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标签： python
上传时间： 2022-06-06
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本文主要是基于氮化锌（GaN）器件射频功率放大电路的设计，在s波段频率范围内，应用CREE公司的氮化稼（GaN）高电子迁移速率品体管（CGH40010和CGH40045）进行的宽带功率放大电路设计.主要工作有以下几个方面：首先，设计功放匹配电路。在2.7GHz~3.5GHz频带范围内，对中间级和末级功放晶体管进行稳定性分析并设置其静态工作点，继而进行宽带阻抗匹配电路的设计。本文采用双分支平衡渐变线拓扑电路结构，使用ADS软件对其进行仿真优化，设计出满足指标要求的匹配电路。具体指标如下：通带宽度为800MHz，在通带范围内的增益dB（S（2，1）>）10dB、驻波比VSWR1<2.VSWR2<2，3dB输出功率压缩点分别大于40dBm46dBm，效率大于40%.其次，设计功放偏置电源电路。电路要求是负电压控制正电压并带有过流保护功能，借助Orcad模拟电路仿真软件，设计出满足要求的电源电路。最后，分别运用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制图软件，绘制了功率放大电路和偏置电源电路的印制电路板，并通过对硬件电路的调试，最终使得整体电路满足了设计性能的要求。
上传时间： 2022-06-20
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2011年，Realtek(瑞昱)开发出了业界公认的低功耗，高性能的USB3.0 Hub 主控，RTS5401-GR。它超小的体积(QFN76)和规范化的设计(USB IF认证，BC1.2和支持苹果设备快充)，赢得了行内一致认可。如今，打磨再打磨，瑞昱在原有的优势基础上，又新推一款更具性价比的USB3.0 Hub 主控IC，RTS5411-GR。此款IC的推出目的就是优化功耗，提高性能，降低客户Bom成本。那么，此款主控到底有何改善和更新呢？ 众所周知，目前世面上的Hub 主控，诸如创唯(GL3520) 威盛(VL812) 等等，都需要外挂一颗Flash，把配置文件(Bin文件)烧录其中，才能控制各个下行端口的设置。 而且，还需要一颗降压IC(5.5~3V to 1.2V)。 如此才能是整块板子正常工作，达到设计要求。 而现在，RTS5411-GR内置Efuse功能，可把Bin程序烧录到IC内部，这样就省去外挂SPI FLASH，使客户再次Cost Down. 另外，该IC已内置降压IC(5.5~3V to 1.2V) 因此，在整个Bom设计中，无需再加一颗降压IC。 上述两点，可以让整个Bom节省大约RMB1.00的成本，这使得客户的Hub产品更具价格优势！
上传时间： 2022-06-22
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RTS5411 USB3.0 HUB Controller v1.22011年，Realtek(瑞昱)开发出了业界公认的低功耗，高性能的USB3.0 Hub 主控，RTS5401-GR。它超小的体积(QFN76)和规范化的设计(USB IF认证，BC1.2和支持苹果设备快充)，赢得了行内一致认可。如今，打磨再打磨，瑞昱在原有的优势基础上，又新推一款更具性价比的USB3.0 Hub 主控IC，RTS5411-GR。此款IC的推出目的就是优化功耗，提高性能，降低客户Bom成本。那么，此款主控到底有何改善和更新呢？ 众所周知，目前世面上的Hub 主控，诸如创唯(GL3520) 威盛(VL812) 等等，都需要外挂一颗Flash，把配置文件(Bin文件)烧录其中，才能控制各个下行端口的设置。 而且，还需要一颗降压IC(5.5~3V to 1.2V)。 如此才能是整块板子正常工作，达到设计要求。 而现在，RTS5411-GR内置Efuse功能，可把Bin程序烧录到IC内部，这样就省去外挂SPI FLASH，使客户再次Cost Down. 另外，该IC已内置降压IC(5.5~3V to 1.2V) 因此，在整个Bom设计中，无需再加一颗降压IC。 上述两点，可以让整个Bom节省大约RMB1.00的成本，这使得客户的Hub产品更具价格优势！
上传时间： 2022-06-22
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凌阳GPMW5019B电源方案，节省了LM324、TL431可以节约0.4的成本，转化效率高。
上传时间： 2022-06-23
