正负85度
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简易电子负载
本项目采用是MSP430F149单片机,通过采样小电阻电压以达到电流采样的目的,闭环控制PWM输出,以实现横流(电流值可以在0~1000mA之间步长10mA任意设定)。
2025-05-06
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负偏压增强金刚石膜与衬底结合强度的理论研究
由于金刚石与Si有较大的晶格失配度和表面能差,利用化学气相沉积(CVD)制备金刚石膜时,金刚石在镜面光滑的Si表面上成核率非常低。而负衬底偏压能够提高金刚石在镜面光滑的Si表面上的成核率,表明金
2024-02-01
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