电源纹波的产生、危害、测量和抑制
上传时间： 2013-10-31
上传用户：txfyddz
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数，以适应不同工艺下负温度系数的变化，最终得到在全工艺角下低温漂的基准电压。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz时电源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz时（PSRR）达到-64 dB；在4 V电源电压下，在-40～80 ℃范围内的不同工艺角下，温度系数均可达到5.6×10-6 V/℃以下。
上传时间： 2014-12-03
上传用户：88mao
开关电源的EMI产生的源头以及抑制
上传时间： 2013-12-29
上传用户：assef
电子、电气产品的设计，必须保证在一定的电磁环境中能正常工作，既满足标准规定的抗干扰极限值要求，在受到一定的电磁干扰时，无性能降级或故障；又要满足标准规定的电磁辐射极限值的要求，对电磁环境不构成污染。所以，产品设计之初，就要从分析产品预期的电磁环境、干扰源、耦合途径和敏感部件入手，采用相应的技术措施，抑制干扰源、切断或削弱耦合途径，增强敏感部件的抗干扰能力等。文中详细介绍了一款485通讯隔离产品从辐射超标到顺利通过FCC CLASS B认证，在原理设计、PCB制板等多方面所做的各项改进措施。文中所提到的方法及规则，对产品EMC设计具有很大的参考及指导意义。
上传时间： 2013-10-24
上传用户：sz_hjbf
EMC
上传时间： 2013-11-18
上传用户：1142895891
利用正态频率调制技术从噪声产生源头上降低了开关变换器的电磁干扰。简单地分析了具有不变概率密度分布的离散随机信号频率调制降低开关变换器EMI噪声的原理，并试制了一台正态频率调制开关变换器电源样机。给出了开关管电流信号的频谱以及传导干扰测试的结果。实验结果表明该技术能有效降低开关谐波峰值，使开关变换器易于通过EMI测试，具有应用的前景。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：蒋清华嗯
移相控制的全桥PWM变换器是最常用的中大功率DC／DC变换电路拓扑形式之一。移相PWM控制方式利用开关管的结电容和高频变压器的漏电感或原边串联电感作为谐振元件，使开关管能进行零电压开通和关断，从而有效地降低了电路的开关损耗和开关噪声，减少了器件开关过程中产生的电磁干扰，为变换器提高开关频率、提高效率、减小尺寸及减轻质量提供了良好的条件。然而，传统的移相全桥变换器的输出整流二极管存在反向恢复过程，会引起寄生振荡，二极管上存在很高的尖峰电压，需增加阻容吸收回路进行抑制，文献提出了两种带箝位二极管的拓扑，可以很好地抑制寄生振荡。本文采取文献提出的拓扑结构，设计了一台280 W移相全桥软开关DC／DC变换器，该变换器输入电压为194～310 V，输出电压为76V。
上传时间： 2014-08-30
上传用户：thing20
文中提出了一种应用于印刷电路板的新颖二维电磁带隙（MS-EBG）结构,其单位晶格由折线缝隙组合与正方形贴片桥接构成,以抑制同步开关噪声。结果表明,抑制深度为-30 dB时,与传统L-bridged EBG结构比较,新EBG结构的阻带宽度增加1.3 GHz,相对带宽提高了约10%,能够有效抑制0.6～5.9 GHz的同步开关噪声。
上传时间： 2013-11-07
上传用户：qimingxing130
本论文系统研究了系统级封装的电源完整性分析，电源分布网络设计以及三维混合芯片堆叠引起的近场耦合问题。对封装级PDN结构设计，宽频带、高隔离深度的噪声隔离抑制技术以及新型混合芯片三维堆叠屏蔽结构进行了重点研究上。
上传时间： 2013-11-08
上传用户：gaome
变电站微机保护测控装置应用于强弱电结合部分，二者存在电磁兼容问题，处理不好会造成局部系统的运行不稳定。本文介绍了变电站微机保护测控系统在设计、施工、运行中如何消除或抑制干扰，以保障系统的稳定运行。
上传时间： 2013-10-14
上传用户：牛布牛
