：消落带土壤由于在水陆交替的特殊生境和复杂的地球化学共同作用下形成，具有独特的理化性质和生态功能。各营养盐 含量在时间和空间上具有较高的变异性，土壤中有机质的分布及迁移和转化均受到复杂的影响。针对官厅水库流域上游妫水 河段消落带，选择典型消落带落水区，对该区土壤有机质含量的时空分布特征进行研究。结果表明：1)研究区消落带土壤有机 质含量较为贫瘠，变化范围在1．64—26∥蝇之间，平均值仅为13．169／kg，变异系数达50．59％。说明消落带由于季节性干湿交 替的特殊水文条件的影响，土壤养分的分布具有较高的空间异质性。淹水频繁区有机质含量平均值为15．74∥妇，高于长期出 露区的10．12∥k，且变异系数为41．38％，小于长期出露区的54．98％。说明淹水频繁区对土壤养分的持留能力更强，且周期性 的淹水条件使得研究区近岸具有相似的生境类型，不同采样点土壤有机质含量的差异相对较小。2)不同植物群落下．芦苇和 香蒲群落土壤有机质含量最高，平均值为17．089／kg；含量最低的是以小叶杨和白羊草为主的中旱生植物带，平均值为9．12，∥ kg；其次是酸模叶蓼、大刺儿菜为优势物种的湿生植物带，土壤有机质含量平均值为15．499／kg。3)不同土壤层次有机质含量差 异较大，总体变化趋势均由表层向下逐渐减少，各层之间体现出显著差异性(P<0．05)。研究区土壤C／N变化范围在1．64— 18．95，平均值为8．95。说明研究区土壤碳氮比相对较低，有机质的腐殖化程度较高，且长期出露区土壤有机质更容易发生分 解，C的累积速度远小于N。土壤C／N垂直分布大致呈先增大后减小趋势，在30cm处达到最大值，而后随着土壤深度的增加逐 渐减小。4)消落带土壤有机质分布的影响因素分析中，土壤有机质与全磷呈极显著正相关，相关系数为0．62(P<0．01)：与土壤 全氮和C／N呈显著正相关(R=0．57，O．60；P<0．05)。这说明研究区土壤全磷、全氮、C／N和有机质明显具有相同的变化趋势．和 有机质存在相互影响。其次，土壤有机质和湿度在呈显著负相关(R=一O．51；P<0．05)，表明研究区土壤湿度对有机质含量具有 显著的影响。气候因子中，温度对研究区土壤有机质的分布具有显著的影响，相关系数为一0．51(P<0．05)。植被因子中．植被 覆盖度和土壤有机质含量呈显著正相关，相关系数为0．64，表明植被因子也是影响土壤有机质分布的重要因素之一。
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提供了解线性方程组的全主元消去法，内含FORTRAN子程序和主程序，并附有检验方程组
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音处理芯片对讲消侧音消回声芯片FM118 硬件参考设计Cadence orcad原理图文件
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本文研究的电磁阻尼器是一种特殊结构的空心杯发电机，它主要用于对能量的吸收和耗散，达到减振消能的目的，是具有很高单位耗能的能量吸收元件。电磁阻尼器的应用十分广泛，已涉及航天、航空、电力等诸多领域，有着广阔的市场前景。 采用电磁场分析软件建立了电磁阻尼器的仿真模型，仿真分析了电磁阻尼器阻尼力矩与定子、转子结构参数的关系。 