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模式探讨

  • STM32 PWM输入模式

    在本站下载的一个文档,讲的是STM32的PWM输入模式,并不是我想找的文档,贡献出来,对别人也许有用。

    标签: STM PWM 32 输入

    上传时间: 2013-07-13

    上传用户:咔乐坞

  • 影响FPGA设计中时钟因素的探讨

    影响FPGA设计中时钟因素的探讨,能帮组FPGA的设计

    标签: FPGA 时钟

    上传时间: 2013-08-05

    上传用户:wkxiian

  • Spartan-3E 系列中的串行外设接口 (SPI) 配置模式

    本应用指南讲述 Spartan-3E 系列中的串行外设接口 (SPI) 配置模式。SPI 配置模式拓宽了SpartanTM-3E 设计人员可以使用的配置解决方案。SPI Flash 存储器件引脚少、封装外形小而且货源广泛。本指南讨论用 SPI Flash 存储器件配置 Spartan-3E FPGA 所需的连接

    标签: Spartan SPI 串行 外设接口

    上传时间: 2013-08-08

    上传用户:helmos

  • 8051对FPGA的读写操作(FPGA和总线模式下的通信)

    主要实现FPGA和总线模式下的通信可以实现8051对FPGA的读写操作

    标签: FPGA 8051 读写操作 总线

    上传时间: 2013-08-09

    上传用户:chendawei

  • 基于QUARTUSII软件 实现FPGA(ATERA CYCLONE II系列)与SD卡SD模式通信源码

    基于QUARTUSII软件 实现FPGA(ATERA CYCLONE II系列)与SD卡SD模式通信\r\n所用语言位verilog HDL

    标签: QUARTUSII CYCLONE ATERA FPGA

    上传时间: 2013-08-20

    上传用户:it男一枚

  • 并口epp模式下与fpga通信例子

    并口epp模式下与fpga通信例子,附源码

    标签: fpga epp 并口 模式

    上传时间: 2013-09-03

    上传用户:caiqinlin

  • 基于新型CCCII电流模式二阶带通滤波器设计

    针对传统第二代电流传输器(CCII)电压跟随不理想的问题,提出了新型第二代电流传输器(CCCII)并通过采用新型第二代电流传输器(CCCII)构成二阶电流模式带通滤波器,此滤波器只需使用2个电流传输器和2个电容即可完成设计。设计结构简单,其中心频率可由电流传输器的偏置电流控制。利用HSpice软件仿真分析并验证了理论设计的准确性和可行性。

    标签: CCCII 电流模式 二阶 带通滤波器设计

    上传时间: 2013-11-15

    上传用户:jqy_china

  • 基于新型CCCII的电流模式积分电路

    介绍了广泛应用于各种电流模式电路的第二代电流控制电流传输器原件的跨导线性环特性和端口特性,以及其基本组成共源共栅电流镜,并提出了基于共源共栅电流镜的新型COMS电流传输器。在此基础上,设计了基于电流控制电流传输器的电流模式积分电路,并利用Hspice软件进行输入为正弦波和方波时的输出波形的仿真验证。

    标签: CCCII 电流模式 积分电路

    上传时间: 2013-10-22

    上传用户:wtrl

  • LVDS与高速PCB设计

    LVDS(低压差分信号)标准ANSI/TIA /E IA26442A22001广泛应用于许多接口器件和一些ASIC及FPGA中。文中探讨了LVDS的特点及其PCB (印制电路板)设计,纠正了某些错误认识。应用传输线理论分析了单线阻抗、双线阻抗及LVDS差分阻抗计算方法,给出了计算单线阻抗和差分阻抗的公式,通过实际计算说明了差分阻抗与单线阻抗的区别,并给出了PCB布线时的几点建议。关键词: LVDS, 阻抗分析, 阻抗计算, PCB设计 LVDS (低压差分信号)是高速、低电压、低功率、低噪声通用I/O接口标准,其低压摆幅和差分电流输出模式使EM I (电磁干扰)大大降低。由于信号输出边缘变化很快,其信号通路表现为传输线特性。因此,在用含有LVDS接口的Xilinx或Altera等公司的FP2GA及其它器件进行PCB (印制电路板)设计时,超高速PCB设计和差分信号理论就显得特别重要。

    标签: LVDS PCB

    上传时间: 2013-11-19

    上传用户:水中浮云

  • 开关电源中功率MOSFET管损坏模式及分析

    结合功率MOSFET管不同的失效形态,论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式,并说明了产生这样的损坏形态的原因,也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别,从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态。最后,结合实际应用,论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程。

    标签: MOSFET 开关电源 功率

    上传时间: 2013-11-14

    上传用户:dongqiangqiang