实现数字基带QPSK调制系统的误码率仿真，并和理论值进行性能比较
上传时间： 2014-01-07
上传用户：lgnf
注意：刚上传的不完整，以这个为准 （在DS-spread spectrum系统中,噪声为加性高斯白噪声,传统单用户检测,线性解相关多用户检测和最小均方误差多用户检测的性能比较）
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上传时间： 2017-05-23
上传用户：阳光少年2016
ARM9系列处理器是英国ARM公司设计的主流嵌入式处理器，主要包括ARM9TDMI和ARM9E-S等系列。本文主要介绍它们与ARM7TDMI的结构以及性能比较。
上传时间： 2013-12-31
上传用户：zwei41
实现了三种乘法器，可以进行性能比较，比较有较之
标签： 乘法器
上传时间： 2017-06-24
上传用户：hn891122
飞利浦推出的一款专门针对车载收音的单芯片IC，型号NXP TEF6606T//6601T/6621T,目前市面上用得比较广，性能比较好的，评价比较高，完全可以替代LC1787高频头，很多终端客户指定要求用的一款收音IC，有需要的朋友可以参考下
上传时间： 2013-12-18
上传用户：秦莞尔w
冒泡，快速，插入，选择等排序的性能比较。。可以在随机生成1到10000个数做为排序源。。然后执行5种排序。得到移动次数和比较次数
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上传时间： 2014-01-03
上传用户：kernaling
信道编码类型及其相关应用，性能比较文献
标签： 信道编码
上传时间： 2014-01-05
上传用户：3到15
MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,电镀电解电源, 超音频感应加热等领域开关电源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET或 IGBT 导通开关损耗的主要因素， 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外， IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（ voltage tail ）出现。
上传时间： 2022-06-20
上传用户：hbsun
实现一个用于CDMA2000系统的短帧交织器,计算比较了12*16,13*15,14*14三种交织形式的性能!
上传时间： 2013-08-21
上传用户：zchpr@163.com
这是一个用C++编写的代码,实现了最小堆和最小左偏树在插入删除元素性能方面进行比较.
上传时间： 2014-01-15
上传用户：cooran
