CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由...
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叙述了锁相环的应用及其结构特点, 较详细地介绍了锁相集成电路CD4046的结构特点和应用。 ...
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。...
本文的目的在于,介绍如何计算具有狭窄气隙的圆形转子电机中的绕组感应。我们仅处理理想化的气隙磁场,不考虑槽、外部周边或倾斜电抗。但我们将考察绕组磁动势(MMF)的空间谐频。 在图1中,给出了12槽定子的...
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