如何用Protel DXP生成Gerber文件
上传时间： 2013-11-04
上传用户：hoperingcong
Protel DXP 中文教材 （PDFProtel DXP 中文教材 （PDF下载介绍:Protel DXP 中文教材 （PDF文件格式）
上传时间： 2013-10-19
上传用户：问题问题
Allegro制作光绘文件
上传时间： 2013-11-12
上传用户：ZZJ886
genesis9.0算号器提供genesis算号器使用视频。安装文件一定要放在小写英文路径下，中文不行，有大写字母的英文也不行。1.算号器的只是算gnd的号，要算get的号，需要参考算号器的步骤。注意选择破解有效时间。2.7天过期，30天过期，永不过期等。注意要用自己机器识别号去算，在get运行弹出来的序号对话框里，有机器识别号。3.安装完成，启动时，填写进入用户名和密码时，一定不能用鼠标。直接用回车键，否则失效。密码框内的密码不可见，输完直接回车，即可进入genesis界面。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：swaylong
NI MultiSIM 10(V10.0.144)电子仿真软件汉化文件
上传时间： 2013-10-19
上传用户：saharawalker
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下： 对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson就大了。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？
标签： COOLMOS
上传时间： 2014-12-23
上传用户：标点符号
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
叙述了锁相环的应用及其结构特点, 较详细地介绍了锁相集成电路CD4046的结构特点和应用。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：gxm2052
Altium.Designer.6（6.6含破解文件）安装、升级总结
上传时间： 2013-11-17
上传用户：hzy5825468
AD 中有时为了方便查 看文件或者进行器装配，会经常打印成纸张中有时为了方便查 看文件或者进行器装配，会经常打印成纸张看与参考，下面对其文件的打印进行详细介绍：
标签： 打印
上传时间： 2013-12-20
上传用户：苍山观海
