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数学<b>建模</b>与数学实验

  • 系统建模与仿真技术

    系统建模与仿真技术 主要介绍了各种算法以及基于MATLAB的仿真

    标签: 系统建模 仿真技术

    上传时间: 2013-06-22

    上传用户:Jason1990

  • 运算电路的综合:包含多种常用数学算法的FPGA/ASIC实现。

    运算电路的综合:包含多种常用数学算法的FPGA/ASIC实现。

    标签: FPGA ASIC 运算电路 算法

    上传时间: 2013-08-15

    上传用户:songrui

  • 数学丛书.-.[抽象代数学卷3].[.域论及伽罗瓦理论]

    数学,一套的

    标签: 抽象代数

    上传时间: 2013-11-14

    上传用户:黄酒配奶茶

  • Arduino学习笔记A10_Arduino数码管骰子实验

    电路连接 由于数码管品种多样,还有共阴共阳的,下面我们使用一个数码管段码生成器(在文章结尾) 去解决不同数码管的问题: 本例作者利用手头现有的一位不知品牌的共阳数码管:型号D5611 A/B,在Eagle 找了一个 类似的型号SA56-11,引脚功能一样可以直接代换。所以下面电路图使用SA56-11 做引脚说明。 注意: 1. 将数码管的a~g 段,分别接到Arduino 的D0~D6 上面。如果你手上的数码管未知的话,可以通过通电测量它哪个引脚对应哪个字段,然后找出a~g 即可。 2. 分清共阴还是共阳。共阴的话,接220Ω电阻到电源负极;共阳的话,接220Ω电阻到电源+5v。 3. 220Ω电阻视数码管实际工作亮度与手头现有原件而定,不一定需要准确。 4. 按下按钮即停。   源代码 由于我是按照段码生成器默认接法接的,所以不用修改段码生成器了,直接在段码生成器选择共阳极,再按“自动”生成数组就搞定。   下面是源代码,由于偷懒不用写循环,使用了部分AVR 语句。 PORTD 这个是AVR 的端口输出控制语句,8 位对应D7~D0,PORTD=00001001 就是D3 和D0 是高电平。 PORTD = a;就是找出相应的段码输出到D7~D0。 DDRD 这个是AVR 语句中控制引脚作为输出/输入的语句。DDRD = 0xFF;就是D0~D7 全部 作为输出脚了。 ARDUINO CODECOPY /* Arduino 单数码管骰子 Ansifa 2011-12-28 */ //定义段码表,表中十个元素由LED 段码生成器生成,选择了共阳极。 inta[10] = {0xC0, 0xF9, 0xA4, 0xB0, 0x99, 0x92, 0x82, 0xF8, 0x80, 0x90}; voidsetup() { DDRD = 0xFF; //AVR 定义PortD 的低七位全部用作输出使用。即0xFF=B11111111对 应D7~D0 pinMode(12, INPUT); //D12用来做骰子暂停的开关 } voidloop() { for(int i = 0; i < 10; i++) { //将段码输出PortD 的低7位,即Arduino 的引脚D0~D6,这样需要取出PORTD 最高位,即 D7的状态,与段码相加,之后再输出。 PORTD = a[i]; delay(50); //延时50ms while(digitalRead(12)) {} //如果D12引脚高电平,则在此死循环,暂停LED 跑 动 } }      

    标签: Arduino 10 数码管 实验

    上传时间: 2013-10-15

    上传用户:baitouyu

  • 2012TI杯陕西赛题B题--频率补偿电路

    2012TI杯陕西赛题H题,2012TI杯陕西赛题B题--频率补偿电路.

    标签: 2012 TI 频率补偿电路

    上传时间: 2013-10-07

    上传用户:ysystc670

  • CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较

    为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。

    标签: CoolMOS VDMOS 导通电阻

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:1427796291

  • 基于感应叠加原理的充电电源初步研究

    高功率转换开关是限制大功率高压脉冲调制器重复运行频率的关键因素。为避免高功率转换开关的使用,开展了基于感应叠加原理的高压充电电源初步研究。建立了构成感应叠加充电电源基本单元的脉冲变压器调制电路的数学模型,确立了变压器磁芯截面的设计原则,以IGBT作为调制器的转换开关,开展了2级感应叠加充电电源的初步实验研究。实验表明与单元脉冲变压器输出电压相比,升压系数接近2,波形没有发生畸变。

    标签: 叠加 充电电源

    上传时间: 2013-11-15

    上传用户:ANRAN

  • 基于PCC的大系统与微电网静态建模仿真

    基于PCC的大系统与微电网静态建模仿真

    标签: PCC 微电网 建模

    上传时间: 2013-10-29

    上传用户:hjshhyy

  • 含光伏阵列及燃料电池的微网建模与仿真

    含光伏阵列及燃料电池的微网建模与仿真

    标签: 光伏阵列 仿真 燃料电池 建模

    上传时间: 2013-10-17

    上传用户:小码农lz

  • 风能与光伏混合微电网的建模和仿真

    风能与光伏混合微电网的建模和仿真

    标签: 风能 光伏 微电网 建模和仿真

    上传时间: 2013-11-12

    上传用户:dddddd55