工艺探讨
共 41 篇文章
工艺探讨 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 41 篇文章,持续更新中。
一种带振幅调节的晶体振荡器
<span id="LbZY">设计了一种带振幅控制的晶体振荡器,用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 μm、5 V CMOS工艺上实现,仿真和测试结果都能满足设计要求。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-
一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器
<span id="LbZY">提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型,可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大,以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法,优化了任意工作范围内,基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计,实
Construction Strategy of ESD P
Construction Strategy of ESD Protection Circuit<BR>Abstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept<BR>ions of ESD protection design are presented.<BR>Key wo
LCD工艺生产介绍及罗升横河DD马达在LCD玻璃划片机的应用
摘要:本文介绍了LCD生产工艺流程、玻璃划片机的构架,技术特点,以及罗升横河DD马达的结构特点、适合LCD玻璃激光划片机应用。展望了LCD设备在国内的发展方向。<BR>关键字:罗升横河DD马达、高精度、高刚性、划片机、LCD
高增益低功耗恒跨导轨到轨CMOS运放设计
<span id="LbZY">基于CSMC的0.5 μmCMOS工艺,设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器,采用最大电流选择电路作为输入级,AB类结构作为输出级。通过cadence仿真,其输入输出均能达到轨到轨,整个电路工作在3 V电源电压下,静态功耗仅为0.206 mW,驱动10pF的容性负载时,增益高达100.4 dB,单位增益带宽约为4.2 MHz,相位裕度为63
ZCS PWM DC-DC变换器的建模
<p>
分析了ZCS PWM DC/DC变换器电路的工作原理,探讨了主要参数的设定,并建立了基于Matlab的仿真模型,通过选择参数对仿真模型和程序进行校核和调试.</p>
<p>
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12020Q5203Q02.jpg" style="width: 362px; height: 213px"
功放机原理及检修
为了帮助广大电子爱好者了解、掌握AV功放的电路结构、工作原理和维修特点,本刊特约有关作者编写了“AV功放原理与维修”的讲座,拟就AV功放的前置处理电路、卡拉OK电路、杜比定向逻辑解码器、DSP和SRS声场处理电路、荧光屏显示与驱动电路、频谱均衡控制与显示电路、电源电路、遥控与微电脑控制电路、功率放大电路的原理与AV功放维修方面的问题与大家交流。欢迎广大读者关注并参与探讨。<
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量<br />
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.c
现代模拟电路智能故障诊断方法研究与发展
针对传统诊断方法的不足之处,介绍了基于人工智能和现代信息信号处理的现代故障诊断方法,包括专家系统诊断方法、神经网络诊断方法、模糊诊断方法和基于核的诊断方法,同时系统地分析了每种方法的基本原理、优缺点、研究进展和典型应用。最后探讨了目前模拟电路故障诊断研究存在的问题和未来的发展方向。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094
快响应低漂移微电流放大器的设计
<div>
介绍了基于AD549高精度快响应低漂移微电流放大器的工作原理、电路设计和制造工艺、词试技术,该微电流放大器是核反应堆反应性测量的关键部件之一,其低噪声、快响应与低漂移技术是精确测量反应性重要因数之一。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-120215113115H2.jpg" />
解析逻辑函数式的处理
<p>
对数字电路设计中的重要环节--逻辑函数式的处理进行了解析。分逻辑函数式的化简、检查、变换3个方面作了详细探讨,且对每个方面给出了相应的见解,即对逻辑函数式的化简方面提出宜采用先卡诺图法再代数法的综合法;对逻辑函数式的检查方面指出了观察互补出现的因子并检验在特殊条件下是否存在该因子的“互补相与”和“互补相或”的核心要点;对逻辑函数式的变换
555时基集成电路简介
<p>
555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为555,用CMOS 工艺制作的称为7555,除单定时器外,还有对应的双定时器556/7556。555 定时器的电源电压范围宽,可在4.5V~16V 工作,7555 可在3~18V 工作,输出驱动电流约为200mA,因而其输出可与TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。</p>
<p>
<img alt=
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/
一种增益增强型套筒式运算放大器的设计
设计了一种用于高速ADC中的全差分套筒式运算放大器.从ADC的应用指标出发,确定了设计目标,利用开关电容共模反馈、增益增强等技术实现了一个可用于12 bit精度、100 MHz采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC中的运算放大器.基于SMIC 0.13 μm,3.3 V工艺,Spectre仿真结果表明,该运放可以达到105.8 dB的增益,单位增益带宽达到983.6 MHz,而功耗仅为2
定时器芯片555,556,7555,7556之关的联系与区别
555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为 555,用 CMOS 工艺制作的称为 7555,除单定时器外,还有对应的双定时器 556/7556。555 定时器的电源电压范围宽,可在 4.5V~16V 工作,7555 可在 3~18V 工作,输出驱动电流约为 200mA,因而其输出可与 TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。 555 定时器成本低,性能可靠
油气水多相流电容层析成像灵敏场仿真研究
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">针对准确测量油气水多相流各分相含量的问题,采用了电容层析成像技术完成油气水多相流各分相含量测量。通过仿真分析了采用有限元分析方法的电极间的灵敏度特性,探
MEMS器件气密封装工艺规范
MEMS是融合了硅微加工,LIGA和精密机械加工等多种加工技术,并应用现代信息技术构成的微型系统.
贴片胶与滴胶工艺
表面贴片胶(SMA,surface mount adhesives)用于波峰焊接和回流焊接,以保持组件在印刷电路<BR>板(PCB)上的位置,确保在装配线上传送过程中组件不会丢失。<BR>PCB装配中使用的大多数表面贴片胶(SMA)都是环氧树脂(epoxies),虽然还有聚丙烯(acrylics)用于特殊的用途。在高速滴胶系统引入和电子工业掌握如何处理货架寿命相对较短的产品之后,环氧树脂已成为世界
CMOS工艺多功能数字芯片的输出缓冲电路设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">为了提高数字集成电路芯片的驱动能力,采用优化比例因子的等比缓冲器链方法,通过Hspice软件仿真和版图设计测试,提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的
CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路
共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应,在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路,且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-12