特点:o ARM® Cortex®-M4 CPU 平台o 高达150MHz 的高性能Cortex®-M4 处理器o 集成FPU 和MPUo 内存o 512KB 片上SRAMo 2KB 至512KB 可编程保持存储区o 闪存o 1MB 集成闪存o 原地执行NOR 闪存接口，在闪存中执行时接近0 等待状态o 供电和复位管理系统o 片上稳压器，支持1.7V-3.6V 输入o 上电复位（POR）o 时钟管理o 10-30MHz 晶体振荡器o 内部16MHz RCo 32kHz 晶体振荡器o 内部32kHz RCo 具有可编程输出频率的低功耗PLLo 通用DMA：具有硬件流控制的8 通道DMA 控制器o 安全o 使用TRNG（真随机数发生器）的简单加密引擎o 定时器/计数器o 1x 系统节拍定时器o 4x 32 位定时器o 1x 看门狗定时器o 功耗（待确认）o 满载：待定uA/MHz @ 25°Co 运行：待定uA /MHz @ 25°Co 停止：待定@ 25°Co 保留：待定@ 25°C，32kB 保留存储器o 待机：待定@ 25°C，内部32kHz RCo 12 位逐次逼近寄存器（SAR）ADCo 每秒最多2M 样本o 可通过8:1 多路复用器选择输入o 1 个带有集成PHY 的USB 2.0 高速双角色端口o 两个SD / SDIO 主机接口o SD/SDIO 2.0 模式：时钟高达50MHzo LCD 控制器o 分辨率高达480x320o 6800 和8080 异步模式（8 位）o JTAG 调试功能o 3 个PWM（6 个输出），3 个捕捉和3 个QEP 模块o 4x UART，带有HW 流控制，最高可达4Mbpso 3x I2C，支持Fast Mode+（1000kbps）o 2x I2S 接口o 3x SPI 主器件高达25MHz，1x SPI 从器件高达10MHzo 32 个GPIOo 68 引脚QFN 封装o 温度范围：-40 至85°C4.1 带FPU 内核的ARM®CORTEX®-M4带有FPU 处理器的ARM®Cortex®-M4 是一款32 位RISC 处理器，具有出色的代码和功率效率。它支持一组DSP 指令，以允许高效执行信号处理算法，非常适合于可穿戴和其他嵌入式市场。集成的单精度FPU（浮点单元）便于重用第三方库，从而缩短开发时间。内部内存保护单元（MPU）用于管理对内的访问，以防止一个任务意外破坏另一个活动任务使用的内存。集成紧密耦合的嵌套向量中断控制器，提供多达16 个优先级。4.2 系统内存Bock 包含512kB 零等待状态SRAM，非常适合于当今算法日益增长的需求。同时，内存被细分为更小的区，从而可以单独地关闭以降低功耗。4.3 闪存和XIP 单元提供1MB 的集成NOR 闪存，以支持CPU 直接执行。为了提高性能，XIP 单元具有集成的缓存系统。缓冲内存与系统内存共享。与从系统内存运行性能相比，XIP 单元使得许多应用程序的运行接近100％。4.4 ROM集成ROM 固件包含通过NOR 闪存正常引导所需的引导加载程序，支持用于批量生产的闪存编程，还包括用于调试目的的UART 和USB 启动功能。
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上传时间： 2022-06-06
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系统简介:1.单片机+LCD1602液晶显示器+三极管放大电路+蜂鸣器+按键+DS18B20+GSM远程报警等设计。2. 3个按键对应3个不同的功能，设定值加1、设定值减1和蜂鸣器检测。3. 5V可使用USB供电。4. DS18B20温度传感器模块实现对温度的检测。测量范围-50~120摄氏度，常温LCD1602显示25.0摄氏度左右，温度精度在0.1℃；误差±0.2℃以内.温度变化时，显示值将变化。蜂鸣器就会报警。启动GSM短信报警功能。默认设定值31摄氏度（方便用人体模拟）。5.采用三极管进行输出放大,驱动能力强、蜂鸣器显示效果更好!6. 特点：稳定、操作起来非常方便，上电就可以使用。7.