文件中詳細介紹 FLIR 雷達產品的各項技術數據
上传时间： 2015-03-18
上传用户：戴斗笠的神秘人
文件中詳細列舉出FLIR雷達產品所使用的頻率波段以及發射功率資訊！
上传时间： 2015-03-18
上传用户：戴斗笠的神秘人
本文以上海嘉利矿山电子有限公司仓库部门信息管理系统的开发过程为蓝本，阐述了管理信息系统开发的基本原理和方法。
上传时间： 2015-03-26
上传用户：xixihan3211
这个是技成培训里的科目。有需要请下载。如需要更多资料请联系QQ1305222725
上传时间： 2016-10-19
上传用户：jaby
普 通 牌 分 析 仪▂【电:188乄2010,乄7106】包.教.会.纯.手.法.技.术，年初油惠活动6折起.daxiong0206
标签： 分
上传时间： 2017-02-06
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标签： 三公想拿到大牌的有什么办法
上传时间： 2017-02-06
上传用户：dage188
IAP，全称是“In-Application Programming”，中文解释为“在程序中编程”。 IAP 是一种 对通过微控制器的对外接口（如 USART， IIC， CAN， USB，以太网接口甚至是无线射频通道） 对正在运行程序的微控制器进行内部程序的更新的技术（注意这完全有别于 ICP 或者 ISP 技 术）
上传时间： 2017-05-15
上传用户：Freesky1
电力电子器件及应用技术电力电子器件及应用技电电力电子器件及应用技术力电子器件及应用技术术
标签： 电力电子器件及应用技术
上传时间： 2019-07-01
上传用户：略略略是
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg，而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出所謂 Salicide 製程
标签： Protection CMOS ESD ICs in
上传时间： 2020-06-05
上传用户：shancjb
电磁兼容学科是一门综合性交叉学科，实用性很强。本书注重从实际出发，结合强电类工程实际的特点，介绍了电磁兼容的基本知识，包括电磁干扰的产生和电磁兼容性的实现技术，以及一些常见的电磁干扰问题及其解决方法。
上传时间： 2021-10-16
上传用户：bluedrops
