摘要: 介绍了时钟分相技术并讨论了时钟分相技术在高速数字电路设计中的作用。 关键词: 时钟分相技术; 应用 中图分类号: TN 79 文献标识码:A 文章编号: 025820934 (2000) 0620437203 时钟是高速数字电路设计的关键技术之一, 系统时钟的性能好坏, 直接影响了整个电路的 性能。尤其现代电子系统对性能的越来越高的要求, 迫使我们集中更多的注意力在更高频率、 更高精度的时钟设计上面。但随着系统时钟频率的升高。我们的系统设计将面临一系列的问 题。 1) 时钟的快速电平切换将给电路带来的串扰(Crosstalk) 和其他的噪声。 2) 高速的时钟对电路板的设计提出了更高的要求: 我们应引入传输线(T ransm ission L ine) 模型, 并在信号的匹配上有更多的考虑。 3) 在系统时钟高于100MHz 的情况下, 应使用高速芯片来达到所需的速度, 如ECL 芯 片, 但这种芯片一般功耗很大, 再加上匹配电阻增加的功耗, 使整个系统所需要的电流增大, 发 热量增多, 对系统的稳定性和集成度有不利的影响。 4) 高频时钟相应的电磁辐射(EM I) 比较严重。 所以在高速数字系统设计中对高频时钟信号的处理应格外慎重, 尽量减少电路中高频信 号的成分, 这里介绍一种很好的解决方法, 即利用时钟分相技术, 以低频的时钟实现高频的处 理。 1 时钟分相技术 我们知道, 时钟信号的一个周期按相位来分, 可以分为360°。所谓时钟分相技术, 就是把 时钟周期的多个相位都加以利用, 以达到更高的时间分辨。在通常的设计中, 我们只用到时钟 的上升沿(0 相位) , 如果把时钟的下降沿(180°相位) 也加以利用, 系统的时间分辨能力就可以 提高一倍(如图1a 所示)。同理, 将时钟分为4 个相位(0°、90°、180°和270°) , 系统的时间分辨就 可以提高为原来的4 倍(如图1b 所示)。 以前也有人尝试过用专门的延迟线或逻辑门延时来达到时钟分相的目的。用这种方法产生的相位差不够准确, 而且引起的时间偏移(Skew ) 和抖动 (J itters) 比较大, 无法实现高精度的时间分辨。 近年来半导体技术的发展, 使高质量的分相功能在一 片芯片内实现成为可能, 如AMCC 公司的S4405, CY2 PRESS 公司的CY9901 和CY9911, 都是性能优异的时钟 芯片。这些芯片的出现, 大大促进了时钟分相技术在实际电 路中的应用。我们在这方面作了一些尝试性的工作: 要获得 良好的时间性能, 必须确保分相时钟的Skew 和J itters 都 比较小。因此在我们的设计中, 通常用一个低频、高精度的 晶体作为时钟源, 将这个低频时钟通过一个锁相环(PLL ) , 获得一个较高频率的、比较纯净的时钟, 对这个时钟进行分相, 就可获得高稳定、低抖动的分 相时钟。 这部分电路在实际运用中获得了很好的效果。下面以应用的实例加以说明。2 应用实例 2. 1 应用在接入网中 在通讯系统中, 由于要减少传输 上的硬件开销, 一般以串行模式传输 图3 时钟分为4 个相位 数据, 与其同步的时钟信号并不传输。 但本地接收到数据时, 为了准确地获取 数据, 必须得到数据时钟, 即要获取与数 据同步的时钟信号。在接入网中, 数据传 输的结构如图2 所示。 数据以68MBös 的速率传输, 即每 个bit 占有14. 7ns 的宽度, 在每个数据 帧的开头有一个用于同步检测的头部信息。我们要找到与它同步性好的时钟信号, 一般时间 分辨应该达到1ö4 的时钟周期。即14. 7ö 4≈ 3. 7ns, 这就是说, 系统时钟频率应在300MHz 以 上, 在这种频率下, 我们必须使用ECL inp s 芯片(ECL inp s 是ECL 芯片系列中速度最快的, 其 典型门延迟为340p s) , 如前所述, 这样对整个系统设计带来很多的困扰。 我们在这里使用锁相环和时钟分相技术, 将一个16MHz 晶振作为时钟源, 经过锁相环 89429 升频得到68MHz 的时钟, 再经过分相芯片AMCCS4405 分成4 个相位, 如图3 所示。 我们只要从4 个相位的68MHz 时钟中选择出与数据同步性最好的一个。选择的依据是: 在每个数据帧的头部(HEAD) 都有一个8bit 的KWD (KeyWord) (如图1 所示) , 我们分别用 这4 个相位的时钟去锁存数据, 如果经某个时钟锁存后的数据在这个指定位置最先检测出这 个KWD, 就认为下一相位的时钟与数据的同步性最好(相关)。 根据这个判别原理, 我们设计了图4 所示的时钟分相选择电路。 在板上通过锁相环89429 和分相芯片S4405 获得我们所要的68MHz 4 相时钟: 用这4 个 时钟分别将输入数据进行移位, 将移位的数据与KWD 作比较, 若至少有7bit 符合, 则认为检 出了KWD。将4 路相关器的结果经过优先判选控制逻辑, 即可输出同步性最好的时钟。这里, 我们运用AMCC 公司生产的 S4405 芯片, 对68MHz 的时钟进行了4 分 相, 成功地实现了同步时钟的获取, 这部分 电路目前已实际地应用在某通讯系统的接 入网中。 2. 2 高速数据采集系统中的应用 高速、高精度的模拟- 数字变换 (ADC) 一直是高速数据采集系统的关键部 分。高速的ADC 价格昂贵, 而且系统设计 难度很高。以前就有人考虑使用多个低速 图5 分相技术应用于采集系统 ADC 和时钟分相, 用以替代高速的ADC, 但由 于时钟分相电路产生的相位不准确, 时钟的 J itters 和Skew 比较大(如前述) , 容易产生较 大的孔径晃动(Aperture J itters) , 无法达到很 好的时间分辨。 现在使用时钟分相芯片, 我们可以把分相 技术应用在高速数据采集系统中: 以4 分相后 图6 分相技术提高系统的数据采集率 的80MHz 采样时钟分别作为ADC 的 转换时钟, 对模拟信号进行采样, 如图5 所示。 在每一采集通道中, 输入信号经过 缓冲、调理, 送入ADC 进行模数转换, 采集到的数据写入存储器(M EM )。各个 采集通道采集的是同一信号, 不过采样 点依次相差90°相位。通过存储器中的数 据重组, 可以使系统时钟为80MHz 的采 集系统达到320MHz 数据采集率(如图6 所示)。 3 总结 灵活地运用时钟分相技术, 可以有效地用低频时钟实现相当于高频时钟的时间性能, 并 避免了高速数字电路设计中一些问题, 降低了系统设计的难度。