佩戴引出I/O接口(40个排针)，用于连接下载器下载程序, 方便进行升级调试.操作说明:S0:复位键 S1:设定值加1 S2：设定值减1 S3：蜂鸣器检测 1、 上电/S0复位：液晶显示“Detect System” “Temp=25.0 32.0” ，对应检测温度和设定报警温度。检测传感器表面温度，显示值变化。2、按S1、S2键：可以实现设定温度的加减操作。3、按S3键：检测蜂鸣器响声。4、可以用手抓住温度传感器，模拟温度检测。检测到温度变化后、液晶显示值变化，当检测温度大于设定温度时，蜂鸣器就会报警。并发送“DS18B20 Warning!”信息到指定手机。5、发送短信时，第一行显示将发送变化：“message sending” “the sending ok” 6、手机卡记得插到卡槽里噢
上传时间： 2022-06-09
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ADS1256 是TI（Texas I nstruments ）公司推出的一款低噪声高分辨率的24 位Si gma - Delta（"- #）模数转换器（ADC）。"- #ADC 与传统的逐次逼近型和积分型ADC 相比有转换误差小而价格低廉的优点，但由于受带宽和有效采样率的限制，"- #ADC 不适用于高频数据采集的场合。该款ADS1256 可适合于采集最高频率只有几千赫兹的模拟数据的系统中，数据输出速率最高可为30K 采样点／秒（SPS），有完善的自校正和系统校正系统， SPI 串行数据传输接口。本文结合笔者自己的应用经验，对该ADC 的基本原理以及应用做简要介绍。ADs1256 的总体电气特性下面介绍在使用ADs1256 的过程中要注意的一些电气方面的具体参数：模拟电源（AVDD ）输入范围+ 4 . 75V !+ 5 .25V，使用的典型值为+ 5 .00V；数字电源（DVDD ）输入范围+ 1 . 8V !+ 3 .6V，使用的典型值+ 3 .3V；参考电压值（VREF= VREFP- VREFN）的范围+ 0 .5V!+ 2 .6V，使用的典型值为+ 2 .5V；耗散功率最大为57mW；每个模拟输入端（AI N0 !7 和AI NC M）相对于模拟地（AGND）的绝对电压值范围在输入缓冲器（BUFFER）关闭的时候为AGND-0 .1 !AVDD+ 0 . 1 ，在输入缓冲器打开的时候为AGND !AVDD-2 .0 ；满刻度差分模拟输入电压值（VI N = AI NP -AI NN）为+ ／-（2VREF／PGA）；数字输入逻辑高电平范围0 .8DVDD!5 .25V（除D0 !D3 的输入点平不可超过DVDD 外），逻辑低点平范围DGND!0 .2DVDD；数字输出逻辑高电平下限为0 .8DVDD，逻辑低电平上限为0 .2DVDD，输出电流典型值为5mA；主时钟频率由外部晶体振荡器提供给XTAL1和XTAL2 时，要求范围为2 M!10 MHz ，仅由CLKI N 输入提供时，范围为0 .1 M!10 MHz 。
上传时间： 2022-06-10
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本系统的设计思想是针对市面上流行的NEC红外协议，利用小型一体化接收头NB0038对红外遥控信号进行接收，再用单片机对红外信号进行解码，把解码结果存储到扩展存储区的指定地址。当要发射红外信号时，从扩展存储区中读出相应的红外遥控编码，调制到由单片机产生38K载波上，最后，通过三极管放大电路驱动红外发光二极管发射红外信号，达到学习和发射的目的，从而实现一个遥控器控制多种红外遥控设备。 遥控器有两种工作状态：“学习”状态和“控制”状态，使用者可通过学习/控制复用键进行转换。当使用者在学习状态下，红外线接收电路处于接收红外线信号状态下，当有红外信号并接收成功后，指示灯会闪烁。当按下一个控制键后，由CPU将解码信息存放到相应的存储单元中去，存储成功后指示灯会闪烁。当遥控器处于控制状态时，使用者每按下一个控制键，CPU从指定的存储单元中读取遥控编码信号，然后进行信号调制，将调制信号经放大以后，由红外线发射二极管进行发射，从而实现对该键对应设备功能的控制。
