为了保证在高温条件下，正确使用高频硅PNP晶体管3CG120，文中对3CG120在不同温度段的失效机理进行了研究。通过对硅PNP型晶体管3CG120进行170~340 ℃温度范围内序进应力加速寿命试验，发现在170~240 ℃，240~290 ℃，以及290~340 ℃分别具有不同的失效机理，并通过分析得到了保证加速寿命试验中与室温相同的失效机理温度应力范围。
上传时间： 2013-10-15
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电子产品可靠性分析、评价的重点在于确定其高风险环节。基于充分考量失效机理的分析目的，采用了“元器件-失效模式-失效机理-影响因素”相关联的分析方法，通过相关物理模型和一个电子产品分析案例，实现了利用这一方式确定高风险环节和分析可靠性的全过程，得到了这一方法比采用FMEA等失效模式分析更为实际、准确的结论。
上传时间： 2013-11-19
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本文主要超薄芯片的背面金属化中的一些问题，阐述了两种主要的背面金属化工艺的建立，并解决了这两个工艺中关键问题，使得工艺获得好的成品率，提高了产品的可靠性，实现了大规模量产。流程（一）介绍了一种通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司（ASMC）开发的一种特殊工艺，工艺采用特殊背面去应力工艺，通过机械应力和背银沾污的控制，将背面金属和硅片的黏附力和金硅接触电阻大大改善。论文同时阐述了一种自创的检验黏附力的方法，通过这种方法的监控，大幅度提高了产品良率，本论文的研究课题来源于企业的大规模生产实践，对于同类的低压低导通电阻VDMOS产品有实用的参考意义。流程（二）讨论了在半导体器件中应用最为广泛的金-硅合金工艺的失效模式及其解决办法。并介绍了我公司独创的刻蚀-淀积-合金以及应力控制同时完成的方案。通过这种技术，使得金硅合金质量得到大步的提升，并同时大大减少了背金工艺中的碎片问题，为企业获得了很好的效益。
上传时间： 2022-06-26
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信号与系统分析及MATLAB实现 超清书签版
上传时间： 2013-05-15
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电路分析基础课件 PPT版
标签： 电路分析基础
上传时间： 2013-04-15
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交大电气-信号与系统分析课件 PPT版
上传时间： 2013-06-12
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机构和机械手分析
上传时间： 2013-04-15
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液压系统的模拟机分析
上传时间： 2013-06-12
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机械系统动态分析理论与应用
上传时间： 2013-07-22
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压铸模ＣＡＥ分析及并行设计技术的工程应用
上传时间： 2013-04-15
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