂原理设计的D类功放也进入了音响领域".国外半导体一直专注于研发高性能的放大器与比较器，目前已成功推出一系列型号齐全的运算放大器，其中包含基本的芯片以及特殊应用标准产品（ASSP），以满足市场上对高精度、高速度、低电压及低功率放大器的需求。另外国外在数字音频功率放大器领城进行了二三十年的研究，六十年代中期，日本研制出8bit数字音频功率发大器。1893年，M.B.Sandler等学者提出D类数字PCM功率发大器的基本结构。主要是围绕如何将PCM信号转化为PWM信号。把信号的幅度信号用不同的脉冲宽度来表示。此后，研究的焦点是降低其时钟频率，提高音质。随若数字信号处理（DSP）技术和新型功率器件及应用的发展，开始实用化的16位数字音额功放成为可能。
标签： 音响电路
上传时间： 2022-06-18
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