《LC滤波器设计与制作》是“图解实用电子技术丛书”之一。《LC滤波器设计与制作》作为一本介绍LC滤波器设计和制作方法的实用性图书，内容包括了经典设计方法和现代设计方法，如定K型、m推演型、巴特沃思型、切比雪夫型、贝塞尔型、高斯型、逆切比雪夫型、椭圆函数型等低通、高通、带通、带阻滤波器及电容耦合谐振器型窄带滤波器。《LC滤波器设计与制作》中还详细介绍了对于实现滤波器有重要意义的元件值变换方法、匹配衰减器设计方法和电感线圈的设计、制作和测试方法。 《LC滤波器设计与制作》可作为信号处理、信息通信等相关领域的工程技术人员的参考书，也可供大专院校的师生参考使用。
标签： LC滤波器
上传时间： 2022-06-20
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为满足信息技术发展的需要，在信息传输中起连接作用的关键元件-射频同轴连接器呈现向小型化、高频率、大功率和高可靠性发展的趋势，特别是通信基站用射频连接器，在电压驻波比、射频泄漏、功率容量等方面还有较高的要求。本课题首先就射频连接器设计中的关键理论和技术进行了分析和论证，重点就传输线方程及其解，传输线的工作状态做出了阐述。目前国内对射频连接器的s参数仿真技术研究较少，有鉴于此论文对射频连接器的Ansoft HFSS仿真进行了研究，诸如电K度，反射损失，插入相位及如何通过评估TDR降低s，，不连续电容及电感的补偿等。由于SMA连按器使用范围广，其结构具有一定的通用参考价值，论文在上述仿真研究的基础上，计算和设计了标准尺寸的SMA射频连接器中心导体常用的倒扣和滚花补偿尺寸，使回损提高了10-15B，对于SMA系列连接器的设计，具有较好的实际参考价值。在Ansoft HFSS中，不仅对s参数仿真进行了研究。还采用专门用于功率仿真的模块Ephysics，研究了不同的负载和散热条件，仿真射频连接器的温度分布，找出系统耐热薄弱点以便分析改进。
标签： 射频连接器
上传时间： 2022-06-20
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《射频通信电路设计》学习笔记（一）1.1射频概念1864-1873年，英国物理学家麦克斯书通过电磁学的研究，提出了著名的Maxwell方程组，并在理论上预言了电磁波的存在。1887-1891年，德国物理学家赫兹通过电磁学实验首次证实了电磁波的存在901年，马可尼利用电磁波实现了横跨大西洋的无线通f1.2射频通信电路应用简介在电子通信系统中，只有使用更高的载波频率，才能获得更大的带宽。按照10%的带宽计算，有线电视系统中使用100MHz的载波可以获得10MHz的带宽1.3射频电路设计的特点1.3.1分布参数集总参数元件：指一个独立的局域性元件，能够在一定的频率范围内提供特定的电路性能。在低频电路设计中，可以把元件看作集总参数元件，认为元件的特性仅由二传手自身决定，元件的电磁场部集中在元件内部。如电容、电阻、电感等；一个电容的容抗是由电容自身的特性决定不会受周围元件的影响，如果把其他元件靠近这个电容器，其容抗不会随之产业化。分布参数元件：指一个元件的特性延伸扩展到一定的空间范围内，不再局限于元件自身。由于分布参数元件的电磁场分布在附近空间中，其特性要受周围环境的影响。同一个元件，在低频电路设计中可以看作是集总参数元件，但是在射频电路设计中可能需要作为分布参数元件进行处理。例如，一定长度的一段传输线，在低频电路中可以看作集总参数元件；在射频电路中，就必须看作分布参数元件。分布电容（Cp）：指在元件自身封装、元件之间、元件到接地平面和线路板布线间形成非期t电容。分布电容与元件眯并联关系。分布电感（LD）：指元件引脚、连线、线路板布线等形成的非期望电感。分布电感通常与元件为串联关系。
上传时间： 2022-06-21
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随着全控型器件（目前主要是功率MOSPET与IGBT）的广泛使用以及脉宽调制技术的成熟，高频软开关电源也获得了极快地发展。变换电能的电源是以满足人们使用电源的要求为出发点的，根据不同的使用要求和特点对发出电能的电源再进行一次变换。这种变换是把种形态的电能变换为另一种形态的电能，它可以是交流电和直流电之间的变换，也可以是电压或电流幅值的变换，或者是交流电的频率、相位等变换，软开关电源输入和输出都是电能，它属于变换电能的电源。本论文研究了一种新型双管正激软开关DC/DC变换器电路拓扑。主功率器件采用IGBT元件，由功率二极管、电感、电容组成的谐振网络改善IGBT的开关条件，克服了传统开关在开通和闭合过程中会产生功率损耗，并且降低开关灵敏性的弊端。该论文对IGBT的软开关电源进行了总体设计和仿真，最后设计出了一台输出电压为48V、输出功率为1.5kW、工作频率为80kHz、谐振频率为350kHz的开关电源理论模型。
