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半导体云讲堂——宽禁带半导体(GaN、SiC)材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料, 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状, 范德堡法为更通用的四探针测量技术,对...

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本书从基本的偶极天线开始,选择性地介绍了多波段的偶极天线,环形天线,共线天线,以及各种宽频带导线天线等。书中给出了很多线天线的设计和制作实例,提供大量的天线结构图和具体数据。...

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