虫虫首页| 资源下载| 资源专辑| 精品软件
登录| 注册

导引头

  • 复合文档文件头的定义

    复合文档文件头的定义,winhex查看文件头

    标签: 文档 定义

    上传时间: 2017-12-10

    上传用户:q837766242

  • opc头文件

    利用C++开发OPC的头文件opcda_i.c

    标签: opc 头文件

    上传时间: 2018-07-27

    上传用户:cunzhishu

  • 文档藏头诗

    藏头诗,藏头诗,藏头诗,藏头诗,藏头诗,藏头诗,藏头诗,藏头诗,

    标签: 文档

    上传时间: 2020-10-12

    上传用户:

  • c8051F头文件

    c8051F头文件    

    标签: c8051f

    上传时间: 2021-12-10

    上传用户:

  • 单片机中用c编程时头文件解析

    单片机中用c编程时头文件解析这是一份非常不错的资料,欢迎下载,希望对您有帮助!

    标签: 单片机

    上传时间: 2022-01-26

    上传用户:slq1234567890

  • 串并联阻抗等效互换与回路抽头时的阻抗变换.ppt

    串并联阻抗等效互换与回路抽头时的阻抗变换.pptLC串、并联谐振回路在工作时,往往需要良好的阻抗匹配、选频作用,因此必须考虑串、并联阻抗的等效互换及输出、输入间的阻抗变换问题。串、并联阻抗的等效互换可通过等效性总结其规律,输出、输入间的阻抗变换可以通过对L或C元件的抽头实现,本节将讨论这些问题并总结其规律。

    标签: 阻抗

    上传时间: 2022-02-18

    上传用户:

  • 单片机C语言——头文件处理

    单片机C语言——头文件处理,有需要的可以参考!

    标签: 单片机 C语言 头文件

    上传时间: 2022-03-21

    上传用户:

  • DSP28377的例程,包括单核和双核的例程,头文件,CMD文件等配置文件等等

    DSP28377的例程,包括单核和双核的例程,头文件,CMD文件等配置文件等等

    标签: dsp28377 cmd

    上传时间: 2022-06-23

    上传用户:

  • 精工58打印头LTPZ245手册

    轻型小巧,可电池驱动高耐用性:打印长度可达50km适用于EFT-POS及手持终端型 号LTPZ245打印方法:热敏打印行数(点阵/行):384解像度(点阵/毫米):8纸宽(毫米):58打印宽度(毫米):48打印速度(毫米/秒) :最高75入纸方向:曲入打印头温度:热感应器缺纸检测:光感应器工作电压: (Vdd)3.0 至 3.6 /4.75 至 5.25工作电压: (Vp)4.2 至 9.5电流(A):打印头:3.60(电压为9.5V/64点)   马达:0.6              

    标签: LTPZ245

    上传时间: 2022-07-23

    上传用户:

  • 110kV真空断路器电磁场数值分析.rar

    近年来,人们对环境保护越来越重视,SF<,6>气体的使用和排放受到限制,从而使电器领域内SF<,6>断路器的发展也受到限制。而真空断路器充分利用了真空优异的绝缘与熄弧特性,且对环境不造成污染,所以目前在中压领域已经占据了主导地位,而且不断向高电压、大容量方向发展。因此,未来高压真空断路器必然取代高压SF<,6>断路器。真空灭弧室是真空断路器的“心脏”,所以,开发高压真空断路器最关键的是灭弧室的设计。本文对110kV的真空灭弧室的内部电磁场进行了仿真分析,为我国开发110kV真空断路器提供一定的参考。 本文采用有限元软件对110kV真空断路器灭弧室内部静电场进行了仿真分析,得到了灭弧室内部各种屏蔽罩的大小、尺寸和位置对电场分布的影响;触头距离对灭弧室内部电场分布的影响;伞裙对灭弧室内部电场分布的影响。再根据等离子体和金属蒸气具有一定导电率的特点,从麦克斯韦基本方程出发,推导了灭弧室内部电场所满足的计算方程,然后用有限元法对二维电场进行了求解。考虑到弧后粒子消散过程中,电极和悬浮导体表面会有带电微粒的存在,又计算分析了带电微粒对真空灭弧室电场分布的影响,进而提出了使灭弧室内部电场更加均匀的措施。 根据大电流真空电弧的物理模型,基于磁场对电流的作用力理论,计算分析了真空电弧自生磁场的收缩效应以及对分断电弧的影响,得到了弧柱中自生磁场产生的电磁压强分布,最后分析了外加纵向磁场分量对减小自生磁场收缩效应的作用。 建立了110kV、1/2线圈以及1/3线圈纵向磁场触头三维电极模型,并利用有限元法进行了三维静磁场和涡流场仿真。得到了电流在峰值和过零时纵向磁场分别在触头片表面和触头间隙中心平面上的二维和三维分布,给出了这两种触头在电流过零时纵向磁场滞后时间沿径向路径和轴向路径的分布规律,最后还对这两种触头的性能进行了比较。

    标签: 110 kV 真空断路器

    上传时间: 2013-07-09

    上传用户:smthxt