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撬棒保护

  • 51单片机SPWM逆变电源设计带过流保护功能(液晶显示)

    功能简要说明:输出:正弦波频率:可调;幅值:可调;逆变原理:51单片机SPWM驱动H桥+后级滤波;调节方式:频率加按键、频率减按键、幅值加按键、幅值减按键;频率调节范围:10hz、20hz、30hz、40hz、50hz、60hz、70hz、80hz、100hz;幅值调节范围:0%,10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,100%;(输出峰值占输入电压百分比)输出最大电流:2A;过流打嗝保护: 过流保护值2A,过流时切断,5秒后尝试恢复输出;输入电压范围: DC(直流)5V-40V;输出交流电压范围: ±5V-±40V;

    标签: 51单片机 spwm 电源设计 液晶显示

    上传时间: 2022-07-03

    上传用户:aben

  • 罗姆ML5238+ML610Q486锂电池保护电路技术资料

    罗姆ML5238+ML610Q486锂电池保护电路技术资料

    标签: 锂电池保护

    上传时间: 2022-07-04

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  • 三种IGBT驱动电路和保护方法

    三种IGBT驱动电路和保护方法,非常不错,受益颇多,感兴趣的可以看看,值得一看。

    标签: igbt 驱动电路

    上传时间: 2022-07-06

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  • 过载保护直流可调稳压电源设计报告

    文档为过载保护直流可调稳压电源设计报告讲解文档,是一份不错的参考资料,感兴趣的可以下载看看,,,,,,,,,,,,,,

    标签: 稳压电源

    上传时间: 2022-07-06

    上传用户:xsr1983

  • 保护板与bms

    保护板与bms                   

    标签: bms

    上传时间: 2022-07-09

    上传用户:默默

  • 51单片机燃气炉安全保护装置的程序、注释详细

    51单片机燃气炉安全保护装置的程序,程序注释详,很适合单片机爱好者参考阅读。

    标签: 51单片机 燃气安全保护装置 程序注释

    上传时间: 2022-07-22

    上传用户:20125101110

  • 比亚迪BM3451-T16 系列说明书,专用 4 节可充电电池保护 IC

        比亚迪BM3451锂电管理  适合3/4/5串锂电池的管理,具有高精度电压检测和过充电过放电保护,同时具备温度保护功能,整个芯片功能强大,使用比较成熟,所需要的外围器件少,使用可靠性搞。

    标签: bm3451

    上传时间: 2022-07-24

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  • 继电保护九大名校视频课程及讲义,64G

    继电保护九大名校视频课程及讲义,64G文件较大,存在百度网盘,附件中提供了分享链接和提取码,打开即可转存或下载。

    标签: 继电保护

    上传时间: 2022-07-25

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  • LED视力保护台灯完整设计(USB充电)电路原理图和PCB

    LED视力保护台灯完整设计(USB充电)电路原理图和PCB

    标签: led 视力保护台灯 usb充电 电路 原理图 pcb

    上传时间: 2022-07-28

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  • 电子元器件抗ESD技术讲义.rar

    电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式(MM) 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器(消电器、电中和器或离子平衡器) 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度(ESDS)检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容(以MIL-STD-883E 方法3015.7为例) 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I-V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具-TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理

    标签: ESD 电子元器件 讲义

    上传时间: 2013-07-13

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