本文主要是基于氮化锌（GaN）器件射频功率放大电路的设计，在s波段频率范围内，应用CREE公司的氮化稼（GaN）高电子迁移速率品体管（CGH40010和CGH40045）进行的宽带功率放大电路设计.主要工作有以下几个方面：首先，设计功放匹配电路。在2.7GHz~3.5GHz频带范围内，对中间级和末级功放晶体管进行稳定性分析并设置其静态工作点，继而进行宽带阻抗匹配电路的设计。本文采用双分支平衡渐变线拓扑电路结构，使用ADS软件对其进行仿真优化，设计出满足指标要求的匹配电路。具体指标如下：通带宽度为800MHz，在通带范围内的增益dB（S（2，1）>）10dB、驻波比VSWR1<2.VSWR2<2，3dB输出功率压缩点分别大于40dBm46dBm，效率大于40%.其次，设计功放偏置电源电路。电路要求是负电压控制正电压并带有过流保护功能，借助Orcad模拟电路仿真软件，设计出满足要求的电源电路。最后，分别运用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制图软件，绘制了功率放大电路和偏置电源电路的印制电路板，并通过对硬件电路的调试，最终使得整体电路满足了设计性能的要求。
上传时间： 2022-06-20
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PCB电路如微带电路有较为显著的介质和辐射损耗，而传统金属波导虽然损耗低、信号干扰小，但其结构很难做到小型化和集成。因此这两种结构不适用于要求低功耗且空间尺寸受限的移动终端。采用基片集成波导（SIW）可同时降低损耗和增加可集成性，其兼备了金属波导和平面电路的优良属性，是未来5G毫米波终端应用场景最佳的选项之一。本文的主要内容包括：对SIw、波柬扫描阵、缝隙天线阵和Butler知阵多波束馈电网络等基本原理进行了简要的回顾。此四方面的知识是本文所有设计的理论支撑。系统梳理了siw.缝隙天线阵的设计步骤和Butler矩阵馈电网络的分析方法。提出了将4 x4 Butler矩阵多波束馈电网络用于木来5G终端天线的设计以实现多波束宽角度高增益信号覆盖、本文选择采用了多被束方案，并结合了sG移动终端设计了适用于5G终端的4x4 Buter矩阵多波束馈电网络和缝隙天线阵，加工测试表明多波束方案基本可满足未来5G终端天线的要求。在传统4x4 Butler的基础上，提出和设计了一款改进型的4x4 SIW Butler矩阵。从理论上验证了方案的可行性且推导了各个器件须满足的条件。新设计的Butler矩阵其核心是将移相器归入到3dB定向耦合器的设计中。仿真和测试结果表明，改进型的4x4 SIW Butler矩阵不仅拥有更好的输出幅相平坦度还具有比传统4x4 SIW Butler矩阵更高的设计灵活性。设计了一款3x3 SIw Butler矩阵。首先给出了该款矩阵的设计思路来源，然后从原理上验证了此矩阵设计的可行性和详细地推导出了3x3 Butler短阵的结构和器件参数。仿真和结果表明，该型Butler矩阵比4×4 SIW Butler矩阵尺寸更小、结构更简单，但具有和4×4 SIW Buter矩阵相当的增益值和波束覆盖范围。
上传时间： 2022-06-20
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2011年，Realtek(瑞昱)开发出了业界公认的低功耗，高性能的USB3.0 Hub 主控，RTS5401-GR。它超小的体积(QFN76)和规范化的设计(USB IF认证，BC1.2和支持苹果设备快充)，赢得了行内一致认可。如今，打磨再打磨，瑞昱在原有的优势基础上，又新推一款更具性价比的USB3.0 Hub 主控IC，RTS5411-GR。此款IC的推出目的就是优化功耗，提高性能，降低客户Bom成本。那么，此款主控到底有何改善和更新呢？ 众所周知，目前世面上的Hub 主控，诸如创唯(GL3520) 威盛(VL812) 等等，都需要外挂一颗Flash，把配置文件(Bin文件)烧录其中，才能控制各个下行端口的设置。 而且，还需要一颗降压IC(5.5~3V to 1.2V)。 如此才能是整块板子正常工作，达到设计要求。 而现在，RTS5411-GR内置Efuse功能，可把Bin程序烧录到IC内部，这样就省去外挂SPI FLASH，使客户再次Cost Down. 另外，该IC已内置降压IC(5.5~3V to 1.2V) 因此，在整个Bom设计中，无需再加一颗降压IC。 上述两点，可以让整个Bom节省大约RMB1.00的成本，这使得客户的Hub产品更具价格优势！
