为了能够从同时存在常规PRI信号和复杂PRI信号并带有脉冲信号干扰或丢失的环境中正确分选出雷达信号，本文提出了一种序列差值直方图法（SDIF）与修正PRI变换法相结合的雷达信号分选方法，经过matlab仿真验证，该方法有着很好的分选效果。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：ljd123456
为去除脑电信号采集过程中存在的噪声信号，提出了基于小波阈值去噪的脑电信号去噪。以小波阈值降噪为基础，首先利用db4小波对脑电信号进行5尺度分解，然后采用软、硬阈值与小波重构的算法进行去噪。通过对MIT脑电数据库中的脑电信号进行仿真，结果表明，采用软阈值方法有效去除了噪声，提高了脑电信号的信噪比。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：如果你也听说
针对齿轮故障特征信号具有强噪声背景、非线性、非平稳性特点，提出采用形态梯度小波对齿轮振动信号进行降噪。首先使用形态梯度小波把齿轮振动信号分解到多个尺度上，然后对各层的细节系数进行软阈值方法降噪处理，对经过处理后的小波系数进行重构。对降噪后的齿轮振动信号采用S变换多分辨率时频分析，能够从具有良好的时频分辨率的S变换谱图提取齿轮故障特征。通过仿真试验和故障轴承的信号分析证明，该方法具有短时傅里叶变换和小波变换的优点，不存在Wigner-Ville分布的交叉干扰和负频率，能有效地提取隐含在噪声中的齿轮故障特征，适合齿轮故障的在线监测和诊断。
上传时间： 2013-11-01
上传用户：AISINI005
利用序列光耦合器建立双隔离栅会存在一些问题，因为数据完整性很差，而且没有一种紧凑和廉价的方式为两个隔离栅之间的接口提供电源。随着iCoupler®等高性能数字隔离器以及isoPower®器件集成电源的问世，通过分层隔离器建立高压隔离栅现在已经成为一种可行解决方案。
上传时间： 2013-11-14
上传用户：zhouxuepeng1
ADM1275、ADM1276和ADM1075均共用同样的基本模数转换器(ADC)内核和PMBus接口。这些器件在平均计算和ADC寄存器更新方面存在一些细微差异。从ADM1275、ADM1276或ADM1075器件快速读取数据时，也需要考虑一些因素和限制。本应用笔记介绍了每种器件的ADC操作，以及如何将其数据速率提到最高(如需要)。
上传时间： 2013-10-09
上传用户：agent
模糊C-均值聚类算法是一种无监督图像分割技术，但存在着初始隶属度矩阵随机选取的影响，可能收敛到局部最优解的缺点。提出了一种粒子群优化与模糊C-均值聚类相结合的图像分割算法，根据粒子群优化算法强大的全局搜索能力，有效地避免了传统的FCM对随机初始值的敏感，容易陷入局部最优的缺点。实验表明，该算法加快了收敛速度，提高了图像的分割精度。
上传时间： 2013-10-25
上传用户：llandlu
对数字电路设计中的重要环节--逻辑函数式的处理进行了解析。分逻辑函数式的化简、检查、变换3个方面作了详细探讨，且对每个方面给出了相应的见解，即对逻辑函数式的化简方面提出宜采用先卡诺图法再代数法的综合法；对逻辑函数式的检查方面指出了观察互补出现的因子并检验在特殊条件下是否存在该因子的“互补相与”和“互补相或”的核心要点；对逻辑函数式的变换方面则提出了一种具有普适性的二次取非变换法。同时，对这些见解还给出了相应的例证。
上传时间： 2013-10-18
上传用户：一天睡三次
本文是关于电路中的 BJT 与 MOSFET开关应用的讨论。 前段时间，一同学跟我说，他用单片机做了一个简单的 LED 台灯，用 PWM的方式控制灯的亮度，但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一，我问他3V 时 LED 的发光电流是多大，他说大概十几到二十 mA，我又问他电阻多大，他说 10KΩ。于是我笑笑说你把电阻小一点就好了。他回去一试，说用了个 1KΩ的电阻，就没有任何问题了。 我很失望他没有问我为什么要这么做，这可能是大多数电子爱好初学者存在的问题，他们的动手能力很强，但是并不注重基本的理论知识。他们大多数情况下都是“依葫芦画瓢”，借用现成的电路使用，就连参数和器件型号的选择都疏于考虑。
上传时间： 2013-11-02
上传用户：ZJX5201314
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
ADV7511 HDMI®发送器支持HDCP 1.1特性；然而，业界对如何正确实现HDCP 1.1的某些特性，特别是增强链路验证(Pj校验)，存在一些误解。由于对实现方法存在不同的解释，ADI公司给ADV7511增加了一个HDCP 1.1特性禁用选项。版本ID(主寄存器映射的寄存器0x00) 为0x14的ADV7511器件提供此选项。在以前版本的ADV7511中，如果接收器在其HDCP响应中显示支持HDCP 1.1特性，则ADV7511自动调用此(Pj校验)协议。HDCP 1.1特性禁用选项允许用户通过置位I2C寄存器位来禁用Pj校验。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：changeboy
