苏泊尔C21S02-B电磁炉电路图,红线标注，重点模块说明！
上传时间： 2013-06-22
上传用户：huangzr5
制作基于PIC Mcu 的ADS-B接收机的全套资料，包括SCH、PCB、源码和PC端软件。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：cx111111
1) 全数字化设计，交流采样，人机界面采用大屏幕点阵图形128X64 LCD中文液晶显示器。 2) 可实时显示A、B、C各相功率因数、电压、电流、有功功率、无功功率、电压总谐波畸变率、电流总谐波畸变率、电压3、5、7、9、11、13次谐波畸变率、电流3、5、7、9、 11、13次谐波畸变率频率、频率、电容输出显示及投切状态、报警等信息。 3) 设置参数中文提示，数字输入。 4) 电容器控制方案支持三相补偿、分相补偿、混合补偿方案，可通过菜单操作进行设置。 5) 电容器投切控制程序支持等容/编码（1：2、 1：2：3、 1：2：4：8…）等投切方式。 6) 具有手动补偿/自动补偿两种工作方式。 7) 提供电平控制输出接口（+12V），动态响应优于20MS。 8) 取样物理量为无功功率，具有谐波测量及保护功能。 9) 控制器具有RS-485通讯接口，MODBUS标准现场总线协议，方便接入低压配电系统。
上传时间： 2013-11-09
上传用户：dancnc
2012TI杯陕西赛题H题,2012TI杯陕西赛题B题--频率补偿电路.
上传时间： 2013-10-07
上传用户：ysystc670
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：1427796291
介绍了由两个DC/DC开关电源模块并联构成的供电系统电路结构和工作原理。该系统采用ARM芯片STM32为主控芯片产生驱动功率开关器件MOSFET的PWM脉冲[1]，对供电系统的输出电压和各个模块的输出电流均实现了全数字闭环PI控制。系统输出电压稳定，能实现两个模块电流的比例分配，同时具有输出负载短路及延时恢复功能。仿真和实验结果验证了控制技术的正确性和可行性。
上传时间： 2013-11-20
上传用户：小码农lz
为降低大功率开关电源设计时功率器件的选择、开关频率和功率密度的提高所面临的困难，改善单电源供电的可靠性，设计并制作程控开关电源并联供电系统。系统由2个额定输出功率为16 W的8 V DC/DC模块构成的程控开关电源并联供电系统。以STM32F103微控制器为核心芯片，通过程序控制内部DAC调节PWM主控芯片UC3845的反馈端电压，使DC/DC模块输出电压产生微小变动，进而可调整DC/DC模块的输出电流并实时分配各DC/DC模块的输出电流，软件采用PI算法。试验表明，系统满载效率高于80.23%，电流分配误差最大为1.54%；电源输出在1 s内快速达到稳态；系统以4.5 A为阈值实现过流保护和自恢复功能。
上传时间： 2013-11-15
上传用户：王庆才
SM7503是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片，在全电压输入范围内实现高精度恒压/恒流输出，精度均小于±3℅，并可使系统节省光耦和TL431等元件，降低成本。芯片内部集成了高压功率开关、逐周期峰值电流限制、VDD过压保护、VDD欠压保护、VDD电压嵌位等完善的保护功能，以提高系统的可靠性。封装形式：SOP8
上传时间： 2013-10-08
上传用户：李哈哈哈
SM8502是应用于小功率AC/DC开关电源系统的高性能离线式功率开关。内置高压功率三极管，采用原边反馈控制技术，在全电压输入范围内实现输出恒压精度小于±5℅，恒流精度小于±10℅。并且可使系统节省光耦和431等元件以降低成本。芯片集成过流保护、过压保护、欠压保护、过温保护等完善的保护功能以提高系统的可靠性。SOP8、HDIP4的封装形式。
上传时间： 2013-10-30
上传用户：极客
SM7505是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片，在全电压输入范围内实现高精度恒压/恒流输出，精度均小于±3℅，并可使系统节省光耦和TL431等元件，降低成本。芯片内部集成了高压功率开关、逐周期峰值电流限制、VDD过压保护、VDD欠压保护、VDD电压嵌位等完善的保护功能，以提高系统的可靠性。内置输出线压降补偿和前沿消隐电路（LEB），SOP8的封装形式。主要应用于LED照明驱动，小功率电源配适器，电脑、电视等产品的辅助电源或待机电源等
上传时间： 2013-12-12
上传用户：咔乐坞
