在现代文明中，二次电池已走入千家万户，是我们生活中不可缺少的物品。在现在市场上,主要的二次电池是铅酸电池、镉镍电池、氢镍电池和锂
上传时间： 2013-11-22
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中兴通讯_电子元器件正确选择与使用 讲课用.pdf1. 概述 1.1 控制电子元器件选择与使用的重要性 一个系统由多个组件、部件组成，而每一个部件、组件均由元器件组成，因此，元器 件是一个系统的基础。如果将一个系统比作金字塔的话，那么元器件则是这个金字塔的塔 基。从可靠性角度出发，如果没有可靠的元器件，则没有可靠的系统。元器件的可靠性通 常从两个方面来理解：一方面是元器件本身所固有的由设计和生产过程中所确定的质量、 可靠性特性，即固有可靠性；另一方面是元器件在使用过程中实际所展现出来的可靠性特 性，称之为使用可靠性。 当前，国内外电子设备所用元器件的使用可靠性问题比较突出，我公司也不例外，从 失效分析数据可以看出，80％左右损坏的元器件是由于使用不当造成的。从 80 年代国外资 料看由于元器件使用不当，造成设备或系统故障占总故障数的一半以上。由于公司目前采 用的元器件有一定数量的国产元器件（另外为进口元件），国产元器件在质量和可靠性方 面有一定差距，进口元器件也没有非常明确的可靠性要求。因此，为了达到国外电子设备 的整机可靠性水平，我们公司必须下大力抓元器件的使用可靠性。元器件的使用可靠性工 作是一项涉及方面非常广的工作，它始终贯穿于元器件的选取、采购到生产的全过程。本 企标 《电子元器件的正确选择与使用》，从元器件的可靠性工作的主要环节，元器件的选 择与正确使用入手，详细阐述了不同种类元器件的正确选择与正确使用应注意的事项。
上传时间： 2022-03-20
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如果课程对您有帮助，记得关注+三连击；如果您喜欢本课程，请推荐给您的同事或同学。本课程以产品标准为起点，分别介绍了如下内容：电阻的定义；电阻的分类；电阻的关键参数；电阻的原理图和封装；电阻器的制造商；电阻的常见问题；电阻的失效分析。如果大家想看视频教程，请到B站搜索"lukougao",那里有您想要的知识。
上传时间： 2022-04-25
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本文档所包含的国军标GJB目录可用于指导电子元器件检测机构进行电子元器件的筛选、失效分析等，以及帮助想要民参军的企业了解军用电子元器件的选用标准。
标签： 电子元器件标准
上传时间： 2022-07-28
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为解决高冲突证据下的D-S证据理论失效这一问题,在对已有一些代表性改进方法分析的基础上,提出了一种新的基于最优权重分配的D-S改进算法.
上传时间： 2016-05-14
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由于绝缘栅双极晶体管IGBT具有工作频率高、处理功率大和驱动简单等诸多优点,在电力电子设备、尤其是中大型功率的电力电子设备中的应用越来越广泛。但是,IGBT失效引发的设备故障往往会对生产带来巨大影响和损失,因此,对IGBT的失效研究具有十分重要的应用意义。 本文在深入分析IGBT器件工作原理和工作特性的基础上,采用双极传输理论联立求解电子和空穴的传输方程,得到了稳态时电子和空穴电流的表达式,对造成IGBT失效的各种因素进行了详细分析。应用MATLAB软件,对硅参数的热导率、载流子浓度、载流子寿命、电子迁移率、空穴迁移率和双极扩散系数等进行了仿真,深入研究了IGBT的失效因素,得到了IGBT失效的主要原因是发生擎住效应以及泄漏电流导致IGBT延缓失效的有用结论。并且,进行了IGBT动态模型的设计和仿真,对IGBT在短路情况下的失效机理进行了深入研究。 考虑到实际设备中的IGBT在使用中经常会发生反复过流这一问题,通过搭建试验电路,着重对反复过流对IGBT可能带来的影响进行了试验研究,探讨了IGBT因反复过流导致的累积失效的变化规律。本文研究结果对于正确判断IGBT失效以及失效程度、进而正确判断和预测设备的可能故障,具有一定的应用参考价值。
上传时间： 2013-08-04
上传用户：lrx1992
静电放电（ＥＳＤ）是造成大多数电子元器件或电路系统破坏的主要因素。因此，电子产品中必须加上ＥＳＤ保护，提供ＥＳＤ电流泄放路径。电路模拟可应用于设计和优化新型ＥＳＤ保护电路，使ＥＳＤ保护器件的设计不再停留于旧的设计模式。文中讨论了器件由ＥＳＤ引起的热效应的失效机理及研究热效应所使用的模型。介绍用于ＥＳＤ模拟的软件，并对一些相关模拟结果进行了分析比较。
上传时间： 2013-11-05
上传用户：二十八号
结合功率MOSFET管不同的失效形态，论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式，并说明了产生这样的损坏形态的原因，也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别，从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态。最后，结合实际应用，论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程。
上传时间： 2013-11-14
上传用户：dongqiangqiang
我公司生产的 USBkey 产品所使用的MCU 电路，自2007 年9 月初USBkey 产品开始量产化后，我们对其部分产品做了电老化试验，发现该款电路早期失效问题达不到我们要求，上电以后一段时间内失效率为千分之一点五左右。为此，我们从去年10 月到今年2 月对所生产的产品（已发出的除外）全部进行了电老化筛选，通过这项工作发现了一些规律性的东西，对提高电子产品的安全可靠性有一定指导意义。2 试验条件的设定造成电路早期失效的原因很多，从 IC 设计到半导体生产工艺、电路封装、焊接装配等生产工序和生产设备、生产材料、生产环境及人为的因素都有可能是成因，作为电路的使用方不可能都顾及到，也不可控。通过分析，我们认为还是着眼于该款电路在完成半导体生产工艺后，在后部加工中所产生的早期失效问题更有针对性。，因此决定从电路的后部加工工序即封装、COS 软件以及产品SMT 加工工艺等方面入手，安排几种比对试验并取得试验数据，以期找出失效原因。
上传时间： 2014-12-28
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摘要:IC智能卡使用过程中出现的密码校验失效、数据丢失、应用区不能读写等一系列失效和可靠性问题,严重影响了其在社会生活各领域的广泛应用.分析研究了IC智能卡芯片碎裂、引线键合断裂、静电放电损伤等失效模式和失效机理,并结合IC卡制造工艺和失效IC卡的分析实例,对引起这些失效的根本原因作了深入探讨,就提升制造成品率、改善可靠性提出应对措施.关键词:IC卡;薄/超薄芯片;碎裂;键合
上传时间： 2013-11-09
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