MOS关模型 Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输出，因此等效值由于Vds电压要比原来大很多，这个称为米勒效应。由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的，我们在实际应用的时候需要修改Cgd的值。
上传时间： 2013-12-09
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使用时钟PLL的源同步系统时序分析一）回顾源同步时序计算Setup Margin = Min Clock Etch Delay – Max Data Etch Delay – Max Delay Skew – Setup TimeHold Margin = Min Data Etch Delay – Max Clock Etch Delay + Min Delay Skew + Data Rate – Hold Time下面解释以上公式中各参数的意义：Etch Delay：与常说的飞行时间(Flight Time)意义相同，其值并不是从仿真直接得到，而是通过仿真结果的后处理得来。请看下面图示：图一为实际电路，激励源从输出端，经过互连到达接收端，传输延时如图示Rmin，Rmax，Fmin，Fmax。图二为对应输出端的测试负载电路，测试负载延时如图示Rising，Falling。通过这两组值就可以计算得到Etch Delay 的最大和最小值。
上传时间： 2013-11-05
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2010年4月13日， 专业设计和制造固态高功率宽带放大器的MILMEGA公司于2010年亚太区电磁兼容(APEMC)国际学术大会及展览会期间宣布推出一款新的放大器产品。该款产品主要针对商用EMC测试IEC 61000-4-3 标准(覆盖频率范围为80 MHz～1 GHz)。MILMEGA的这一新产品将给EMC测试领域带来革命性的突破。
上传时间： 2013-11-17
上传用户：米米阳123
AD9850信号发生器模块测试程序
上传时间： 2013-11-02
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Altium+designer+2013注册机（亲自测试可用）+Licenses
标签： designer Licenses Altium 2013
上传时间： 2013-10-19
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PCB的可制造性与可测试性，很详细的pcb学习资料。
上传时间： 2014-06-22
上传用户：熊少锋
IPC介电常数测试方法
上传时间： 2013-10-09
上传用户：w50403
结合功率MOSFET管不同的失效形态，论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式，并说明了产生这样的损坏形态的原因，也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别，从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态。最后，结合实际应用，论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程。
上传时间： 2013-11-14
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RGB-三基色LED灯带控制-测试成功
上传时间： 2013-11-18
上传用户：Jesse_嘉伟
PN结单向导电性的测试
上传时间： 2014-12-05
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