介绍了常规空心杯电机与电磁阻尼器的结构、发展和应用，基于Ansoft公司的电磁场分析软件Maxwell 2D学生版软件建立了电磁阻尼器静磁场的二维仿真模型，分别对不同充磁方向、极弧系数、磁极对数的气隙磁密分布进行了静态仿真分析，得出了相应结论。在此基础上，运用Infolytica公司的电磁场分析软件MagNet对电磁阻尼器的二维稳态磁场进行了仿真，研究了如下内容： (1)定子磁路结构中的磁钢材料、磁钢充磁方向、定子磁极对数的改变对力矩特性的影响； (2) 转子结构参数中的转子长度、转子材料、转子厚度、转子平均直径、转子转向的改变对力矩特性的影响。根据所得的阻尼力矩仿真数据，基于Excel软件的曲线拟合和Matlab软件对拟合曲线进行的数值分析，求得了力矩特性斜率与上述参数的关系式。此关系式为探索电磁阻尼器的工程设计方法提供了一定理论依据，具有重要的工程应用价值。 最后，将仿真计算得到的阻尼力矩值与实验测得的阻尼力矩值进行了对比，分析了误差产生的原因。
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过电压保护器，发电机中性点接地电阻柜，零序电流互感器。消谐电阻器
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本文介绍基于 AVR 嵌入系统的三相660 伏电力智能投切开关装置的开发设计。该装置以ATmega48V 为核心器件，采用零电压接通，零电流分断技术，在投入和切断瞬间由可控硅承载线路电流，而在正常闭合工作时由电磁接触器承载电流。可广泛应用于电力谐波治理和无功补偿设备中作为开关部件，具有无冲击电流、响应时间短等特性。在工矿企业用电设备中存在大量的感性负载，如电弧炉、直流电机调速系统、整流逆变设备等，它们在消耗有功功率的同时，也占用了大量感性无功功率，致使电力功率因数下降。由于无功功率虚占了设备容量、增大了线路的电流值，而线路损耗与电流的平方成正比，因此造成电力资源的巨大浪费。另外，这些感性负载工作时还会产生大量的电力谐波，对电网造成谐波污染，使电能质量恶化，电器仪表工作异常。为了提高功率因数、治理谐波，可以采用动态滤波补偿，由电容器和电感器串联形成消谐回路，起到无功补偿和滤除谐波的作用。各种滤波补偿系统，基本都由电力电容器、铁芯电抗器、无功补偿控制器和电力投切装置等构成，其中电力投切装置负责与电网接通、切断任务，是整个补偿系统中关键部件之一。
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重庆久源电气有限公司是华能机电研究所在国内运作的销售公司，以一流的合资产品和技术为依托，致力于低压电力无功补偿滤波元器件产品的销售和服务，以更全面、有效的技术解决方案服务于市场需求，为改善电能质量问题提供全方位的解决及应用方案。 重庆华能机电研究所成立于1988年8月至今已有二十余年。是一家集专业研发、生产和销售电力系统中无功自动补偿产品及谐波治理有一定规模和实力影响力的中美合资企业。开发生产的各型补偿产品已投入全国各地电网中运行已达数百万台（套）。有着成熟和丰富的电力无功补偿产品和谐波治理工作经验。拥有完备的产品检测设备、生产设备、试验设备。能够长期稳定地满足用户的各种需求。 主要产品有：ED智能消谐滤波无功补偿组合模块 HNED智能无功补偿组合模块 HNBMKP系列圆柱形自愈式电力电容器 HNBCMJ椭圆形自愈式低压并联电容器 HNXNSG消谐滤波电抗器 JKG系列无功自动补偿控制器 KCSB动态补偿调节器（可控硅开关） HNFK低压智能复合开关 HNFSP三相电源防浪涌防雷击保护器.