上传时间： 2013-12-17
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用ad9850激励的锁相环频率合成器山东省济南市M0P44 部队Q04::00R 司朝良摘要! 提出了一种ad9850和ad9850相结合的频率合成方案! 介绍了ad9850芯片ad9850的基本工作原理" 性能特点及引脚功能! 给出了以1!2345 作为参考信号源的锁相环频率合成器实例! 并对该频率合成器的硬件电路和软件编程进行了简要说明#关键词! !!" 锁相环频率合成器数据寄存器
上传时间： 2013-10-18
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最新的HDMI I.3（高清晰度多媒体接口1.3）标准把以前的HDMI 1.0 - 1.2标准所规定的数据传送速度提高了一倍，每对差动信号线的速度达到3.4 Gbps。由于数据传送速度这么高，要求电路板的电容小，确保信号的素质很好，这给电路板的设计带来了新的挑战。在解决这个问题，实现可靠的静电放电（ESD）保护时，这点尤其重要。在HDMI系统设计中增加ESD保护时，如果选用合适的办法，就可以把问题简化。泰科电子的ESD和过电流保护参考设计，符合3.4 GHz的HDMI 1.3规范，达到IEC 61000-4-2关于ESD保护的要求，并且可以优化电路板的空间，所有这些可以帮助设计人员减少风险。本文探讨在HDMI 1.3系统中设计ESD保护的要求和容易犯的错误。 概述 在高清晰度视频系统中增加ESD保护，提出了许多复杂而且令人为难的问题，这会增加成本，会延长产品上市的时间。人们在选择ESD保护方案时，往往是根据解决这个问题的办法实现起来是否容易。不过，最简单的办法也许不可能提供充分的ESD保护，或者在电路板上占用的空间不能让人最满意。有些时候，在开始时看上去是解决ESD保护问题的最好办法，到了后来，会发现需要使用多种电路板材来保证时基信号达到要求。在实现一个充分的静电放电保护时，往往需要在尺寸、静电放电保护的性能以及实现起来是否容易这几方面进行折衷。一直到现在仍然是这样。
上传时间： 2013-10-22
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为了提高交错并联变换器的性能，对四相交错并联双向DC/DC变换器中不对称耦合电感进行分析，推导出等效稳态电感和等效暂态电感的数学表达式。结合提出的耦合电感结构进行不对称耦合电感对称化研究。通过Saber和3D Maxwell软件进行仿真验证和样机实验，验证了理论分析和仿真结果的正确性。
上传时间： 2013-10-19
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结合功率MOSFET管不同的失效形态，论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式，并说明了产生这样的损坏形态的原因，也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别，从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态。最后，结合实际应用，论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程。
上传时间： 2013-11-14
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设计了一种新型的机载过压保护电路。该电路以芯片LT4356和APL502L为主要器件，简单可靠，能够满足防80 V/50 ms浪涌电压要求。介绍了该防浪涌电压保护电路主要特点和参数设计，并对该电路进行了仿真分析。相应实验结果表明，该电路是一种可靠有效的机载过压保护电路。
上传时间： 2013-10-10
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功率MOSFET的驱动电路和保护技术
上传时间： 2013-10-22
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3节或4节锂电池保护电路，避免过充、过放、过流。
上传时间： 2013-10-29
上传用户：归海惜雪
IGBT模块驱动及保护技术
上传时间： 2013-10-19
上传用户：forzalife
PT4115是一款连续电感电流导通模式的降压恒流源，用于驱动一颗或者多颗串联LED。根据不同外部器件，芯片可以驱动高达数十瓦的LED。PT4115具有调光功能，通过DIM引脚实现模拟调光和宽范围PWM调光。当VDIM低于0.3V时，功率开关关断，芯片进入低功耗待机状态 主要技术参数 输入电压范围：6V to 40V 最大输出LED电流1.2A 5%的输出电流精度 高达97%的效率 极少的外部器件 复用DIM引脚进行LED开关、模拟调光和PWM调光 LED开路保护 LED过热保护 输出电流可调节 具有输入欠压保护功能 应用 低压LED射灯代替卤素灯 车载LED灯 LED备用灯 LED信号灯
上传时间： 2014-12-24
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