上传时间： 2022-06-21
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USB Power Delivery 快速充电通信原理本篇文章讲的快速充电是指USB 论坛所发布的USB Power Delivery 快速充电规范(通过VBUS 直流电平上耦合FSK 信号来请求充电器调整输出电压和电流的过程)，不同于本人发布的另一篇文章所讲的高通Quick Charger 2.0 规范，因为高通QC2.0是利用D+ 和D- 上的不同的直流电压来请求充电器动态调整输出电压和电流实现快速充电的过程。USB PD 的通信是将协议层的消息调制成24MHZ 的FSK 信号并耦合到VBUS上或者从VBUS 上获得FSK 信号来实现手机和充电器通信的过程。如图所示， 在USB PD 通信中， 是将24MHz 的FSK 通过cAC-Coupling 耦合电容耦合到VBUS 上的直流电平上的， 而为了使24MHz 的FSK 不对Power Supply或者USB Host 的VBUS 直流电压产生影响，在回路中同时添加了zIsolation 电感组成的低通滤波器过滤掉FSK 信号。
标签： USB-PD协议
上传时间： 2022-06-21
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IGBT模块的一些基本知识2·怎样读数据手册3.IGBT的驱动电路4，电压尖峰吸收回路5·短路6，IGBT模块的可靠性和实效分析7，仿真软件Melcosim的使用方法8.一些注意事项正的门极电压推荐15V（±10%）如右图所示Vog越高Vceat和Eon越小，损耗减小。但是16.5V以上的话短路耐量很小。所以正的门极电压为+15v±10%最合适。负的门极电压推荐5~10V右图表示开关损失与-Vcg的关系。-Voa=5V时Eoff不再变化，所以最小值设定为-Vo-5合适。另外，IGBT门极上会有尖峰电压重叠，为了防止不出现过大的负电压-Vgの的电压为5~10V最合适。（在一些场合无负压也是可以的）1类短路>桥臂直通>短路回路中电感较小，电流的上升速度极快>容易通过检测Vce（sat）实现保护II类短路>相间短路或对地短路短路回路ф电感稍大，电流的上升速度较慢>可以使用vce（sat），也可以使用霍尔来实现保护>这类短路，回路ф的电感是不确定的
标签： igbt模块
上传时间： 2022-06-21
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变频器是指利用电力电子器件将工颊的交流电源变换为用户所需频率的交流电源，它分为直接变频（交一交变频）和间接变频（交一直-交变频），间接变频技术在稳频稳压和调频调压的利用率以及变频电源对负载特性的影响等方面，都具有明显的优势，是目前变频技术领域普遍采取的方式，本课题所研究的正是间接变频中的脉宽调制（PWM）变频器技术由于IGBT器件的开关速度很快，当IGBT关断或绩流二极管反向恢复时会产生很大的di/dr，该dild在主电路的布线电感上引发较大的尖峰电压（关断浪涌电压）.在采用PWM开关控创模式的IGBT变频器中，IGBT的开关状态不但与PWM脉冲有关，还与变频器主电路元器件及负载特性有很大关系，为了确保IGBT安全可靠的工作，有必要进一步分析主电路和缓冲电路各器件的工作情况和接相过程，以期设计出有效的IGBT保护电路。本文推导了两电平PWM三相变频器的数学模型，对变频器主电路的换相过程及缓冲电路的工作方式利用PSIM软件进行了细致的仿真分析，同时也仿真研究了布线电感及缓冲电路各参数对1GBT关断电压的影响；详细介绍了变频器所包含的各电路环节的理论基础及设计过程：并在大量的文献资料和相关仿真分析的基础上推导出套级冲电路器件参数的计算公式，实践表明计算结果符合要求并取得了良好的效果。经过大量的实验和反复的改进，并给出了调试结果及变频器的额定输出电压、电流波形。通过将试验结果与理论外析进行比较验证，证明了理论分析的合理性，本文所研究设计的变频器性能稳定，运行可靠，完全满足设计要求.
