薄膜硅电池生产线的问题 •设备投资过大 •技术升级过快 •生产工艺不成熟 •电池效率仍较低 •电池的长期寿命有待验证(电池的稳定性仍不好)
上传时间： 2014-12-24
上传用户：ruan2570406
设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较，指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响；提出了一种片上变压器的设计方法，即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式，解决了在CMOS工艺中设计变压器时面临的寄生电阻过大及有效耦合长度不足等困难。设计的变压器在2～3 GHz频段内的损耗小于1．35 dB，其功率合成效率高达76 以上，适合多模多频段射频前端的应用。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：ewtrwrtwe
适用范围 PJD20系列智能交流电源屏（柜）是我公司为满足变电站无人值守的要求，采用网络化的智能监测和控制技术以及新器件和新工艺等，开发的新型所用电交流配电系统，适用于220KV及以上变电所，提供全所动力、电热和照明用电。
上传时间： 2014-01-08
上传用户：MATAIYES
针对于目前CMOS电流控制电流传输器（CCCII）中普遍存在的温度依赖性问题，提出一个新的温度补偿技术。这种技术主要使用电流偏置电路和分流电路为CCCII产生偏置电流，其中偏置电路中的电流和μC'OX成正比。基于0.5μm CMOS工艺参数，运用HSPICE仿真软件，对提出的电路进行仿真，仿真结果验证了电路的正确性。
上传时间： 2013-10-13
上传用户：归海惜雪
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
空气压缩机是一种利用电动机将气体在压缩腔内进行压缩并使压缩的气体具有一定压力的设备。在工业生产中有着及其广泛的应用，在各种行业中它担负着为工厂中所有气动元件，各种气动阀门提供气源的职责。因此，空压机运行状况的好坏直接影响工厂的生产工艺。空压机的的种类很多（主要分为螺杆式，活塞式，其中螺杆式应用最广），但其供气的控制方式都是采用加、卸载的方式。
上传时间： 2013-10-13
上传用户：1234321@q
文章针对LDO稳定性的问题，提出了一种内部动态频率补偿电路，使LDO线性稳压器的稳定性不 受负载电容的等效串联电阻的影响，其单位增益带宽也不随负载电流变化而改变，大大提高了瞬态响应特性； 采用Hynix 0．5 1TI CMOS工艺模型对电路进行仿真；此外，该电路在实现动态频率补偿的基础上又加人了 系统的过流保护功能，当负载电流大于限制电流时，LDO不能正常工作；当负载电流小于限制电流时，又自动 恢复到正常工作状态
上传时间： 2013-10-27
上传用户：黑漆漆
摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV，是一种有效的基准电压实现方法.关键词：带隙基准电压源；电源抑制比；温度系数
上传时间： 2013-11-19
上传用户：王成林。
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标签： Multimeter Digital 18B 用户手册
上传时间： 2013-11-07
上传用户：璇珠官人
摘要：本文详细介绍了电源电压检测电路从电路要求到电路设计，从电路仿真验证到版图设计的整个模拟电路设计流程。着重讨论了如何降低电源电压、温度及工艺等变化对电路精度的影响，使设计的电源电压检测电路具有精度高，电压、工艺、温度容限宽的特点。
上传时间： 2014-01-10
上传用户：moshushi0009
