死区效应
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MOSFET和IGBT区别
MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高,...
2022-06-21
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设计一个读不死与写不死的USB程序.一般USB连写四次,别人不去读那个数据.第五次写这个数据就会死掉.本程序就是解决这个问题。
设计一个读不死与写不死的USB程序.一般USB连写四次,别人不去读那个数据.第五次写这个数据就会死掉.本程序就是解决这个问题。
2013-12-22
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基于ARM的汽车防抱死制动系统设计
汽车在紧急制动过程中易出现很多非稳定因素(诸如侧滑、跑偏、失去转向操纵能力等),进而导致了相当多的交通事故。这些非稳定因素是由于制动时车轮抱死而产生的,汽车防抱死制动系统ABS(Anti-lockBraking system)可以避免制动时...
2013-07-19
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