上传时间： 2022-06-21
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近年来，对器件的失效分析已经成为电力电子领域中一个研究热点。本论文基于现代电力电子装置中应用最广的IGBT器件，利用静态测试仪3716，SEM（Scanning Electrom Microscope，扫描电子显微镜）、EDX（Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy、能量色散x射线光谱仪）、FIB（Focused lon beam，聚焦高子束）切割、TEM（Thermal Emmision Microscope，高精度热成像分析仪）等多种分析手段对模块应用当中失效的1GBT芯片进行电特性分析、芯片解剖并完成失效分析，并基于相应的失效模式提出了封装改进方案。1，对于栅极失效的情况，本论文先经过电特性测试完成预分析，并利用THEMOS分析出栅极漏电流通路，找到最小点并进行失效原因分析，针对相应原因提出改进方案。2，针对开通与关断瞬态过电流失效，采用研磨、划片等手段进行芯片的解剖。并用SEM与EDX对芯片损伤程度进行评估分析，以文献为参考进行失效原因分析，利用saber仿真进行失效原因验证。3，针对通态过电流失效模式，采用解剖分析来评估损伤情况，探究失效原因，并采用电感钳位电路进行实验验证。4，针对过电压失效模式，采用芯片解剖方式来分析失效点以及失效情况，基于文献归纳并总结出传统失效原因，并通过大量实验得出基于封装的失效原因，最后采用saber仿真加以验证。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-21
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1，Vs：集射极阻断电压在可使用的结温范围内，栅极和发射极短路状况下，集射极最高电压。手册里一般为25℃下的数据，随着结温的降低，VcEs会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感，IGBT在关断时Vcs最容易超过限值2，Poat：最大允许功耗在25℃时，IGBT开关的最大允许功率损耗，即通过结到壳的热帆所允许的最大耗散功Pat =（Ty-T）/Rtaie其中，Ty为结温， 为环境温度。二极管的最大功耗可以用同样的公式获得。在这里，顺便解释下这几个热阻，Rtice 结到壳的热阻抗，乘以发热量获得结与克的温差；Rthig芯片热源到周围空气的总热阻抗，乘以发热量获得器件温升；Rehb芯片结与PCB间的热阻抗，乘以单板散热量获得与单板的温差。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-21
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自20世纪80年代以来，以IGBT为代表的双极型复合器件的迅速发展，使得电力电子器件沿着高电压、大电流、高频化、模块化的方向发展，逆变技术日趋大容量化、高性能化，这使得采用大功率逆变电源作为舰船的主要供电电源成为可能。以igBT为主开关件的船大功逆变电源设计中，由于 KBт开关频率、开关速度的提高以及容量的提升（目前3 300 V-1 500 A的 KBT模块已投入实际应用），流经KBT的电流迅速变化，主电路母线的分布电感产生的瞬时电压尖峰会施加在KBT两端，如果处理不当，会使KBT的开关工作轨迹超出器件的SOA（Safe Operation Area安全工作区域），从而对逆变电源的正常运行构成威胁"1.本文对大功率逆变电源KBT关断时产生电压尖峰的机理进行了说明，并对影响关断电压尖峰的主要因素进行了分析。通过应用叠层复合母排降低了主电路母线的分布电感，通过设计合适的吸收电路改善了开关轨迹，从而抑制关断电压尖峰，使大功率逆变电源的开关器件运行在可靠的工作范围内。
上传时间： 2022-06-21
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