为防止在上下电时电压/电流的波动对芯片的冲击，特别郑重要求本芯片供电电压的上升/下降时间必须大于1ms，否则可能会导致本芯片不能正常工作。 为避免此问题，强烈建议用户采用如下图所示的RC电路为芯片供电，其中R约为100Ω左右，电解电容C约为10uF左右，以确保时间常数τ≈1ms左右。值得说明的是τ大一些更好，可以增加电解电容C的容量，但不建议R大于300Ω。
上传时间： 2014-12-27
上传用户：fredguo
常用三星单片机烧写电压设置参考表 烧写电压说明:Vdd 电压指烧写时加载到芯片Vdd 端子的逻辑电压,Vpp 电压指烧写时加载到芯片Vpp(Test)端子的编程电压, Vpp=12V 是编程器的默认烧写电压,无须特别设置. 由于编程器的默认输出Vpp 电压均为12V,因此在烧写Vpp=3.3V/5.0V 的芯片时,需要对烧写转换适配器作以下改动:将烧写器烧写座引出的Vpp 端子完全空置不用, 并在适配器上将Vdd端子直接连接Vpp 端即可.当用户采用在PCB板上烧写方式时,建议最好能在PCB芯片端的Vpp脚并接一个104 的电容入地,可有效保护在烧写电压加载时板子电路共同作用产生的瞬间过压脉冲不会输入到Vpp 脚而造成Vpp 击穿.S3F84K4 烧写特别说明,由于三星半导体DATA SHEET 要求在对该芯片进行烧写时,须在Vpp 脚加接一个101 的电容到地,因此在使用我站各款烧写器烧写84K4 时,须将烧写器主板上的Vpp 端原来并接的10uf/50V-电解电容和104 电容去掉,另行并接一个101 电容入地即可.不过,据本人特别测试结果,其实不做以上处理对烧写过程没有任何影响, 估计可能是三星半导体对芯片有做过改版,老版本的84K4 才会有以上特别要求,新版本是没有这个要求的.
上传时间： 2013-10-10
上传用户：wcl168881111111
第八章 labview的编程技巧 本章介绍局部变量、全局变量、属性节点和其他一些有助于提高编程技巧的问题，恰当地运用这些技巧可以提高程序的质量。 ８．１ 局部变量 严格的语法尽管可以保证程序语言的严密性，但有时它也会带来一些使用上的不便。在labview这样的数据流式的语言中，将变量严格地分为控制器（Control）和指示器（Indicator），前者只能向外流出数据，后者只能接受流入的数据，反过来不行。在一般的代码式语言中，情况不是这样的。例如我们有变量a、b和c，只要需要我们可以将a的值赋给b，将b的值赋给c等等。前面所介绍的labview内容中，只有移位积存器即可输入又可输出。另外，一个变量在程序中可能要在多处用到，在图形语言中势必带来过多连线，这也是一件烦人的事。还有其他需要，因此labview引入了局部变量。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：xieguodong1234
封装规格大全，实用的的计数资料！
上传时间： 2014-01-04
上传用户：kinochen
1,电路板插件，浸锡，切脚的方法 1.制板(往往找专门制板企业制作，图纸由自己提供)并清洁干净。 2.插横插、直插小件，如1/4W的电阻、电容、电感等等贴近电路板的小尺寸元器件。 3.插大、中等尺寸的元器件，如470μ电解电容和火牛。 4.插IC，如贴片IC可在第一步焊好。 原则上来说将元器件由低至高、由小至大地安排插件顺序，其中高低原则优先于水平尺寸原则。 若手工焊接，则插件时插一个焊一个。若过炉的话直接按锡炉操作指南操作即可。 切脚可选择手工剪切也可用专门的切脚机处理，基本工艺要求就是刚好将露出锡包部分切除即可。 若你是想开厂进行规模生产的话，那么还是建议先熟读掌握相关国家和行业标准为好，否则你辛苦做出的产品会无人问津的。而且掌握标准的过程也可以帮助你对制作电路板流程进行制订和排序。 最后强烈建议你先找个电子厂进去偷师一番，毕竟眼见为实嘛。
上传时间： 2013-11-16
上传用户：lvchengogo
C++完美演绎 经典算法 如 /* 头文件：my_Include.h */ #include <stdio.h> /* 展开C语言的内建函数指令 */ #define PI 3.1415926 /* 宏常量，在稍后章节再详解 */ #define circle(radius) (PI*radius*radius) /* 宏函数，圆的面积 */ /* 将比较数值大小的函数写在自编include文件内 */ int show_big_or_small (int a,int b,int c) { int tmp if (a>b) { tmp = a a = b b = tmp } if (b>c) { tmp = b b = c c = tmp } if (a>b) { tmp = a a = b b = tmp } printf("由小至大排序之后的结果:%d %d %d\n", a, b, c) } 程序执行结果： 由小至大排序之后的结果:1 2 3 可将内建函数的include文件展开在自编的include文件中 圆圈的面积是=201.0619264
标签： my_Include include define 3.141
上传时间： 2014-01-17
上传用户：epson850
源代码\用动态规划算法计算序列关系个数 用关系"<"和"="将3个数a，b，c依次序排列时，有13种不同的序列关系： a=b=c,a=b<c,a<b=v,a<b<c,a<c<b a=c<b,b<a=c,b<a<c,b<c<a,b=c<a c<a=b,c<a<b,c<b<a 若要将n个数依序列，设计一个动态规划算法，计算出有多少种不同的序列关系， 要求算法只占用O(n),只耗时O(n*n).