上传时间： 2022-06-22
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RTS5411 USB3.0 HUB Controller v1.22011年，Realtek(瑞昱)开发出了业界公认的低功耗，高性能的USB3.0 Hub 主控，RTS5401-GR。它超小的体积(QFN76)和规范化的设计(USB IF认证，BC1.2和支持苹果设备快充)，赢得了行内一致认可。如今，打磨再打磨，瑞昱在原有的优势基础上，又新推一款更具性价比的USB3.0 Hub 主控IC，RTS5411-GR。此款IC的推出目的就是优化功耗，提高性能，降低客户Bom成本。那么，此款主控到底有何改善和更新呢？ 众所周知，目前世面上的Hub 主控，诸如创唯(GL3520) 威盛(VL812) 等等，都需要外挂一颗Flash，把配置文件(Bin文件)烧录其中，才能控制各个下行端口的设置。 而且，还需要一颗降压IC(5.5~3V to 1.2V)。 如此才能是整块板子正常工作，达到设计要求。 而现在，RTS5411-GR内置Efuse功能，可把Bin程序烧录到IC内部，这样就省去外挂SPI FLASH，使客户再次Cost Down. 另外，该IC已内置降压IC(5.5~3V to 1.2V) 因此，在整个Bom设计中，无需再加一颗降压IC。 上述两点，可以让整个Bom节省大约RMB1.00的成本，这使得客户的Hub产品更具价格优势！
上传时间： 2022-06-22
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本论文主要研究自激式RF电源的功率控制，主要分为七个部分：第部分主要介绍ICP仪器的发展历史、RF电源的主流技术路线及国内外研究现状，指出了存在的部分问题，确立了本文研究主题。第二部分简介了ICP仪器的系统结构，重点介绍等离子炬光源以及自激式RF电源。首先从系统的角度介绍了ICP仪器的组成及工作原理，然后对等离子矩光源的产生条件及生成机理作了说明，并且对其在点火过程中表现的负载特性作了分析，最后从ICP仪器的分析性能方面说明了它对RF电源的设计要求，明确RF电源的设计指标。第三部分详细介绍了自激式RF电源的实现原理。按照信号流向首先介绍了作为跟踪等离子矩特性的振荡源——锁相环的原理，分别对其中的鉴相器、环路滤波器、压控振荡器和驱动电路等做了详细介绍。然后介绍了高频功率放大器的原理，确定了主要元件参数，并介绍了适用于自激式RF电源的电路结构。最后对阻抗匹配原理作了介绍，并重点介绍了集中参数元件匹配网络。第四部分详细介绍了本文所做的设计工作，包含软硬件设计。这部分仍然是按信号流向作说明，根据自激式RF电源的结构特点，针对这几部分选择合适的电路结构、元件参数等设计完成锁相环路、高效率E类推挽功率放大电路以及阻抗匹配网络。除此之外，还包括电路中的主要信号采样与检测、热设计、电磁兼容设计以及软件部分的设计说明。第五部分对本文采取的功率控制流程与策略作详细说明，介绍了如何通过改善控制流程和控制策略以提高RF电源性能。第六部分对所设计的RF电源进行了测试，表明本设计达到了预定的设计指标，说明此方法的可行性与实用性，并且分析了等离子炬的负载变化过程，对RF电源的设计提供了有益的参考。第七部分作了全文总结与展望。所设计RF电源成功点燃等离子炬，期间通过对RF电源的测试，并在ICP-AES整机上进行了系统验证，测试证明所设计的自激式RF电源与同类电源相比性能有所提升。
上传时间： 2022-06-23
