工艺探讨

共 41 篇文章
工艺探讨 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 41 篇文章,持续更新中。

模拟cmos集成电路设计

拉扎维经典著作,陈贵灿等翻译。介绍了mos工艺短沟道效应\   单级和差动放大频响反馈/震荡/封装工艺等

多功能贴片机机械定位的探讨--陈卫

摘要:本文介绍了YAMAHA YV100Ⅱ型多功能贴片机机械定位的原理,详尽地分析了生产中机械定位失效的现象和原因,阐述了机械定位失效对贴片精度的影响,从而明确了机械定位的要求,对提高贴片机的使用效果具有很好的帮助。对其它多功能贴片机的应用也具有一定借鉴意义。<BR>关键词:多功能贴片机;边夹;定位针

模拟cmos集成电路设计(design of analog

<P>模拟集成电路的设计与其说是一门技术,还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石,而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。.<BR>美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&

高增益K波段MMIC低噪声放大器

<p> &nbsp;</p> <div> 基于0.25gm PHEMT工艺,给出了两个高增益K 波段低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声;采用直流偏置上加阻容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好,输入输出驻波比小于2.0;功率增益达24dB;噪声系数小于3.5dB

CMOS绿色模式AC_DC控制器振荡器电路

采用电流模脉宽调制控制方案的电池充电芯片设计,锯齿波信号的线性度较好,当负载电路减小时,自动进入Burst Mode状态提高系统的效率。整个电路基于1.0 &mu;m 40 V CMOS工艺设计,通过Hspice完成了整体电路前仿真验证和后仿真,仿真结果表明,振荡电路的性能较好,可广泛应用在PWM等各种电子电路中。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.c

带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流

4-20mA,0-10V电流~电压模拟信号光电隔离放大器

iso u-p-o 系列直流电压信号隔离放大器是一种将电压信号转换成按比例输出的隔离电流或电压信号的混合集成电路。该ic内部含有一组高隔离的dc/dc电源和电压信号高效率耦合隔离变换电路等,可以将直流电压小信号进行隔离放大(u/u)输出或直接转换为直流电流(u /i)信号输出。较大的输入阻抗(&ge;1 m&omega;),较强的带负载能力(电流输出>650&omega;,电压输出&ge;2k&o

板级模拟电路仿真收敛性技术研究

<span id="LbZY">电路仿真不仅应用于电路设计阶段,也用于电路故障诊断中。电路仿真结果能够为建立电路测试诊断知识库提供重要的参考信息。本文简要介绍了电路仿真收敛性的相关理论,分析了板级模拟电路直流分析和瞬态分析的仿真收敛性问题,深入探讨了电路仿真技术的原理和发展,重点研究了新的电路仿真算法,并将其应用于模拟电路仿真系统中。<br /> <img alt="" src="http://d

2~4 GHz波段低噪声放大器的仿真设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px;">利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体

基于第二代电流传输器的积分器设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.909090042114258px; ">介绍了一种基于低压、宽带、轨对轨、自偏置CMOS第二代电流传输器(CCII)的电流模式积分器电路,能广泛应用于无线通讯、

用于UHF RFID阅读器的无电感巴伦LNA设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">设计了一款用于UHF RFID射频前端接收机的高线性度LNA。该低噪声放大器采用噪声消除技术,具有单端输入差分输出的功能,能够同时实现输出平衡,噪声消除

放大器及数据转换器选择指南

德州仪器(TI)通过多种不同的处理工艺提供<BR>了宽范围的运算放大器产品,其类型包括<BR>了高精度、微功耗、低电压、高电压、高<BR>速以及轨至轨。TI还开发了业界最大的低<BR>功耗及低电压运算放大器产品选集,其设<BR>计特性可满足宽范围的多种应用。为使您<BR>的选择流程更为轻松,我们提供了一个交<BR>互式的在线运算放大器参数搜索引擎——<BR>amplifier.ti.com/sea

High-Speed Digital System desi

前面讨论了很多内容,基本上涉及了有关PCB板的绝大部分相关的知识。第二章探讨了传输线的基本原理,第三章探讨了串扰,在第四章里我们阐述了许多在现代设计中必须关注的非理想互连的问题。对于信号从驱动端引脚到接收端引脚的电气路径的相关问题,我们已经做了一些探究,然而对于硅芯片,即处于封装内部的IC来说,其信号传输通常要通过过孔和连接器来进行,对这样的情况我们该如何处理?在本章中,我们将通过对封装、过孔和连

RC桥式振荡电路性能研究与仿真

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">针对RC桥式低频信号振荡器的性能和应用,对振荡电路的基本结构及性能指标进行探讨,分别从选频网络、稳幅环节及频率可调三个方面对电路性能进行改进,并结合仿真

CMOS和TTL电路探讨

<p> 通常以为TTL门的速度高于&ldquo;CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大,作速度越低。管子的开关时间越长,门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有&ldquo;传输延时&rdquo;tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称&ldquo;速度-功耗积&rdquo;,做为器件性能的一个重要指

磁珠的原理及应用

<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求,电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂,单单依靠理论知识是完全不够的,它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题,还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋

低功耗高速跟随器的设计

提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明,在典型的转角下,打开2个辅助模块时,静态功耗约为35 μA;关掉辅助模块时,主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时,屏幕上的充放电时间为10 μs;没有外接1μF的大电容时,屏幕上的充放电时间为13μs。验证表明,该跟随器能

采用FlatP_Cell技术的ROM设计和分析

本文介绍了Flat&mdash; Cell结构和采用Flat&mdash; Cell技术的ROM设计方法。包括Flat&mdash;Cell的工艺技术、Flat&mdash;Cell基本电路结构和ROM 放大器电路。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120302163630Q6.jpg" />

高等模拟集成电路

近年来,随着集成电路工艺技术的进步,电子系统的构成发生了两个重要的变化: 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心,一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上(称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用,并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模,而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点,因而大多数复杂系统以数

双极运算放大器的辐射效应和退火特性

<div>  本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是6