上传时间： 2022-06-11
上传用户：d1997wayne
Chapter 1：Introduction and Overview Chapter 2：Switches，Buttons，and Knob 开关按钮Chapter 3：Clock Sources 时钟脉冲源Chapter 4：FPGA Configuration Options 配置Chapter 5：Character LCD Screen LCD显示屏特性Chapter 6：VGA Display Port VGA接口——接到显示器上Chapter 7：RS-232 Serial Ports RS-232接口——接器件Chapter 8：PS/2 Mouse/Keyboard Port PS/2鼠标键盘接口Chapter 9：Digital to Analog Converter（DAC）D/A接口Chapter 10：Analog Capture Circuit 模拟捕获电路Chapter 11：Intel StrataFlash Parallel NOR Flash PROM Chapter 12：SPI Serial Flash 串行外围接口系列闪存Chapter 13：DDR SDRAM 内存Chapter 14：10/100 Ethernet Physical Layer Interface以太网物理层接口Chapter 15：Expansion Connectors 扩展接口Chapter 16：XC2C64A CoolRunner-II CPLDChapter 17：DS2432 1-Wire SHA-1 EEPROMSpartan-3E入门实验板使设计人员能够即时利用Spartan-3E系列的完整平台性能。设备支持：Spartan-3E、CoolRunner-ll关键特性：Xilinx器件：Spartan-3E（50万门，XC3S500E-4FG320C），CoolRunnerTM-lI与Platform Flash时钟：50MHz晶体时钟振荡器存储器：128Mbit 并行Flash，16 Mbit SPI Flash，64MByte DDR SDRAM连接器与接口：以太网10/100Phy，JTAG USB下载，两个9管脚RS-232串行端口，PS/2类型鼠标/键盘端口，带按钮的旋转编码器，四个滑动开关，八个单独的LED输出
标签： Spartan-3E
上传时间： 2022-06-19
上传用户：kingwide
低压差线性稳压器（Low Dropout Voltage Regulator，LDO）属于线性稳压器的一种，但由于其压差较低，相对于一般线性稳压器而言具有较高的转换效率。但在电路稳定性上有所下降，而且LDO有着较高的输出电阻，使得输出极点的位置会随着负载情况有很大关系。因此需要对LDO进行频率补偿来满足其环路稳定性要求。内容安排上第一节首先简单介绍各种线性稳压源的区别：第二节介绍LDO中的主要参数及设计中需要考虑折中的一些问题；第三节对LDO开环电路的三个模块，运放模块，PMOS模块和反馈模块进行简化的小信号分析，得出其传输函数并判断其零极点：第四节针对前面分析的三个LDO环路模块分别进行补偿考虑，并结合RT9193电路对三种补偿方法进行了仿真验证和解释说明。该电路主要包含基准电路以及相关启动电路，保护电路（OTP，OCP等），误差放大器，调整管（Pass Element）和电阻反馈网络。在电路上，通过连接到误差放大器反相输入端的分压电阻对输出电压进行采样，误差放大器的同相输入端连接到一个基准电压（Bandgap Reference），误差放大器会使得两个输入端电压基本相等，因此，可以通过控制调整管输出足够的负载电流以保证输出电压稳定。电路所采用的调整管不同，其Dropout电压不同。以前大多使用三极管来作为稳压源的调整管，常见的有NPN稳压源，PNP稳压源（LDO），准LDO稳压源，其调整管如图2所示，其Dorpout电压分别是：VoRop=2VBE+ Vsr-NPN稳压源VoRоP =VsurPNP稳压源（LDO）VDRoP=VE + Vsur-准LDO稳压源