上传时间： 2013-12-26
上传用户：siguazgb
c语言版的多项式曲线拟合。 用最小二乘法进行曲线拟合. 用p－1 次多项式进行拟合，p<= 10 x,y 的第0个域x[0],y[0],没有用，有效数据从x[1],y[1] 开始 nNodeNum,有效数据节点的个数。 b,为输出的多项式系数，b[i] 为b[i-1]次项。b[0],没有用。 b,有10个元素ok。
上传时间： 2014-01-12
上传用户：变形金刚
crc任意位生成多项式 任意位运算 自适应算法 循环冗余校验码(CRC，Cyclic Redundancy Code)是采用多项式的 编码方式，这种方法把要发送的数据看成是一个多项式的系数 ，数据为bn-1bn-2…b1b0 (其中为0或1)，则其对应的多项式为： bn-1Xn-1+bn-2Xn-2+…+b１X+b０ 例如：数据“10010101”可以写为多项式 X７+X４+X２+1。 循环冗余校验CRC 循环冗余校验方法的原理如下： (1) 设要发送的数据对应的多项式为P(x)。 (2) 发送方和接收方约定一个生成多项式G(x)，设该生成多项式 的最高次幂为r。 (3) 在数据块的末尾添加r个0，则其相对应的多项式为M(x)=XrP(x) 。(左移r位) (4) 用M(x)除以G(x)，获得商Q(x)和余式R(x)，则 M(x)=Q(x) ×G(x)+R(x)。 (5) 令T(x)=M(x)+R(x)，采用模2运算，T(x)所对应的数据是在原数 据块的末尾加上余式所对应的数据得到的。 (6) 发送T(x)所对应的数据。 (7) 设接收端接收到的数据对应的多项式为T’(x)，将T’(x)除以G(x) ，若余式为0，则认为没有错误，否则认为有错。
上传时间： 2014-11-28
上传用户：宋桃子
crc任意位生成多项式 任意位运算 自适应算法 循环冗余校验码(CRC，Cyclic Redundancy Code)是采用多项式的 编码方式，这种方法把要发送的数据看成是一个多项式的系数 ，数据为bn-1bn-2…b1b0 (其中为0或1)，则其对应的多项式为： bn-1Xn-1+bn-2Xn-2+…+b１X+b０ 例如：数据“10010101”可以写为多项式 X７+X４+X２+1。 循环冗余校验CRC 循环冗余校验方法的原理如下： (1) 设要发送的数据对应的多项式为P(x)。 (2) 发送方和接收方约定一个生成多项式G(x)，设该生成多项式 的最高次幂为r。 (3) 在数据块的末尾添加r个0，则其相对应的多项式为M(x)=XrP(x) 。(左移r位) (4) 用M(x)除以G(x)，获得商Q(x)和余式R(x)，则 M(x)=Q(x) ×G(x)+R(x)。 (5) 令T(x)=M(x)+R(x)，采用模2运算，T(x)所对应的数据是在原数 据块的末尾加上余式所对应的数据得到的。 (6) 发送T(x)所对应的数据。 (7) 设接收端接收到的数据对应的多项式为T’(x)，将T’(x)除以G(x) ，若余式为0，则认为没有错误，否则认为有错
上传时间： 2014-01-16
上传用户：hphh