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本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分，介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围，然后根据实验分析了TEM图片，包括GaN多量子阱，重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图形，分析了他们对材料属性的影响。然后分析了多种氮化擦样品的光致发光谱和电致发光谱，并解释其光谱蓝移和红移现象。在属性部分最后介绍了基于密度泛函理论和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料属性上的应用。在芯片结构设计部分，本文提出了三种高效率LED芯片的设计结构，分别是基于双光子晶体的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剥离衬底的大功率LED芯片。涉及到光子晶体理论，蒙特卡罗理论及激光剥离理论，本文分别介绍和分析了各类理论基础，并在此基础上提出新的设计结构，给出仿真分析结果。双光子晶体可以提供较完善的反射层，出射层。微球LED可以利用大尺寸表面结构来大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剥离衬底的大功率LED可以实现较好散热效果和功率。
标签： led
上传时间： 2022-06-25
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第01讲-电子元器件-电阻.mp4 第02讲-电子元器件-电感电容保险丝.mp4 第03讲-电子元器件-IC变压器运算放大器.mp4 第04讲-电子元器件-TL431光耦.mp4 第05讲-电子元器件-二极管.mp4 第06讲-电子元器件-三极管.mp4 第07讲-电子元器件-MOS管.mp4 第08讲-电源常识-安规-PCB-插头.mp4 第09讲-电源常识差模共模干扰-EMI-变压器.mp4 第10讲-电源常识-雷击-静电-耐压-功率因素(1).mp4 第11讲-变压器设计.mp4 第12讲-变压器感量设计.mp4 第13讲-变压器绕制.mp4 第14讲-变压器效率.mp4 第15讲-绕制变压器实操.mp4 第16讲-电路原理反激式.mp4 第17讲-电路原理LM358.mp4 第18讲-BUCK电路原理.mp4 第19讲-快充QC2.0-QC3.0.mp4 第20讲-同步整流详解.mp4 第21讲-PFC电路详解.mp4 第22讲-BOOST电路原理.mp4 第23讲-RCC电路详解.mp4 …………
上传时间： 2013-04-15
上传用户：eeworm
第01讲-电子元器件-电阻.mp4 第02讲-电子元器件-电感电容保险丝.mp4 第03讲-电子元器件-IC变压器运算放大器.mp4 第04讲-电子元器件-TL431光耦.mp4 第05讲-电子元器件-二极管.mp4 第06讲-电子元器件-三极管.mp4 第07讲-电子元器件-MOS管.mp4 第08讲-电源常识-安规-PCB-插头.mp4 第09讲-电源常识差模共模干扰-EMI-变压器.mp4 第10讲-电源常识-雷击-静电-耐压-功率因素(1).mp4 第11讲-变压器设计.mp4 第12讲-变压器感量设计.mp4 第13讲-变压器绕制.mp4 第14讲-变压器效率.mp4 第15讲-绕制变压器实操.mp4 第16讲-电路原理反激式.mp4 第17讲-电路原理LM358.mp4 第18讲-BUCK电路原理.mp4 第19讲-快充QC2.0-QC3.0.mp4 第20讲-同步整流详解.mp4 第21讲-PFC电路详解.mp4 第22讲-BOOST电路原理.mp4 第23讲-RCC电路详解.mp4 …………
上传时间： 2013-06-03
上传用户：eeworm
M AT L A B是一个可视化的计算程序，被广泛地使用于从个人计算机到超级计算机范围内 的各种计算机上。matlab学习手册
上传时间： 2015-06-24
上传用户：zhengjian
车牌定位－－－VC++源代码程序 1.24位真彩色->256色灰度图。 2.预处理:中值滤波。 3.二值化:用一个初始阈值T对图像A进行二值化得到二值化图像B。 初始阈值T的确定方法是:选择阈值T=Gmax-(Gmax-Gmin)/3,Gmax和Gmin分别是最高、最低灰度值。 该阈值对不同牌照有一定的适应性,能够保证背景基本被置为0,以突出牌照区域。 4.削弱背景干扰。对图像B做简单的相邻像素灰度值相减,得到新的图像G,即Gi,j=|Pi,j-Pi,j-1|i=0,1,…,439 j=0,1,…,639Gi,0=Pi,0,左边缘直接赋值,不会影响整体效果。 5.用自定义模板进行中值滤波 区域灰度基本被赋值为0。考虑到文字是由许多短竖线组成,而背景噪声有一大部分是孤立噪声,用模板(1,1,1,1,1)T对G进行中值滤波,能够得到除掉了大部分干扰的图像C。 6.牌照搜索:利用水平投影法检测车牌水平位置,利用垂直投影法检测车牌垂直位置。 7.区域裁剪,截取车牌图像。
上传时间： 2013-11-26
上传用户：懒龙1988