上传时间： 2022-06-19
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三菱电机功率器件在工业、电气化铁道、办公自动化、家电产品等多种领域的电力变换及电动机控制中得到广泛应用。为了真正满足市场对装置噪音低、效率高、体积小、重量轻、精度高、功能强、容量大的要求，三菱电机积极致力于新型器件的研究、开发，为人类的节能和环保不断努力。第5代IGBT和IPM模块均采用三菱电机第5代IGBT硅片CSTBTIM技术，并具有正温度系数特征，与传统的沟槽型构造IGBT相比，降低了集电极一发射极间饱和电压，从而实现了更低损耗。同时改进了封装技术，大大减小了模块内部分布电感。本应用手册的出版，旨在帮助用户了解第5代IGBT和IPM模块的特性和工作原理，更加方便的使用三菱电机的半导体产品。三菱电机谨向所有购买和支持三菱半导体产品的用户表示诚挚的感谢。1.IGBT模块的一般认识1.1 NF系列IGBT模块的特点NF系列IGBT模块主要具有以下两大特点：1，采用第5代IGBT硅片在沟槽型IGBT的基础上增加电荷蓄积层的新结构（CSTBT）改善了关断损耗（Eoff）和集电极-发射极问饱和电压VEisat的折衷。插入式组合元胞（PCM）的使用增强了短路承受能力（SCSOA）并降低了栅极电容，从而降低驱动功率。CSTBT:Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor载流子存储式沟槽硼型双极晶体臂
标签： igbt
上传时间： 2022-06-19
上传用户：shjgzh
基于数码管显示板特点：主要器件：共阳数码管工作电压：直流5伏8位独立数码管显示。内部有三极管驱动电路。段码串有限流电阻。 TTL电平控制，可以直接由单片机IO口控制。八位段码输入，8位位码输入。动态扫描显示。
标签： 数码管
上传时间： 2022-06-20
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本文只是论述由单只IGBT管子或双管做成的逆变模块，及其有关测量和判断好坏的方法。IPM模块不在本文讨论内容之内。场效应管子有开关速度快、电压控制的优点，但也有导通压降大，电压与电流容量小的缺点。而双极型器件恰恰有与其相反的特点，如电流控制、导通压降小，功率容量大等，二者复合，正所谓优势互补。IGBT管子，或者1GBT模块的由来，即基于此。从结构上看，类似于我们都早已熟悉的复合放大管，输出管为一只PNP型三极管，而激励管是一只场效应管，后者的漏极电流形成了前者的基极电流。放大能力是两管之积。IGBT管子的等效电路及符号如下图：
上传时间： 2022-06-21
上传用户：jiabin
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）绝缘栅双极型品体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流，广泛应用于风电、光伏、电动汽车、智能电网等行业中。在电动汽车行业中，电机控制器、辅助动力系统，电动空调中，IGBT有着广泛的使用，大功率IGB多应用于电机控制器中，由于电动汽车电机控制器工作环境干扰比较大，IGBT的门极分布电容及实际开关中存在的米勒效应等寄生参数的直接影响到驱动电路的可靠性1电机控制器在使用过程中，在过流、短路和过压的情况下要对1GBT实行比较完善的保护。过流会引起电机控制器的温度上升，可通过温度传感器来进行检测，并由相应的电路来实现保护；过压一般发生在IGBT关断时，较大的di/dt会在寄生电感上产生了较高的电压，可通过采用缓冲电路来钳制，或者适当降低开关速率。短路故障发生后瞬时就会产生极大的电流，很快就会损坏1GBT，主控制板的过流保护根本来不及，必须由硬件电路控制驱动电路瞬间加以保护。因此驱动器的设计过程中，保护功能设计得是否完善，对系统的安全运行尤其重要。
上传时间： 2022-06-22
上传用户：XuVshu
