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上传时间： 2021-01-09
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高分辨率数码影像获取过程中经常受到多种因素的影响，导致影像质量降 低，为后续的数据分析带来诸多困难。本文对传统调制传递函数的计算方法以及 有参数的评价方法进行了分析，提出了改进的调制传递函数计算方法，并利用仿 真和真实实验对影响影像质量的几种因素及影像质量进行了有效评价，实验证明 了“基于改进调制传递函数的影像质量评价方法”能达到对数码航空影像数据进 行客观、准确的评价的目的，可用于选取质量更优的数码影像。
上传时间： 2021-02-20
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斯伦贝谢全自动定向钻井技术，使定向钻井完全自动化，对于可实现自动造斜、稳斜、降斜。
标签： 定向钻井技术
上传时间： 2021-10-18
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lm75A温度数字转换器 FPGA读写实验Verilog逻辑源码Quartus工程文件+文档资料,FPGA为CYCLONE4系列中的EP4CE6E22C8. 完整的工程文件，可以做为你的学习设计参考。LM75A 是一个使用了内置带隙温度传感器和模数转换技术的温度数字转换器。它也是一个温度检测器，可提供一个过热检测输出。LM75A 包含许多数据寄存器：配置寄存器用来存储器件的某些配置，如器件的工作模式、OS 工作模式、OS 极性和OS 故障队列等（在功能描述一节中有详细描述）；温度寄存器（Temp），用来存储读取的数字温度；设定点寄存器（Tos & Thyst），用来存储可编程的过热关断和滞后限制，器件通过2 线的串行I2C 总线接口与控制器通信。LM75A 还包含一个开漏输出（OS），当温度超过编程限制的值时该输出有效。LM75A 有3 个可选的逻辑地址管脚，使得同一总线上可同时连接8个器件而不发生地址冲突。LM75A 可配置成不同的工作条件。它可设置成在正常工作模式下周期性地对环境温度进行监控或进入关断模式来将器件功耗降至最低。OS 输出有2 种可选的工作模式：OS 比较器模式和OS 中断模式。OS 输出可选择高电平或低电平有效。故障队列和设定点限制可编程，为了激活OS 输出，故障队列定义了许多连续的故障。温度寄存器通常存放着一个11 位的二进制数的补码，用来实现0.125℃的精度。这个高精度在需要精确地测量温度偏移或超出限制范围的应用中非常有用。正常工作模式下，当器件上电时，OS 工作在比较器模式，温度阈值为80℃，滞后75℃，这时，LM75A就可用作一个具有以上预定义温度设定点的独立的温度控制器。module LM75_SEG_LED ( //input input sys_clk ,input sys_rst_n ,inout sda_port ,//output output wire seg_c1 ,output wire seg_c2 ,output wire seg_c3 ,output wire seg_c4 ,output reg seg_a ,output reg seg_b ,output reg seg_c ,output reg seg_e ,output reg seg_d ,output reg seg_f ,output reg seg_g ,output reg seg_h , output reg clk_sclk );//parameter define parameter WIDTH = 8;parameter SIZE = 8;//reg define reg [WIDTH-1:0] counter ;reg [9:0] counter_div ;reg clk_50k ;reg clk_200k ;reg sda ;reg enable ;
上传时间： 2021-10-27
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本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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5V USB扁口接口TP4055锂离子电池充电接口板ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件，2层B板手设计，大小为33*18mm,，可以做为你的学习设计参考。TP4055 是一款完整的单节锂离子电池充电器，带电池正负极反接保护，采用恒定 电流/恒定电压线性控制。其 SOT 封装与较少的外部元件数目使得 TP4055 成为便携式应 用的理想选择。TP4055 可以适合 USB 电源和适配器电源工作。 由于采用了内部 PMOSFET 架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和 隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件 下对芯片温度加以限制。充满电压固定于 4.2V，而充电电流可通过一个电阻器进行外部 设置。当电池达到 4.2V 之后，充电电流降至设定值 1/10，TP4055 将自动终止充电。 当输入电压（交流适配器或 USB 电源）被拿掉时，TP4055 自动进入一个低电流状 态，电池漏电流在 2uA 以下。TP4055 的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自 动再充电和一个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。
上传时间： 2021-11-22
上传用户：trh505
漏电感在开关电源主回路中一定存在，尤其在变压器、电感器等中都是不可避免的。过去在讨论中一般把它略而不计，设计中更无从考虑。现在随着开关电源的单机容量和整机容量的日益提高，这个参数影响到开关电源主要的参数，例如，40A/5V输出的开关电源，电压损失竟达20%，还影响到开关电源的重量和效率。因此，漏电感问题讨论、研究已摆到日程上了。加上脉冲电压VS（t）到变压器线圈就产生电流，沿着铁心磁径产生闭合的主磁通Φ(t)和部分路径在铁心附近的空气中闭合的漏磁通Φσ（t）。Φ（t）和Φσ（t）将在线圈分别产生感应电动势e（t）和eσ（t），两者之和加上电阻压降与外加电压相平衡，遵从KVL方程。过去，一般书刊略去eσ（t）， KVL方程简化为Vs（t）=Δt 。
上传时间： 2021-11-23
上传用户：trh505
驱动电路性能对变换器性能的影响:1.系统可靠性2.变换效率(开关器件损耗)3.开关器件应力(开/关过程中)
标签： 驱动电路
上传时间： 2021-11-24
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标签： 新闻
上传时间： 2021-12-09
上传用户：yrgijt
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标签： 新闻
上传时间： 2021-12-09
上传用户：yrgijt
