电视干扰与抑制方法
标签： 电视干扰
上传时间： 2022-01-23
上传用户：jiabin
本部分规定了军用装备实验室振动实验目的与应用、裁剪指南、信息要求、实验要求、实验过程和结果分析的内容。
上传时间： 2022-01-25
上传用户：zhaiyawei
本书包括电路中噪声抑制技术实践应用的方方面面。涵盖了两种基本的噪声控制方法:屏蔽和接地；介绍了其他一些噪声抑制技术:如电路平衡、去祸、滤波等;还介绍了电缆布线、无源器件、触点保护、本征噪声源、有源器件的噪声等方面的内容;同时还介绍了数字电路与静电放电的噪声和辐射方面的问题。本书适合于从事电子设备或系统设计的工程师使用，也可作为实用噪声抑制技术的教材。此书网上可下载的都有乱码 本身对此全部纠正极大方便了阅读
上传时间： 2022-02-16
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从3G-5G小区间干扰抑制技术综述一、概述： 干扰,泛指一切进入信道或通信系统对合法信号的正常工作造成了影响非期 望信号。移动通信系统的干扰是影响无线网络掉话率、接通率等系统指标的重要 因素之一。它严重影响了网络的正常运行和用户的通话质量。 1.1、干扰的分类： （1）、从频段上可分为上行干扰与下行干扰。上行干扰定义为干扰信号在移 动网络上行段,基站受外界射频干扰源干扰。上行干扰的后果是造成基站覆盖率 的降低。物理上看,在无上行干扰的情况下,基站能够接收较远处手机信号。当上 行干扰出现时,期望的手机信号需强于干扰信号,基站才能与手机联络,因此手机 必须离基站更近,因此造成了基站覆盖率的降低。下行干扰是指干扰源所发干扰 信号在移动网络下行频段,手机接收到干扰信号,无法区分正常基站信号,使手机 与基站联络中断,造成掉话或无法登记。由于基站下行信号通常较强,对 GSM 来说, 当某一下行频点被干扰时,手机能够选择次强频点,与其他基站联络。而 CDMA 本 身即自扰系统,因此上行干扰的危害比下行干扰更严重。
上传时间： 2022-02-25
上传用户：kingwide
本设备电气性能优良，结构坚固，主要组成部分为收信机和整流器。能装车，且具有人力或兽力搬运的可能。适合于师、团一级或船舶、邮电部门使用。收信的频率范围为1.5~30兆赫，分五个波段。可以接收电报和电话。供电为190，200，220，240伏交流电源。收信机采取一次变频超外差式电路。有二级高频放大器，三级中频放大器，中频频率为600千赫。中频通带有四种，其中3种借助于中频晶体滤波器得到的。机内尚有可控的抑制脉冲干扰的噪声抑制电路开关收信机的频率度盘是用照相法按机刻度的，因此频率刻度的准确度较高。机内有500千赫晶体校准器用以校准度盘刻度。由于在高波段采用了波段展阔电路，故调谐方便。调谐旋钮轴与主调可变电容器及频率度盘由无间隙齿轮传动因此具有良好的再定度与使用可靠性。收信机由传动机构的飞轮惯性作用达到快速调谐效果，而由主调电容器比调谐旋钮轴减速108倍的作用达到慢调的效果。二者是通过同一个旋钮完成的本收信机结构可靠，机箱底部装有减震器。（或装有避震器供装车使用）故能经受颠簸冲击振动长途运输的考验。由于中频回路是密封的，高频电感与波段开关板等经过良好的处理工艺，在电路上则采取温度补偿等措施，使收信设备能在低温、高温及潮湿的条件下使用。机箱及底座均用铝板制成，减轻了收信机的重量。收信机还具有音频，自动增益控制，半双工等输出线。输出端可接二副TA4低阻抗耳机。整流器内用硅二极管作整流，还具有稳流灯丝及稳压电路。本设备使用的电子器件如下：
标签： 短波接收机
上传时间： 2022-03-29
上传用户：shjgzh
matlab在振动信号处理中的应用 王济编.zip，含有matlab源码
上传时间： 2022-03-30
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设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极电压在米勒平台附近产生振荡的原因,并提出了抑制措施,对功率MOSFET的驱动设计具有一定的指导意义。When designing the drive circuit of power MOSFET,the influence of parasitic parameters on the circuit should be concerned.As an important parameter of MOSFET device,Miller capacitance should be considered in the design of drive circuit.The variation of gate voltage,drain source voltage and drain source current during the turn-on and turn-off of MOSFET were observed.The influences of parasitic parameters such as Miller capacitance and parasitic inductance on drain source voltage and drain source current were analyzed.The reasons of gate voltage oscillation nearby Miller plateau were analyzed,and the restraining measures were put forward.This research was instructive for the drive design of power MOSFET.
标签： mosfet
上传时间： 2022-04-02
上传用户：默默
本文档是村田噪声抑制基础教程电子书欢迎免费下载
标签： 噪声抑制
上传时间： 2022-05-12
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功能Function： 1.振动触发、运动检测，倾斜感应，等触发唤醒功能。 2.传感器是完全被动的，无需任何信号调节，至少具备50nA的电流即可运作，其耗电量取决于应用电路的单一电阻限制电流。 3.产品通过内部滚珠的接触来侦测环境动作，并使接触点间的接触电阻所产生的由高到低或由低到高的变化（建议在应该设计软件时要考虑的是高到低电平、低到高电平的转换变化而不是打开的开关信号，通过电路或软件的延时设置可对自身产品灵敏度的要求来做调试、即可提升产品的准确性和实用性）。 应用ApplicaTIon： 产品广泛适应于：振动感应系统、智能防盗装置，汽车电子/GPRS跟踪器，胎压监测（TPMS），RFID电子标签，智能穿戴，智能蓝牙，智能家居电子，自动步枪/手枪电子装置，微型发射器感应装置/接收器，无线智能数码电子，自动化装置及各类智能系统的振动感应或运动检测而设定应用下的触发唤醒功能。
上传时间： 2022-06-20
上传用户：zhanglei193
自20世纪80年代以来，以IGBT为代表的双极型复合器件的迅速发展，使得电力电子器件沿着高电压、大电流、高频化、模块化的方向发展，逆变技术日趋大容量化、高性能化，这使得采用大功率逆变电源作为舰船的主要供电电源成为可能。以igBT为主开关件的船大功逆变电源设计中，由于 KBт开关频率、开关速度的提高以及容量的提升（目前3 300 V-1 500 A的 KBT模块已投入实际应用），流经KBT的电流迅速变化，主电路母线的分布电感产生的瞬时电压尖峰会施加在KBT两端，如果处理不当，会使KBT的开关工作轨迹超出器件的SOA（Safe Operation Area安全工作区域），从而对逆变电源的正常运行构成威胁"1.本文对大功率逆变电源KBT关断时产生电压尖峰的机理进行了说明，并对影响关断电压尖峰的主要因素进行了分析。通过应用叠层复合母排降低了主电路母线的分布电感，通过设计合适的吸收电路改善了开关轨迹，从而抑制关断电压尖峰，使大功率逆变电源的开关器件运行在可靠的工作范围内。
上传时间： 2022-06-21
上传用户：d1997wayne
