以下的电路为使用市电AC120V的电力经由电容降低电压及小电阻来限制电流以供应LED 的电力。当交流电经过电容后并未提供直流电力,利用一个小的二极体和LED 并联,提供一个路径给负半波的电压而且可以限制反向电压流经LED,另外也可使用右图利用第二个LED 替代二极管,或是直接安装一个三色的双向LED,其中使用的电阻为1K/0.5W,当电容充电时发生150mA 突波,这时电阻可以在1 毫秒内将电流限制在30mA 以内,这个0.47U 的电容在LED 以20mA,60HZ 半波供电时(或是10MA 平均值)约产生5600 奥姆的电抗,或是10MA平均值,电容越大能够提供的电流就越大,电容一定要使用无极性的而且耐压要200V 以上。
上传时间: 2013-11-09
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工频变压器在被大家称为低频变压器,以示与开关电源用高频变压器有区别。工频变压器在过去传统的电源中大量使用,而这些电源的稳定方式又是采用线性调节的,所以那些传统的电源又被称为线性电源工频变压器的原理非常简单,理论上推导出相关计算式也不复杂,所以大家形成了看法:太简单了,就那三、四个计算公式,没什么可研究的。设计时只要根据那些简单的公式,立马成功。掌握了电压高了拆掉几圈,电压低了加几圈,空载电流大了,适当增加初级圈数,也觉的低工频变压器的非常简单。我认为上面的认识既有可取之处,也有值得研究的地方。可取之处:根据计算式或自己打样,可以很快就得出结果,解决了问题;加上有六七年以上得实际工作经验,可说是在某单位得心应手,鹤立鸡群。值得研究的地方是:你是否了解自己设计出的产品性能?设计合理吗?设计优化过吗?经济性如何?过去电源变压器的设计由电子部牵头组织专家学者成立变压器工作组,编写典型计算免费发放各单位,作为计算依据,每个单位都有自己的变压器设计人员,由于有了参数表的存在,各厂设计出来的变压器各参数基本一致,连圈数和线径都可能一一模一样。验收的规则也是统一到变压器总技术条件上来。改革开放以后国营企业的变压器设计人员,除极少数外,下海的不多。典型计算资料本不可多得,要按失密论处。加上典型计算是原苏联的一套铁心规格与现行得EI铁心片规格不符,无参照价值。目前基本上是采用师傅带徒第的方式带出来一大批变压器工程人员。。与过去不同现有的工程技术人员大都是自己打样,由于工频变压器市场广泛,小单子很多。而这些单子很多是从关系接来的。不十分计较价格,因此理论水平一般,实际经验丰富的工程技术人员大有人在。从设计角度来看师师傅带徒第的方式带出来一大批变压器工程人员,他门的设计风格各不相同。
上传时间: 2013-10-17
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同步整流技术简单介绍大家都知道,对于开关电源,在次级必然要有一个整流输出的过程。作为整流电路的主要元件,通常用的是整流二极管(利用它的单向导电特性),它可以理解为一种被动式器件:只要有足够的正向电压它就开通,而不需要另外的控制电路。但其导通压降较高,快恢复二极管(FRD)或超快恢复二极管(SRD)可达1.0~1.2V,即使采用低压降的肖特基二极管(SBD),也会产生大约0.6V的压降。这个压降完全是做的无用功,并且整流二极管是一种固定压降的器件,举个例子:如有一个管子压降为0.7V,其整流为12V时它的前端要等效12.7V电压,损耗占0.7/12.7≈5.5%.而当其为3.3V整流时,损耗为0.7/4(3.3+0.7)≈17.5%。可见此类器件在低压大电流的工作环境下其损耗是何等地惊人。这就导致电源效率降低,损耗产生的热能导致整流管进而开关电源的温度上升、机箱温度上升--------有时系统运行不稳定、电脑硬件使用寿命急剧缩短都是拜这个高温所赐。随着电脑硬件技术的飞速发展,如GeForce 8800GTX显卡,其12V峰值电流为16.2A。所以必须制造能提供更大输出电流(如多核F1,四路12V,每路16A;3.3V和5V输出电流各高达24A)的电源转换器。而当前世界的能源紧张问题的凸现,为广大用户提供更高转换效率(如多核R80,完全符合80PLUS标准)的电源转换器就是我们整个开关电源行业的不可回避的社会责任了。如何解决这些问题?寻找更好的整流方式、整流器件。同步整流技术和通态电阻(几毫欧到十几毫欧)极低的专用功率MOSFET就是在这个时刻走上开关电源技术发展的历史舞台了!