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CD40系列CD45系列集成芯片DATASHEET数据手册170个芯片技术手册资料合集:4000 CMOS 3输入双或非门1反相器.pdf4001 CMOS 四2输入或非门.pdf4002 CMOS 双4输入或非门.pdf4006 CMOS 18级静态移位寄存器.pdf4007 CMOS 双互补对加反相器.pdf4008 CMOS 4位二进制并行进位全加器.pdf4009 CMOS 六缓冲器-转换器（反相）.pdf4010 CMOS 六缓冲器-转换器（同相）.pdf40100 CMOS 32位双向静态移位寄存器.pdf40101 CMOS 9位奇偶发生器-校验器.pdf40102 CMOS 8位BCD可预置同步减法计数器.pdf40103 CMOS 8位二进制可预置同步减法计数器.pdf40104 CMOS 4位三态输出双向通用移位寄存器.pdf40105 CMOS 先进先出寄存器.pdf40106 CMOS 六施密特触发器.pdf40107 CMOS 2输入双与非缓冲-驱动器.pdf40108 CMOS 4×4多端寄存.pdf40109 CMOS 四三态输出低到高电平移位器.pdf4011 CMOS 四2输入与非门.pdf40110 CMOS 十进制加减计数-译码-锁存-驱动.pdf40117 CMOS 10线—4线BCD优先编码器.pdf4012 CMOS 双4输入与非门.pdf4013 CMOS 带置位-复位的双D触发器.pdf4014 CMOS 8级同步并入串入-串出移位寄存器.pdf40147 CMOS 10线—4线BCD优先编码器.pdf4015 CMOS 双4位串入-并出移位寄存器.pdf4016 CMOS 四双向开关.pdf40160 CMOS 非同步复位可预置BCD计数器.pdf40161 CMOS 非同步复位可预置二进制计数器.pdf40162 CMOS 同步复位可预置BCD计数器.pdf40163 CMOS 同步复位可预置二进制计数器.pdf4017 CMOS 十进制计数器-分频器.pdf40174 CMOS 六D触发器.pdf40175 CMOS 四D触发器.pdf4018 CMOS 可预置 1分N 计数器.pdf40181 CMOS 4位算术逻辑单元.pdf40182 CMOS 超前进位发生器.pdf4019 CMOS 四与或选译门.pdf40192 CMOS 可预制四位BCD计数器.pdf40193 CMOS 可预制四位二进制计数器.pdf40194 CMOS 4位双向并行存取通用移位寄存器.pdf4020 CMOS 14级二进制串行计数-分频器.pdf40208 CMOS 4×4多端寄存器.pdf4021 CMOS 异步8位并入同步串入-串出寄存器.pdf4022 CMOS 八进制计数器-分频器.pdf4023 CMOS 三3输入与非门.pdf4024 CMOS 7级二进制计数器.pdf4025 CMOS 三3输入或非门.pdf40257 CMOS 四2线-1线数据选择器-多路传输.pdf4026 CMOS 7段显示十进制计数-分频器.pdf4027 CMOS 带置位复位双J-K主从触发器.pdf4028 CMOS BCD- 十进制译码器.pdf4029 CMOS 可预制加-减（十-二进制）计数器.pdf4030 CMOS 四异或门.pdf4031 CMOS 64级静态移位寄存器.pdf4032 CMOS 3位正逻辑串行加法器.pdf4033 CMOS 十进制计数器-消隐7段显示.pdf4034 CMOS 8位双向并、串入-并出寄存器.pdf4035 CMOS 4位并入-并出移位寄存器.pdf4038 CMOS 3位串行负逻辑加法器.pdf4040 CMOS 12级二进制计数-分频器.pdf4041 CMOS 四原码-补码缓冲器.pdf4042 CMOS 四时钟控制 D 锁存器.pdf4043 CMOS 四三态或非 R-S 锁存器.pdf4044 CMOS 四三态与非 R-S 锁存器.pdf4045 CMOS 21位计数器.pdf4046 CMOS PLL 锁相环电路.pdf4047 CMOS 单稳态、无稳态多谐振荡器.pdf4048 CMOS 8输入端多功能可扩展三态门.pdf4049 CMOS 六反相缓冲器-转换器.pdf4050 CMOS 六同相缓冲器-转换器.pdf4051 CMOS 8选1双向模拟开关.pdf4051,2,3.pdf4052 CMOS 双4选1双向模拟开关.pdf4053 CMOS 三2选1双向模拟开关.pdf4054 C
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电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
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电力系统的中性点是指三相电力系统中作量型连接的变压器或发电机的中性点,其运行方式有:不接地方式(绝缘方式)、经电阻接地方式(又可细分为经高阻和低阻接地两种情况)、经电抗接地方式、经消弧线圈接地方式和直接接地方式等.如何选择发电机或变压器中性点的运行方式是一个比较复杂的综合性技术、经济问题.不论采用哪种运行方式,都涉及到供电可靠性、故障范围、用电安全、过电压、继电保护和对电讯及无线电干扰等一系列问题.该文结合一工程实际问题就以上几个方面对电力系统中性点的几种运行方式分别加以分析比较,并分别对几种运行方式进行了短路电流计算、继电保护的配置及整定工作.
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