介绍了晶闸管调速粗动装原理, 分析了典型故障的原因
上传时间: 2013-11-16
上传用户:cmc_68289287
楼控领域、智能总线控制领域均可以应用的一款不错的输入模块
上传时间: 2013-10-19
上传用户:dragonhaixm
4-20mA转RS485采集模块
上传时间: 2013-10-28
上传用户:6546544
5000种场效应管速查
上传时间: 2013-10-27
上传用户:wfl_yy
分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。
上传时间: 2014-01-25
上传用户:hz07104032
BP5611 是一款采用MEMS 技术将高线性压力传感器与一个低功耗的24 位模数转换电路(ADC)集成于一体的数字气压传感器模块。该产品支持SPI 和I2C 总线传输协议,可与任何微处理器匹配工作。
上传时间: 2013-10-22
上传用户:caiqinlin
电子发烧友网为大家提供了新一代高速定位模块QD75M详解,希望看完之后你对高速定位模块QD75M有一个全面的认识。
上传时间: 2013-10-22
上传用户:stvnash
PLC 控制系统最初被应用于对离散量的控制,随着技术的发展和实际工程应用的需求,PLC 控制系统也开始用于对连续变量的控制。结合实际工程,对PID 模块指令在Allen2Bradley 公司的PLC 产品中的应用,进 行阐述说明。
上传时间: 2013-10-18
上传用户:小宝爱考拉
AD9850信号发生器模块测试程序
上传时间: 2013-11-02
上传用户:a6697238
第二部分:DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计.............................................................................145第三章 内存模块的时序要求.............................................................................1493.1 无缓冲(Unbuffered)内存模块的时序分析.......................................1493.2 带寄存器(Registered)的内存模块时序分析...................................154第四章 内存模块信号设计.................................................................................1594.1 时钟信号的设计.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信号的设计..............................................................................1624.3 地址和控制线的设计...............................................................................1634.4 数据信号线的设计...................................................................................1664.5 电源,参考电压Vref 及去耦电容.........................................................169第五章 内存模块的功耗计算.............................................................................172第六章 实际设计案例分析.................................................................................178 目前比较流行的内存模块主要是这三种:SDR,DDR,RAMBUS。其中,RAMBUS内存采用阻抗受控制的串行连接技术,在这里我们将不做进一步探讨,本文所总结的内存设计技术就是针对SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。现在我们来简单地比较一下SDR 和DDR,它们都被称为同步动态内存,其核心技术是一样的。只是DDR 在某些功能上进行了改进,所以DDR 有时也被称为SDRAM II。DDR 的全称是Double Data Rate,也就是双倍的数据传输率,但是其时钟频率没有增加,只是在时钟的上升和下降沿都可以用来进行数据的读写操作。对于SDR 来说,市面上常见的模块主要有PC100/PC133/PC166,而相应的DDR内存则为DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上传时间: 2014-01-13
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