作为取代整流二极管以降低整流损耗的一种新器件,功率MOSFET属于电压控制型器件,它在导通时的伏安特性呈线性关系。因为用功率MOSFET做整流器时,要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能,故称之为同步整流。它可以理解为一种主动式器件,必须要在其控制极(栅极)有一定电压才能允许电流通过,这种复杂的控制要求得到的回报就是极小的电流损耗。在实际应用中,一般在通过20-30A电流时才有0.2-0.3V的压降损耗。因为其压降等于电流与通态电阻的乘积,故小电流时,其压降和恒定压降的肖特基不同,电流越小压降越低。这个特性对于改善轻载效率(20%)尤为有效。这在80PLUS产品上已成为一种基本的解决方案了。对于以上提到的两种整流方案,我们可以通过灌溉农田来理解:肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道,从源头下来的水源在中途渗漏了很多,十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道,除了一点点被太阳晒掉的损失外,十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。我们的多核F1,多核R80,其3.3V整流电路采用了通态电阻仅为0.004欧的功率MOSFET,在通过24A峰值电流时压降仅为20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作时的3.3V电流为10A,则其压降损耗仅为10*0.004=0.04V,损耗比例为0.04/4=1%,比之于传统肖特基加磁放大整流技术17.5%的损耗,其技术的进步已不仅仅是一个量的变化,而可以说是有了一个质的飞跃了。也可以说,我们为用户修建了一条严丝合缝的灌溉电脑配件的供电渠道。
标签: 同步整流
上传时间: 2013-10-27
上传用户:杏帘在望
电容降压式简易电源的基本电路如图1,C1为降压电容器,D2为半波整流二极管,D1在市电的负半周时给C1提供放电回路,D3是稳压二极管,R1为关断电源后C1的电荷泄放电阻。在实际应用时常常采用的是图2的所示的电路。当需要向负载提供较大的电流时,可采用图3所示的桥式整流电路。 整流后未经稳压的直流电压一般会高于30伏,并且会随负载电流的变化发生很大的波动,这是因为此类电源内阻很大的缘故所致,故不适合大电流供电的应用场合。
上传时间: 2013-10-23
上传用户:牛津鞋
单相桥式逆变电路为例:S1~S4是桥式电路的4个臂,由电力电子器件及辅助电路组成。S1、S4闭合,S2、S3断开时,负载电压uo为正S1;S1、S4断开,S2、S3闭合时,uo为负,把直流电变成了交流电。改变两组开关切换频率,可改变输出交流电频率。图5-1 逆变电路及其波形举例电阻负载时,负载电流io和uo的波形相同,相位也相同。阻感负载时,io滞后于uo,波形也不同(图5-1b)。t1前:S1、S4通,uo和io均为正。t1时刻断开S1、S4,合上S2、S3,uo变负,但io不能立刻反向。io从电源负极流出,经S2、负载和S3流回正极,负载电感能量向电源反馈,io逐渐减小,t2时刻降为零,之后io才反向并增大 (2)换流方式分类换流——电流从一个支路向另一个支路转移的过程,也称换相。开通:适当的门极驱动信号就可使其开通。关断:全控型器件可通过门极关断。半控型器件晶闸管,必须利用外部条件才能关断,一般在晶闸管电流过零后施加一定时间反压,才能关断。研究换流方式主要是研究如何使器件关断。本章换流及换流方式问题最为全面集中,因此在本章讲述1、器件换流利用全控型器件的自关断能力进行换流(Device Commutation)。2、电网换流由电网提供换流电压称为电网换流(Line Commutation)。可控整流电路、交流调压电路和采用相控方式的交交变频电路,不需器件具有门极可关断能力,也不需要为换流附加元件。3、负载换流由负载提供换流电压称为负载换流(Load Commutation)。负载电流相位超前于负载电压的场合,都可实现负载换流。负载为电容性负载时,负载为同步电动机时,可实现负载换流。
上传时间: 2013-10-15
上传用户:qingdou
