虫虫首页| 资源下载| 资源专辑| 精品软件
登录| 注册

工艺探讨

  • CMOS射频功率放大器中的变压器合成技术

    设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较,指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响;提出了一种片上变压器的设计方法,即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式,解决了在CMOS工艺中设计变压器时面临的寄生电阻过大及有效耦合长度不足等困难。设计的变压器在2~3 GHz频段内的损耗小于1.35 dB,其功率合成效率高达76 以上,适合多模多频段射频前端的应用。

    标签: CMOS 射频功率放大器 变压器 合成技术

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:ewtrwrtwe

  • 低压断路器选型指南

    最近几年,与不少断路器的使用者相互磋商、探讨,并在专业刊物上阅读了一些断路器选用的文章,感到收益很大,但又觉得断路器的设计、制造者与它的用户之间由于沟通、交流和宣传不够,致使电器产品的用户在选择低压断路器上还存在一部分偏失。据此,笔者拟再次论述断路器的选择和应用,以期抛砖引玉、去伪存真。  1、按线路预期短路电流的计算来选择断路器的分断能力精确的线路预期短路电流的计算是一项极其繁琐的工作。因此便有一些误差不很大而工程上可以被接受的简捷计算方法:(1)对于10/0.4KV电压等级的变压器,可以考虑高压侧的短路容量为无穷大(10KV侧的短路容量一般为200~400MVA甚至更大,因此按无穷大来考虑,其误差不足10%)。

    标签: 低压断路器 选型指南

    上传时间: 2013-11-06

    上传用户:Andy123456

  • PJD20系列智能交流电源屏技术说明书

    适用范围 PJD20系列智能交流电源屏(柜)是我公司为满足变电站无人值守的要求,采用网络化的智能监测和控制技术以及新器件和新工艺等,开发的新型所用电交流配电系统,适用于220KV及以上变电所,提供全所动力、电热和照明用电。

    标签: PJD 20 交流电源 说明书

    上传时间: 2014-01-08

    上传用户:MATAIYES

  • 电流控制电流传输器的温度补偿技术

    针对于目前CMOS电流控制电流传输器(CCCII)中普遍存在的温度依赖性问题,提出一个新的温度补偿技术。这种技术主要使用电流偏置电路和分流电路为CCCII产生偏置电流,其中偏置电路中的电流和μC'OX成正比。基于0.5μm CMOS工艺参数,运用HSPICE仿真软件,对提出的电路进行仿真,仿真结果验证了电路的正确性。

    标签: 电流控制 电流传输器 温度 补偿技术

    上传时间: 2013-10-13

    上传用户:归海惜雪

  • 中压五电平单元级联变频器的研究与设计

    波形质量更好。论文介绍了五电平功率单元级联变频器的主电路拓扑结构特点、探讨了输入移相整流技术,运用坐标变换的方法推导和分析了单元级联变频器及异步电机矢量控制系统的数学模型。研究和比较了级联式变频器的几种PWM算法的特点,并选取载波相移层叠混合PWM方式为变频器的控制方式。提出了三点式五电平功率单元的开关控制策略,以及单元平衡控制的解决方案。并研究了矢量控制方法在中压级联变频器系统的应用。研究和完成了控制系统的软件、硬件方案设计,对于系统的两级旁路保护与实现、在线故障识别系统,DSP/CPLD冗余控制系统等关键技术进行了研究。同时对采取该变频器供电的异步电机PWM控制系统和异步电机矢量控制系统分别进行了仿真研究,成功研制了中压五电平单元级联变频器样机。在不同负载和不同实验条件下对变频器样机进行了满功率大电流实验,结果表明五电平功率单元级联变频器输出稳定,动态响应好,得到了满意的预期效果。论文最后对研究工作进行了总结,并提出了一些需要进一步探讨和解决的问题。

    标签: 中压 电平 变频器 级联

    上传时间: 2013-11-12

    上传用户:上善若水

  • 中频感应加热电源常见故障与维修

    中频电源广范应用于熔炼,透热,淬火,焊接等领域,不同的应用领域对中频电源有不同的要求,因此,中频电源的控制电路和主电路有不同的结构形式.只有在熟练掌握这些电路的基本工作原理和功率器件的基本特性的基础上,才能快速,准确地分析,判断故障原因,采取有效的措施排除故障.在此仅对典型电路和常见故障进行探讨.

    标签: 中频感应 加热电源

    上传时间: 2013-11-05

    上传用户:gengxiaochao

  • NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究

    采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。

    标签: NIP 非晶硅 薄膜太阳能电池

    上传时间: 2013-11-21

    上传用户:wanqunsheng

  • 三晶S350变频器在空气压缩器节能改造的应用

    空气压缩机是一种利用电动机将气体在压缩腔内进行压缩并使压缩的气体具有一定压力的设备。在工业生产中有着及其广泛的应用,在各种行业中它担负着为工厂中所有气动元件,各种气动阀门提供气源的职责。因此,空压机运行状况的好坏直接影响工厂的生产工艺。空压机的的种类很多(主要分为螺杆式,活塞式,其中螺杆式应用最广),但其供气的控制方式都是采用加、卸载的方式。

    标签: S350 变频器 压缩器 节能改造

    上传时间: 2013-10-13

    上传用户:1234321@q

  • LDO稳压器中动态频率补偿和限流保护的研究

    文章针对LDO稳定性的问题,提出了一种内部动态频率补偿电路,使LDO线性稳压器的稳定性不 受负载电容的等效串联电阻的影响,其单位增益带宽也不随负载电流变化而改变,大大提高了瞬态响应特性; 采用Hynix 0.5 1TI CMOS工艺模型对电路进行仿真;此外,该电路在实现动态频率补偿的基础上又加人了 系统的过流保护功能,当负载电流大于限制电流时,LDO不能正常工作;当负载电流小于限制电流时,又自动 恢复到正常工作状态

    标签: LDO 稳压器 动态 频率补偿

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:黑漆漆

  • 一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计

    摘要:采用共源共栅运算放大器作为驱动,设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路,并在TSMC0.18Um CMOS工艺下,采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明:在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益,电源抑制比达到-100dB,电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV,是一种有效的基准电压实现方法.关键词:带隙基准电压源;电源抑制比;温度系数

    标签: 高电源抑制 带隙基准 电压源

    上传时间: 2013-11-19

    上传用户:王成林。