介绍电动汽车感应充电系统松耦合变压器的特性，通过Ansoft有限元分析软件对松耦合变压器进行仿真分析，结合简化磁路模型和磁力线分布，得出大气隙下的EE磁芯的精确模型。结合精确模型和模拟结果，给出横截面积对耦合系数的影响，实际制作变压器，测量发现，面积增加，耦合系数得到提高，输出电压能力增强，为松耦合变压器的优化设计和进一步实验提供理论指导和参考。
上传时间： 2013-10-10
上传用户：行旅的喵
种高精度数控直流电流源的设计与实现
上传时间： 2013-10-12
上传用户：时代电子小智
电流型PWM整流器因其良好的功率因数和直流电流源特性，可望在某些场合取代产生大量谐波的二极管或晶闸管相控整流装置，但是由于其本身的强耦合非线性特性，使得变流器常采用复杂的直接电流控制策略，从而使控制器的设计非常复杂。文中提出一种改进的基于d-q坐标系的间接电流控制方法，在电网电压平衡情况下，通过解耦控制，能获得线性的动态响应。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：asaqq
交流电流的趋肤效应及其对载流导线损耗的影响，设计时可以进行参考，很好很实用的资料！
上传时间： 2013-11-12
上传用户：思琦琦
为了对电容重复频率且高能量转换效率地充电，开展了全桥串联谐振充电电源的理论设计。通过数值解析的方法获得谐振电感、电容、功率器件耐压与通流、电源功率、脉冲变压器伏秒数等参数，通过数值模拟的方法获得脉冲变压器励磁电感参数，以基于Pspice的全电路仿真验证设计参数的合理性。仿真结果表明为了实现对110 nF电容1 kHz重频充电，在初级电压为1.2 kV和谐振参数为33 kHz时，谐振电感、电容应分别为625 nH，37 μF，脉冲变压器伏秒数、励磁电感至少分别应为45 mVs、1 mH，功率器件峰值电流约300 A。
上传时间： 2013-11-08
上传用户：angle
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。
上传时间： 2013-10-27
上传用户：thesk123
一种单相电路无功电流实时检测新方法的研究
上传时间： 2013-10-28
上传用户：穿着衣服的大卫
LT®8610 和 LT8611 是 42V、2.5A 同步降压型稳压器，可满足汽车、工业和通信应用严格的高输入电压及低输出电压要求。为尽量减少外部组件并压缩解决方案尺寸，上管和下管电源开关集成在一种同步稳压器拓扑中，包括了内部补偿功能电路。即使在调节输出的过程中，稳压器从输入电源消耗的静态电流也仅为 2.5μA。
上传时间： 2014-12-24
上传用户：源码3
在基础电子学课程最初的某堂课上，我们会学习电阻器、电容器、电感器、电压源和电流源的符号。虽然每种符号代表了实际电路中的某种功能元件，但只有部分符号拥有直接的实质对等物。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：feifei0302
N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓冲层浓度及厚度存在最优值，只要合理的选取可以有效地降低通态压降。
上传时间： 2013-11-12
上传用户：thesk123