38V/100A可直接并联大功率AC/DC变换器 随着电力电子技术的发展,电源技术被广泛应用于计算机、工业仪器仪表、军事、航天等领域,涉及到国民经济各行各业。特别是近年来,随着IGBT的广泛应用,开关电源向更大功率方向发展。研制各种各样的大功率,高性能的开关电源成为趋势。某电源系统要求输入电压为AC220V,输出电压为DC38V,输出电流为100A,输出电压低纹波,功率因数>0.9,必要时多台电源可以直接并联使用,并联时的负载不均衡度<5%。 设计采用了AC/DC/AC/DC变换方案。一次整流后的直流电压,经过有源功率因数校正环节以提高系统的功率因数,再经半桥变换电路逆变后,由高频变压器隔离降压,最后整流输出直流电压。系统的主要环节有DC/DC电路、功率因数校正电路、PWM控制电路、均流电路和保护电路等。 1 有源功率因数校正环节 由于系统的功率因数要求0.9以上,采用二极管整流是不能满足要求的,所以,加入了有源功率因数校正环节。采用UC3854A/B控制芯片来组成功率因数电路。UC3854A/B是Unitrode公司一种新的高功率因数校正器集成控制电路芯片,是在UC3854基础上的改进。其特点是:采用平均电流控制,功率因数接近1,高带宽,限制电网电流失真≤3%[1]。图1是由UC3854A/B控制的有源功率因数校正电路。 该电路由两部分组成。UC3854A/B及外围元器件构成控制部分,实现对网侧输入电流和输出电压的控制。功率部分由L2,C5,V等元器件构成Boost升压电路。开关管V选择西门康公司的SKM75GB123D模块,其工作频率选在35kHz。升压电感L2为2mH/20A。C5采用四个450V/470μF的电解电容并联。因为,设计的PFC电路主要是用在大功率DC/DC电路中,所以,在负载轻的时候不进行功率因数校正,当负载较大时功率因数校正电路自动投入使用。此部分控制由图1中的比较器部分来实现。R10及R11是负载检测电阻。当负载较轻时,R10及R11上检测的信号输入给比较器,使其输出端为低电平,D2导通,给ENA(使能端)低电平使UC3854A/B封锁。在负载较大时ENA为高电平才让UC3854A/B工作。D3接到SS(软启动端),在负载轻时D3导通,使SS为低电平;当负载增大要求UC3854A/B工作时,SS端电位从零缓慢升高,控制输出脉冲占空比慢慢增大实现软启动。 2 DC/DC主电路及控制部分分析 2.1 DC/DC主电路拓扑 在大功率高频开关电源中,常用的主变换电路有推挽电路、半桥电路、全桥电路等[2]。其中推挽电路的开关器件少,输出功率大,但开关管承受电压高(为电源电压的2倍),且变压器有六个抽头,结构复杂;全桥电路开关管承受的电压不高,输出功率大,但是需要的开关器件多(4个),驱动电路复杂。半桥电路开关管承受的电压低,开关器件少,驱动简单。根据对各种拓扑方案的工程化实现难度,电气性能以及成本等指标的综合比较,本电源选用半桥式DC/DC变换器作为主电路。图2为大功率开关电源的主电路拓扑图。
上传时间: 2013-11-13
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手机液晶屏的资料(有接口说明)方便大家改造
上传时间: 2013-10-11
上传用户:sssnaxie
DS18B20温度传感器,有时序图,
上传时间: 2013-11-13
上传用户:a155166
STM32,5110液晶显示声纳探鱼器200KHz,带电路图,精确到厘米 MC34063升压,大声压发射,实际板子上滤波电路没要(电路图上的滤波电阻电容电感没焊,开路或者短路)。一般200KHz的换能器在水里面的耦合比较好,在空气中发射出来的(或者接收的)强度很低。 用的MOSFET Relay,contact和release时间都可以做到很小,不过选的是比较低端器件,所以最近测量距离为70cm。 开源啦开源啦 架构为状态机+任务流,Task都是放在函数指针数组里面的 Task分两种,routine的和错误处理的 5110液晶的SPI用的DMA 基本上STM32和C语言高阶的特征都用上了,稍微修改直接可以商用 Open Issue 偶尔会hardware fault或者memory fault,然后watchdog重启, 应该比较好解决,仔细检查下就好 有什么问题代码的file comment里面有我联系地址 有能搞到好的器件也请知会我,多谢了 接下来准备把它装到船模上,用以前四轴的那套东西,就看什么时候有时间了
上传时间: 2013-10-28
上传用户:songyue1991
一些电容的测量方法
标签: 电容测试
上传时间: 2014-01-27
上传用户:xiaojie