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1.LD3320语音识别方案，利用非特定人语音识别（ASR）技术，调试语音模块识别本课题所需要的特定词汇。采用主控芯片STM32F103C8T6与LD3320语音识别模块进行串口通信，主控芯片接收到串口关键字拼音后处理该消息命令。本课题需要的关键字包括：唤醒词、下一首、上一首、大声点、小声点、静音。2.按键控制：在不方便语音的情况下，可以采用按键来控制音箱。本课题选用PAM8403，该芯片支持双声道功放，支持蓝牙接收模块。PAM8403接上典型电路即可正常工作。音箱部分采用市面上在售的小音箱，拆除外壳，接入本课题的音频电路。
上传时间： 2022-07-01
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信立诚科技主推低成本高性价比HC32F030F8TA-LQFP32可替换STM32F030K6T6，HC32F030F8TA比STM32F030K6T6单片机多集成了硬件除法器、蜂鸣器、电压比较器和低电压检测，独立PWM比STM32F030C8T6更丰富，12 位 1Msps 采样的高速高精度 SARADC，内置运放，可比ST单片机能测量到外部更微弱信号。HC32F030F8TA防静电可达8KV，比ST的防静电能力更强。
标签： MCU
上传时间： 2022-07-01
上传用户：qingfengchizhu
蓝牙模块说明书，献给有需要的朋友，BK3266说明书V1.0BK3266: 低功耗蓝牙音频双模芯片耳机3266, qfn32 4*4 （主推） 4Mflash （传统蓝牙BL、 tws/AI）、 8Mflash （数据大，多国语言，OTA,来电报号）AI耳机 :开放数据接口，对接云，（小米，百度，阿里（主要），亚马逊（下半年））40pin 5*5：8M和16M 16GPIO 产品：入耳，单边，头戴，tws，线控，提供：参考设计，硬件，软件demoTws，仿苹果，弹窗、自动开机，双边通话，敲击唤醒
上传时间： 2022-07-08
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stm32参考手册，在工程师开发过程中，不管是硬件开发还是软件开发，都需要根据官方提供的数据手册和参考手册来进行具体的设计工作，提别是对于ST这样的大厂，在家电领域，st的主推产品stm32得到了广泛的应用，在stm32家族中，拥有多个系列，包括stm32f0、stm32f1、stm32f2、stm32f3、stm32f4
标签： stm32f0
上传时间： 2022-07-11
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SG3525 是一种性能优良、功能齐全和通用性强的单片集成PWM控制芯片，它简单可靠及使用方便灵活，输出驱动为推拉输出形式，增加了驱动能力；内部含有欠压锁定电路、软启动控制电路、PWM锁存器，有过流保护功能，频率可调，同时能限制最大占空比。1)2)内置 5．1 V±1．0%的基准电压源。实物图3)芯片内振荡器。4)具有振荡器外部同步功能。5)死区时间可调。为了适应驱动快速场效应管的需要，末级采用推拉式工作电路，使开关速度更快，末级输出或吸入电流最大值可达400mA。6)内设欠压锁定电路。当输入电压小于 8V 时芯片内部锁定，停止工作(基准源及必要电路除外)，使消耗电流降至小于 2mA。7)比较器的反相输入端即软启动控制端芯片的引脚 8，可外接软启动电容。该电容器内部的基准电压 Uref由恒流源供电，达到2．5V的时间为t=(2．5V/50μA)C，占空比由小到大(50%)变化。8)内置PWM(脉宽调制)。锁存器将比较器送来的所有的跳动和振荡信号消除。只有在下一个时钟周期才能重新置位，系统的可靠性高。
标签： sg3525
上传时间： 2022-07-18
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