工艺分析

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CMOS工艺中GG2NMOS结构ESD保护电路设计:采用GG2NMOS 结构的ESD 保护电路的工作原理和对其进行的ESD 实验,提出了一种保护电路的栅耦合技术方案,并达到了预期效果. 通过实验可以看...

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在系统研究单晶连铸的基础上，提出小直径线材单晶化技术，该技术结合区域熔化技术和连续铸造技术，实现了“三个连续”，即送料连续、加热熔化连续、引锭连续．他能克服单晶连铸对所制备的单晶线材长度和直径的限制．...

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提出了一种基于硅材料的、工作在12 GHz频率的用于接收卫星数字图像广播的单片射频前端系统，该系统含有低噪声放大器、混频器和第二级放大器，所有的电路都集成在硅材料工艺中，可以用于频率在12 GH...

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本文介绍了对石化中腐蚀性介质选用SUS304L超低碳不锈钢管道焊接工艺进行介绍，并指出焊接关键，控制点及注意事项。1、引言：5万吨/年已酰氨工程是国内引进的大型项目，环已酮污化装置是整个工程的...

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工艺分析技术资料简介

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相关技术领域： 机械 13.2 9020 GG2NMOS CMOS 连续 单晶 技术 Front-End 变压器绕制 变压器 分布电容